检索结果-内蒙古大学图书馆

计算机工程 2012年第21期38卷 70-73页

作者：曹嘉麟陈绪斌陈赟曾晓洋复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室上海201203

针对正交频分复用系统在高速移动接收中存在快变衰落信道难以估计、子载波间干扰（ICI）过大的问题，提出基于迭代结构的信道估计算法和ICI消除算法。利用信道解码器输出判决信息，通过离散傅里叶变换实现信道估计，并对时变信道进行线... 详细信息

针对正交频分复用系统在高速移动接收中存在快变衰落信道难以估计、子载波间干扰（ICI）过大的问题，提出基于迭代结构的信道估计算法和ICI消除算法。利用信道解码器输出判决信息，通过离散傅里叶变换实现信道估计，并对时变信道进行线性近似，以较低的计算复杂度消除子载波间的干扰。仿真结果表明，该方法可以对抗10％～15％的归一化多普勒频移。

关键词：无线通信正交频分复用信道估计子载波间干扰线性近似

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MIMO-OFDM的FFT/IFFT处理器

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计算机工程 2012年第2期38卷 248-249,252页

作者：李斯梦陈赟曾晓洋复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室上海201203

面向多输入多输出(MIMO)正交频分复用(OFDM)系统,设计一种可配置的FFT/IFFT运算处理器。给出多通路流水线FFT/IFFT处理器架构,通过一个输入数据重排模块,实现来自4条信道的多通路数据同时计算,支持不同数据率的FFT/IFFT运算。性能分析表... 详细信息

面向多输入多输出(MIMO)正交频分复用(OFDM)系统,设计一种可配置的FFT/IFFT运算处理器。给出多通路流水线FFT/IFFT处理器架构,通过一个输入数据重排模块,实现来自4条信道的多通路数据同时计算,支持不同数据率的FFT/IFFT运算。性能分析表明,在SMIC 0.13μm工艺下,该处理器的最高时钟频率可达125 MHz,面积达到1.800×1.500μm2。

关键词：快速傅里叶变换流水线结构多输入多输出正交频分复用

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具有抗差分能量攻击性能的JK触发器设计

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电路与系统学报 2012年第6期17卷 117-123页

作者：郝李鹏汪鹏君张跃军宁波大学电路与系统研究所宁波315211 复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室上海201203

通过对传统触发器结构和旁道攻击密码系统原理的研究,提出一种具有抗差分能量攻击性能的JK触发器设计方案。首先,根据双轨预充逻辑电路交替处于预充阶段与求值阶段的特点,结合触发器的特征方程,推导出具有抗差分能量攻击性能的JK触发器... 详细信息

通过对传统触发器结构和旁道攻击密码系统原理的研究,提出一种具有抗差分能量攻击性能的JK触发器设计方案。首先,根据双轨预充逻辑电路交替处于预充阶段与求值阶段的特点,结合触发器的特征方程,推导出具有抗差分能量攻击性能的JK触发器的状态方程;然后,根据场效应管宽长比对数据传输速率的影响,采用灵敏放大型逻辑,得到相应的触发器电路结构。HSPICE模拟验证表明,所设计电路具有正确的逻辑功能。与传统JK触发器比较,该结构具有显著的抗差分能量攻击性能。

关键词： JK触发器抗差分能量攻击双轨预充逻辑灵敏放大型逻辑

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基于65nm工艺的高性能低功耗处理器设计

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计算机工程 2012年第19期38卷 250-253页

作者：权衡肖瑞瑾欧鹏尤凯迪黄贝虞志益复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室上海201203

研究并设计一款RISC处理器,从架构设计、电路设计、芯片后端设计多个层次保证其高性能、低功耗的特点。在架构设计层面,通过扩展寄存器堆来提升数据交互的局部性并降低对存储器的访问次数。在电路设计层面,利用动态门控时钟技术对乘除... 详细信息

研究并设计一款RISC处理器,从架构设计、电路设计、芯片后端设计多个层次保证其高性能、低功耗的特点。在架构设计层面,通过扩展寄存器堆来提升数据交互的局部性并降低对存储器的访问次数。在电路设计层面,利用动态门控时钟技术对乘除法模块和寄存器堆进行高效的时钟控制。在芯片后端设计层面,分析并比较TSMC 65 nm中GP和LP 2种工艺库,采用多阈值设计流程进一步提高处理器的速度并降低功耗。测试结果表明,与其他平台下的性能结果相比,该处理器可以将RS前向纠错解码算法的吞吐率提高4倍~70倍。

关键词：高性能低功耗处理器扩展寄存器门控时钟 65nm工艺多阈值

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基于MSMV的抗差分能量攻击电路设计及其应用

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电路与系统学报 2012年第5期17卷 98-103页

作者：汪鹏君郝李鹏宁波大学电路与系统研究所宁波315211 复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室上海201203

为有效消除密码器件在执行算法时以能量消耗方式泄漏密码信息,本文通过对灵敏放大型逻辑和差分能量攻击原理的研究,采用多电源和多阈值电压(Muti-Supply Muti-Vth,MSMV)CMOS电路技术设计一种具有低功耗和抗差分能量攻击性能的逻辑电路,... 详细信息

为有效消除密码器件在执行算法时以能量消耗方式泄漏密码信息,本文通过对灵敏放大型逻辑和差分能量攻击原理的研究,采用多电源和多阈值电压(Muti-Supply Muti-Vth,MSMV)CMOS电路技术设计一种具有低功耗和抗差分能量攻击性能的逻辑电路,实现对输出负载低摆幅充放电。依此进一步提出一种新型全加器结构,从而可以以低摆幅的方式对双轨电路进行编码。HSPICE模拟验证表明,所设计的全加器逻辑功能正确,抗差分能量攻击性能明显。与传统基于SABL逻辑的全加器比较,该结构具有显著的低功耗特性。

