检索结果-内蒙古大学图书馆

固体电子学研究与进展 2012年第2期32卷 192-197页

作者：严冰解玉凤袁瑞林殷茵复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室上海201203

介绍了一种用于测试高速增益单元嵌入式动态随机存储器的内建自测试方案。该方案包括了指令集设计和体系结构设计。四级指令流水线的引入使全速测试成为可能。该设计方案可以通过执行不同的测试指令,对待测存储器执行多种类型的测试,从... 详细信息

介绍了一种用于测试高速增益单元嵌入式动态随机存储器的内建自测试方案。该方案包括了指令集设计和体系结构设计。四级指令流水线的引入使全速测试成为可能。该设计方案可以通过执行不同的测试指令,对待测存储器执行多种类型的测试,从而达到较高的故障覆盖率。该内建自测试模块被集成在了一个存储容量为8kb的增益单元嵌入式动态随机存储器芯片中,并在中芯国际0.13μm标准逻辑工艺下进行了流片验证。芯片测试结果表明,该内建自测试方案可以在多种测试模式下对待测存储器执行全速测试,提高了测试速度,降低了对自动测试设备的性能要求,提高了测试的效率。

关键词：内建自测试增益单元嵌入式动态随机存储器

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用于温度日志标签的两级唤醒单元

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固体电子学研究与进展 2012年第3期32卷 304-308页

作者：常学贵陈伟孟德超车文毅闫娜谈熙闵昊复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室上海201203

设计实现了一个独特的两级唤醒单元,该唤醒单元用于基于EPC C1G2空中接口协议的射频识别标签。该标签为半有源标签,在该单元支持下实现温度日志功能。设计经过SMIC0.18μm EE工艺流片验证。测试结果表明标签实现温度日志功能,在1.8V电... 详细信息

设计实现了一个独特的两级唤醒单元,该唤醒单元用于基于EPC C1G2空中接口协议的射频识别标签。该标签为半有源标签,在该单元支持下实现温度日志功能。设计经过SMIC0.18μm EE工艺流片验证。测试结果表明标签实现温度日志功能,在1.8V电源电压下消耗150nA的静态电流,在同类工作中处于优势地位。

关键词：两级唤醒半有源射频识别标签

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一种基于双采样、噪声耦合技术的多标准带通ΔΣ调制器设计(英文)

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复旦学报（自然科学版） 2012年第6期51卷 698-708页

作者：常虹鲁文先程旭郭亚炜曾晓洋复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室

提出一种新型的应用于数字中频接收机的开关电容带通ΔΣ调制器架构,该架构基于前馈结构,利用双采样可调谐谐振器,噪声耦合技术和4比特量化器,使调制器在GSM,WCDMA和TD-SCDMA标准下都能达到高的信噪比和动态范围,3个标准的带宽分别为200... 详细信息

提出一种新型的应用于数字中频接收机的开关电容带通ΔΣ调制器架构,该架构基于前馈结构,利用双采样可调谐谐振器,噪声耦合技术和4比特量化器,使调制器在GSM,WCDMA和TD-SCDMA标准下都能达到高的信噪比和动态范围,3个标准的带宽分别为200kHz,5MHz和1.6MHz.后仿结果显示,在0.13μm工艺下GSM/WCDMA/TD-SCDMA的信号噪声失真比分别为84.73/59.89/65.24dB,动态范围的仿真结果分别为87,72和82dB.电路的采样频率为100MHz,工作电压为1.2V,总功耗为16.1mW.

关键词：多标准带通 delta-sigma调制器双采样噪声耦合

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一种Cu_xSi_yO阻变存储器的温度特性与微观机制分析

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复旦学报（自然科学版） 2012年第1期51卷 71-76页

作者：罗文进胡倍源杨玲明林殷茵复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室上海201203

应用有效控制温度偏置的方法对基于0.13μm CMOS工艺的Ta/TaN/CuxSiyO/Cu结构的1Mbit阻变存储芯片进行开关性能和高低阻态导电性能的测试,介于-40～125℃温度区间的统计结果表明:set成功过程所需加载电场能量随偏置温度升高而升高,rese... 详细信息

