检索结果-内蒙古大学图书馆

半导体技术 2017年第9期42卷 650-655,668页

作者：徐娟傅雅蓉林殷茵复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室上海201203

基于128 kbit AlO_x/WO_x双层结构阻变存储器(RRAM)芯片,提出并验证了还原时间对RRAM开关速度的调制作用,同时设计了一种固定电压幅值逐步增大脉宽的算法用于RRAM阵列中速度的测试。还原处理的时间越长,AlO_x层的厚度越薄,同时氧空位的... 详细信息

基于128 kbit AlO_x/WO_x双层结构阻变存储器(RRAM)芯片,提出并验证了还原时间对RRAM开关速度的调制作用,同时设计了一种固定电压幅值逐步增大脉宽的算法用于RRAM阵列中速度的测试。还原处理的时间越长,AlO_x层的厚度越薄,同时氧空位的含量增多,可加快导电细丝的形成、断裂和重新连接,进而提升芯片的开关速度。测试结果表明,还原时间由10 min增加至30 min,在4 V和4.5 V操作电压下,FORMING速度分布的均值分别由200 ns减小至120 ns和由100 ns减小至60 ns;在4 V和4.5 V操作电压下,RESET速度分布的均值分别由160 ns减小至120 ns和由120 ns减小至100 ns;SET速度分布的均值在4 V电压下可由120 ns减小至80 ns。此外,还原时间的增长可以改善速度分布的一致性,减小速度的波动。

关键词：阻变存储器开关速度还原时间速度波动速度测试算法

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基于热噪声的自适应匹配真随机数发生器设计

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电子技术应用 2018年第8期44卷 35-38,43页

作者：李桢汪鹏君程旭李刚宁波大学电路与系统研究所浙江宁波315211 复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室上海201203

通过对热噪声模型和灵敏放大器匹配机理的研究,提出一种可自适应匹配的真随机数发生器(True Random Number Generator,TRNG)设计方案。该方案首先在灵敏放大器中嵌入可配置NMOS阵列,通过调整阵列的等效宽长比实现灵敏放大器工作电流的平... 详细信息

通过对热噪声模型和灵敏放大器匹配机理的研究,提出一种可自适应匹配的真随机数发生器(True Random Number Generator,TRNG)设计方案。该方案首先在灵敏放大器中嵌入可配置NMOS阵列,通过调整阵列的等效宽长比实现灵敏放大器工作电流的平衡;然后在输出端增设负载隔离单元实现互补输出负载的匹配,提高序列随机性;最后通过动态补偿算法实现TRNG自适应校准,提高其适用范围。电路采用TSMC 65 nm CMOS工艺实现,实验结果表明TRNG在0.8 V^1.4 V电压和-40℃~120℃的环境下能正常工作,最大输出速率可达1 GHz,平均能效为0.165 pJ/bit。输出的随机序列通过了NIST-SP 800-22测试。

关键词：真随机数发生器灵敏放大器热噪声自适应匹配

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基于异构通信机制的任务映射算法

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计算机工程 2017年第12期43卷 51-54,59页

作者：金星荆明娥曾晓洋复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室上海201203

为提高结合共享存储器和片上网络进行核间通信的多核处理器的通信带宽使用效率,基于异构通信机制,提出一种改进的任务映射算法。使用分支定界算法缩小搜索空间,通过迭代交换任务的位置提高映射质量。实验结果表明,与NMAP算法相比,该算... 详细信息

为提高结合共享存储器和片上网络进行核间通信的多核处理器的通信带宽使用效率,基于异构通信机制,提出一种改进的任务映射算法。使用分支定界算法缩小搜索空间,通过迭代交换任务的位置提高映射质量。实验结果表明,与NMAP算法相比,该算法对于随机任务图的通信代价平均降低18.3%,对于并行排序应用最高降低30.6%。

关键词：片上网络共享存储器任务映射算法异构通信机制多核处理器

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高性能栅压自举开关的设计

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半导体技术 2017年第9期42卷 663-668页

作者：穆敏宏叶凡陈勇臻复旦大学微电子学院专用集成电路与系统国家重点实验室上海201203

对模数转换器中的传统开关电路的导通电阻进行了详细的理论分析,提出了一种互补型栅压自举开关电路。该电路结构相比于传统开关,通过少量的功耗代价换取了更优的频域性能,在不同工艺角下具有更好的鲁棒性,适用于先进工艺下的低电压工作... 详细信息

对模数转换器中的传统开关电路的导通电阻进行了详细的理论分析,提出了一种互补型栅压自举开关电路。该电路结构相比于传统开关,通过少量的功耗代价换取了更优的频域性能,在不同工艺角下具有更好的鲁棒性,适用于先进工艺下的低电压工作环境。互补型栅压自举开关电路采用28 nm工艺设计,在1 V的电源电压下,对800 f F的负载电容进行速率为800 MS/s的采样,在低频输入下(181.25 MHz)实现的无杂散动态范围(SFDR)为89 d B,四倍奈奎斯特输入频率下(1 556 MHz)实现的SFDR为65 d B,开关电路面积为80μm×20μm。

关键词：模数转换器(ADC) 栅压自举采样开关互补型开关导通电阻沟道电荷注入

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端口故障粒度划分的虚通道动态分配式容错路由器设计

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计算机应用 2017年第6期37卷 1560-1568页

作者：杭彦希徐金甫南龙梅郭朋飞信息工程大学郑州450001 专用集成电路与系统国家重点实验室(复旦大学) 上海201203

高可靠性是高性能片上网络路由器发展的重要方面,针对目前虚通道动态分配式路由器端口易发生故障的问题,提出了一种基于端口故障粒度划分的容错路由器设计。首先,结合虚通道动态分配方式的特殊性以及故障发生特性,建立了一种粒度划分的... 详细信息

高可靠性是高性能片上网络路由器发展的重要方面,针对目前虚通道动态分配式路由器端口易发生故障的问题,提出了一种基于端口故障粒度划分的容错路由器设计。首先,结合虚通道动态分配方式的特殊性以及故障发生特性,建立了一种粒度划分的端口故障与拥塞预测模型;然后在此模型的基础上结合实时故障检测方法设计相关容错电路,增加邻端口共享模块,设计容错读写指针控制逻辑电路;最后依据设计的电路提出容错与拥塞缓解方案。实验结果表明,在各种端口故障模式下,该路由器均能保持较好的容错特性,性能衰减较小,并且具有较好的性能提升与面积开销比。

关键词：片上网络路由器容错端口故障

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基于集成氮化硅微腔的光学传感芯片研究

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计测技术 2018年第1期38卷 9-16页

作者：翟珊顾昌林冯吉军卢红亮上海理工大学光电信息与计算机工程学院上海市现代光学系统重点实验室上海200093 复旦大学微电子学院专用集成电路与系统国家重点实验室上海201203

近年来随着传感器在生物探测领域的应用,提高传感器芯片的灵敏度成为研究的热点。利用氮化硅微腔灵敏度高、成本低、易于集成的优点,设计制造了1550 nm波长下二维、三维结构品质因子分别为1.6×104和4×103的悬空耦合传感器芯片... 详细信息

近年来随着传感器在生物探测领域的应用,提高传感器芯片的灵敏度成为研究的热点。利用氮化硅微腔灵敏度高、成本低、易于集成的优点,设计制造了1550 nm波长下二维、三维结构品质因子分别为1.6×104和4×103的悬空耦合传感器芯片,并详细研究了集成氮化硅微腔光学传感芯片在折射率测量方面的应用。

关键词：集成光子芯片微环谐振腔氮化硅光学传感器悬空结构

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面向密码逻辑阵列的可编程控制网络设计与实现

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电子技术应用 2017年第10期43卷 39-43页

作者：刘露徐金甫李伟杨宇航解放军信息工程大学河南郑州450001 复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室上海201203