应用有效控制温度偏置的方法对基于0.13μm CMOS工艺的Ta/TaN/CuxSiyO/Cu结构的1Mbit阻变存储芯片进行开关性能和高低阻态导电性能的测试,介于-40～125℃温度区间的统计结果表明:set成功过程所需加载电场能量随偏置温度升高而升高,reset成功过程所需加载电场能量随偏置温度升高而降低;高阻态和低阻态随不同偏置温度呈现相似变化趋势——在-40～25℃间阻值均随偏置温度升高而升高,在25～125℃间均随偏置温度升高而呈下降趋势.针对以上现象提出了电学与热学结合的基于filament的微观模型,由铜空位构成的filament局部的反复形成与断裂对应于阻变存储器从高阻态到低阻态的重复转换,分析了电学和热学各自在CuxSiyO系列的阻变存储器开关和导电微观机制中所起作用.

关键词：温度偏置 CuxSiyO 阻变存储器开关导电热学微观模型

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eDRAM高速读写和紧凑式电荷转移刷新方案

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复旦学报（自然科学版） 2012年第1期51卷 33-42页

作者：程宽马亚楠孟超董存霖林殷茵复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室上海201203

提出了一种采用逻辑工艺、访存速度优化、降低刷新功耗的动态随机存储器(DRAM),使其在嵌入式系统的设计与制造中易于与高性能逻辑电路融合.采用读写前置放大的高速读写方案,使DRAM读写速度得到了优化;采用紧凑式电荷转移刷新替代传统刷... 详细信息

提出了一种采用逻辑工艺、访存速度优化、降低刷新功耗的动态随机存储器(DRAM),使其在嵌入式系统的设计与制造中易于与高性能逻辑电路融合.采用读写前置放大的高速读写方案,使DRAM读写速度得到了优化;采用紧凑式电荷转移刷新替代传统刷新方案,在降低了刷新功耗的同时,缩短了DRAM的刷新时间开销,提高了DRAM的数据可访问性.仿真结果表明:与传统方案相比,在3ns时钟周期下,存储器写操作时间为3ns,减少了23%;数据访问时间为1.8ns,减少了15%;在刷新模式下,灵敏放大器功耗降低了58%,同时刷新时间降低了43%.

关键词：动态随机存储器逻辑工艺高速读写紧凑式电荷转移刷新

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一种带有新型曲率补偿的带隙基准电压源设计

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复旦学报（自然科学版） 2012年第6期51卷 692-697页

作者：马亚楠陈刚林殷茵复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室上海201203

设计了一种具有新型曲率补偿的电流模式的带隙基准电压源电路,通过在高温时产生一路正温度系数的电流注入到输出端来补偿VBE的高阶负温度系数项实现曲率补偿,从而得到更低温度系数的输出电压.同时采用一种有效的启动电路保证电路上电后... 详细信息

设计了一种具有新型曲率补偿的电流模式的带隙基准电压源电路,通过在高温时产生一路正温度系数的电流注入到输出端来补偿VBE的高阶负温度系数项实现曲率补偿,从而得到更低温度系数的输出电压.同时采用一种有效的启动电路保证电路上电后可正常启动.该设计基于SMIC 0.13μm CMOS工艺,在1.2V电源电压下,输出基准电压为500mV,在-30～130℃范围内温度系数的版图后仿真可达到3.1×10-6 V/℃,整个电路功耗为180μW.

关键词：带隙基准高阶补偿低温度系数启动电路

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适用于多种无线通信标准的宽带CMOS频率综合器

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复旦学报（自然科学版） 2012年第1期51卷 7-14页

作者：周谨李巍黄德平李宁任俊彦复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室上海201203

采用小数分频锁相环路、正交单边带混频器和除2除法器设计了一款全集成CMOS频率综合器,以满足多种无线通信标准的要求.提出基于双模压控振荡器(DMVCO)的频率综合器架构,一方面能够通过除2除法器覆盖3GHz以下的无线通信频段,另一方面DMVC... 详细信息

采用小数分频锁相环路、正交单边带混频器和除2除法器设计了一款全集成CMOS频率综合器,以满足多种无线通信标准的要求.提出基于双模压控振荡器(DMVCO)的频率综合器架构,一方面能够通过除2除法器覆盖3GHz以下的无线通信频段,另一方面DMVCO自身又替代了额外的多相滤波器来抑制混频器引入的镜像杂散.频率自动校准电路能对压控振荡器的频率进行快速、准确的校准.频率综合器采用TSMC 0.13μmCMOS工艺进行设计.仿真结果表明,在输出频率为900MHz时频偏在0.6MHz处,频率综合器的相位噪声为-122dBc/Hz;在功耗不大于56mW的情况下,频率综合器实现了0.4～6GHz的频率覆盖范围.

关键词：多模无线通信压控振荡器频率自动校准频率综合器

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应用于OFDM-UWB接收机的CMOS信号强度指示器

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复旦学报（自然科学版） 2012年第1期51卷 57-62页

作者：李丹李巍李宁任俊彦复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室上海201203

给出一种应用于超宽带零中频接收机的宽带RSSI电路.改进了传统的全波整流器,解决了增大其带宽与减小静态输出电流的矛盾,使其带宽提高到300MHz的同时消除了输出静态电流.采用0.13μm CMOS工艺,芯片面积为1.27mm2.测试结果表明RSSI工作... 详细信息

给出一种应用于超宽带零中频接收机的宽带RSSI电路.改进了传统的全波整流器,解决了增大其带宽与减小静态输出电流的矛盾,使其带宽提高到300MHz的同时消除了输出静态电流.采用0.13μm CMOS工艺,芯片面积为1.27mm2.测试结果表明RSSI工作带宽为300MHz,在-64～-4dBm输入范围内,检测误差小于±1.5dB,在1.2V电压下消耗电流10.6mA.

关键词：接收信号强度指示器限幅放大器对数放大器 CMOS

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基于通用开关盒的FPGA互连结构低功耗设计

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复旦学报（自然科学版） 2012年第1期51卷 63-70页

作者：邵海波马珂洁王伶俐复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室上海201203

为了降低FPGA互连结构的功耗,针对目前FPGA普遍采用的通用互连结构,提出了快速结构评估框架—FDPAef,建立了功耗延时积的逐级优化步骤.在新型的通用开关盒互连结构(GSB)基础上,使用该评估框架对各种结构参数进行评估和优化,得到一种低... 详细信息

为了降低FPGA互连结构的功耗,针对目前FPGA普遍采用的通用互连结构,提出了快速结构评估框架—FDPAef,建立了功耗延时积的逐级优化步骤.在新型的通用开关盒互连结构(GSB)基础上,使用该评估框架对各种结构参数进行评估和优化,得到一种低功耗的GSB结构.经过MCNC基准电路测试实验表明,相比传统的CB/SB互连结构,优化得到的GSB结构能够使FPGA功耗延时积下降9.9%,面积下降10.7%.

关键词：现场可编程门阵列通用开关盒结构评估框架互连结构功耗延时积

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eDRAM的低功耗自适应动态刷新及写电压调整方案

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复旦学报（自然科学版） 2012年第1期51卷 21-26页

作者：董存霖孟超程宽林殷茵复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室上海201203

由两个PMOS晶体管组成的增益单元构成的eDRAM核心存储单元,与逻辑工艺完全兼容且面积仅为SRAM的40%.在不增加单元面积的前提下对传统增益单元的阈值电压及版图结构进行了改进,获得了平均2～3倍的数据保持时间的提升.引入了监测单元方案... 详细信息

由两个PMOS晶体管组成的增益单元构成的eDRAM核心存储单元,与逻辑工艺完全兼容且面积仅为SRAM的40%.在不增加单元面积的前提下对传统增益单元的阈值电压及版图结构进行了改进,获得了平均2～3倍的数据保持时间的提升.引入了监测单元方案,使得芯片在温度变化和存取操作干扰变化的情况下能自适应地调整刷新频率及写操作电压,节约了25%～30%的刷新功耗.

关键词：嵌入式DRAM 增益单元自适应动态刷新写电压调整低功耗

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