为解决粗粒度密码逻辑阵列控制开销大、控制效率低的问题,在研究主流阵列处理架构下三层控制模型的基础上,提出了一种阵列的四层控制模型,并设计了对应的可编程控制网络。在规模为4×4的可编程控制网络上实现了对AES、A5-1等对称算... 详细信息

为解决粗粒度密码逻辑阵列控制开销大、控制效率低的问题,在研究主流阵列处理架构下三层控制模型的基础上,提出了一种阵列的四层控制模型,并设计了对应的可编程控制网络。在规模为4×4的可编程控制网络上实现了对AES、A5-1等对称算法的控制流映射。在65 nm CMOS工艺下,DC综合结果显示总面积为13 712μm^2,折合等效与非门数0.95万,占阵列面积0.37%。映射AES和A5-1控制流最高频率分别为1 389 MHz和1 190 MHz,达到面积小、速度快的应用需求。将四层控制模型与三层控制模型进行六个不同性能对比,前者整体性能远超后者,且能满足任意网络互连结构阵列的高效控制需求。

关键词：粗粒度密码逻辑阵列四层控制模型可编程控制网络高效控制

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77-GHz功率放大器的设计及优化

77-GHz功率放大器的设计及优化

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2017年全国微波毫米波会议

作者：金贵祥闫娜复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室

随着集成电路工艺的进步,基于CMOS工艺集成片上毫米波功率放大器逐渐成为研究热点。本文分析总结了毫米波功率放大器设计的一般过程,并基于SMIC 55nm CMOS工艺设计了一款工作频率为77GHz的功率放大器。在1.2V的工作电压下,其饱和输出功... 详细信息

随着集成电路工艺的进步,基于CMOS工艺集成片上毫米波功率放大器逐渐成为研究热点。本文分析总结了毫米波功率放大器设计的一般过程,并基于SMIC 55nm CMOS工艺设计了一款工作频率为77GHz的功率放大器。在1.2V的工作电压下,其饱和输出功率为15d Bm,峰值功率附加效率为14.1%,1d B压缩点输出功率为11.7d Bm。

关键词：毫米波 77GHz 功率放大器

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动态随机存储器器件研究进展

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中国科学：物理学、力学、天文学 2016年第10期46卷 36-45页

作者：吴俊姚尧卢细裙王鹏飞复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室上海200433

动态随机存储器芯片是集成电路中销售量和销售额最大的单一产品.本文介绍了DRAM存储单元的基本原理并回顾了DRAM的技术发展与关键创新,总结了多种先进技术节点的DRAM芯片制造的关键工艺技术.分析了电容结构、阵列访问晶体管、存储器单... 详细信息

动态随机存储器芯片是集成电路中销售量和销售额最大的单一产品.本文介绍了DRAM存储单元的基本原理并回顾了DRAM的技术发展与关键创新,总结了多种先进技术节点的DRAM芯片制造的关键工艺技术.分析了电容结构、阵列访问晶体管、存储器单元结构等方面的技术演进.介绍了多种基于U形沟道晶体管的DRAM存储单元以及6F2存储单元的制造方法.基于多项关键技术突破,对下一代DRAM芯片的关键器件工艺的技术发展趋势进行了推测.即:(1)阵列选择晶体管持续使用U形晶体管;(2)低k材料会被大规模使用来降低位线寄生电容;(3)提高灵敏放大电路的灵敏度和随温度来动态调整刷新频率来降低对存储电容的要求;(4)更多关注低功耗设计而不是一味地增大存储容量.

关键词：动态随机存储器短沟道效应掩埋字线阵列访问晶体管存储电容

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基于微泡母小波变化的超声造影成像方法

基于微泡母小波变化的超声造影成像方法

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2017中国生物医学工程大会

作者：黄玉蓉余锦华汪源源李书应复旦大学复旦大学上海专用集成电路与系统国家重点实验室

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