关键词：抗差分能量攻击多电源和多阈值电压CMOS电路技术灵敏放大型逻辑低功耗设计

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高灵敏度谐振式红外光声气体传感器研究

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传感器与微系统 2012年第10期31卷 57-60页

作者：方兴李嘉纪新明包宗明黄宜平复旦大学专用集成电路及系统国家重点实验室微电子学系上海200433

研究了高灵敏度谐振式红外光声气体传感系统,对系统的谐振频谱进行了测试分析,观察到了新的谐振模式。经过对比,发现选用新的谐振模式具有更高的测试灵敏度和信噪比,新的谐振模式源于两边的缓冲腔体内的谐振。研究了麦克风输出腔体结构... 详细信息

研究了高灵敏度谐振式红外光声气体传感系统,对系统的谐振频谱进行了测试分析,观察到了新的谐振模式。经过对比,发现选用新的谐振模式具有更高的测试灵敏度和信噪比,新的谐振模式源于两边的缓冲腔体内的谐振。研究了麦克风输出腔体结构对信号的影响,发现增加输出腔内麦克风到谐振腔的距离可显著增加光声信号。另外,在激光岀射端口放置反射金属膜也有利于提高光声信号,从而提高系统检测极限。

关键词：光声传感器谐振式频率灵敏度信噪比

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压电能量收集器件基于有限元仿真比较和研究

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微纳电子技术 2012年第4期49卷 248-253页

作者：朱伦朱志炜张卫吴东平复旦大学微电子学系专用集成电路与系统国家重点实验室上海200433

利用压电材料制作的器件采集环境中的振动能量,并转化为电能的微尺度器件正日益受到广泛关注。通过有限元仿真分析,研究了新颖的垂直式纳米线阵列结构(VING)和常见的压电悬臂梁结构的能量收集性能。在更贴近实际情况的低频条件下计算了7... 详细信息

利用压电材料制作的器件采集环境中的振动能量,并转化为电能的微尺度器件正日益受到广泛关注。通过有限元仿真分析,研究了新颖的垂直式纳米线阵列结构(VING)和常见的压电悬臂梁结构的能量收集性能。在更贴近实际情况的低频条件下计算了75 000根纳米线阵列结构和压电悬臂梁结构的输出电压以及单位体积能量输出功率,并指出了其各自的特点。最后得出结论:VING更适于在振动强度较大的环境中工作,而悬臂梁结构则更适于在接近其谐振频率的环境中工作。

关键词：能量收集压电效应有限元分析垂直式纳米线阵列(VING) 悬臂梁谐振频率

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22nm技术节点异质栅MOSFET的特性研究

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半导体技术 2012年第3期37卷 184-187页

作者：杨颖琳胡成朱伦许鹏朱志炜张卫吴东平复旦大学微电子学系专用集成电路与系统国家重点实验室上海200433

研究了22 nm栅长的异质栅MOSFET的特性,利用工艺与器件仿真软件Silvaco,模拟了异质栅MOSFET的阈值电压、亚阈值特性、沟道表面电场及表面势等特性,并与传统的同质栅MOSFET进行比较。分析结果表明,由于异质栅MOSFET的栅极由两种不同功函... 详细信息

研究了22 nm栅长的异质栅MOSFET的特性,利用工艺与器件仿真软件Silvaco,模拟了异质栅MOSFET的阈值电压、亚阈值特性、沟道表面电场及表面势等特性,并与传统的同质栅MOSFET进行比较。分析结果表明,由于异质栅MOSFET的栅极由两种不同功函数的材料组成,因而在两种材料界面附近的表面沟道中增加了一个电场峰值,相应地漏端电场比同质栅MOSFET有所降低,所以在提高沟道载流子输运效率的同时也降低了小尺寸器件的热载流子效应。此外,由于该器件靠近源极的区域对于漏压的变化具有屏蔽作用,从而有效抑制了小尺寸器件的沟道长度调制效应,但是由于其亚阈值特性与同质栅MOSFET相比较差,导致漏致势垒降低效应(DIBL)没有明显改善。

关键词：异质栅金属氧化物半导体场效应晶体管热载流子效应表面电场表面势漏致势垒降低效应

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一种新型高速嵌入式动态随机存储器

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微电子学 2012年第1期42卷 50-53页

作者：臧松干王鹏飞林曦刘昕彦丁士进张卫复旦大学专用集成电路和系统国家重点实验室复旦大学微电子学系上海200433

基于二维器件模拟工具,研究了一种采用栅控二极管作为写操作单元的新型平面无电容动态随机存储器。该器件由一个n型浮栅MOSFET和一个栅控二极管组成。MOSFET的p型掺杂多晶硅浮栅作为栅控二极管的p型掺杂区,同时也是电荷存储单元。写&quo... 详细信息

基于二维器件模拟工具,研究了一种采用栅控二极管作为写操作单元的新型平面无电容动态随机存储器。该器件由一个n型浮栅MOSFET和一个栅控二极管组成。MOSFET的p型掺杂多晶硅浮栅作为栅控二极管的p型掺杂区,同时也是电荷存储单元。写"0"操作通过正向偏置二极管实现,而写"1"操作通过反向偏置二极管,同时在控制栅上加负电压使栅控二极管工作为隧穿场效应晶体管(Tunneling FET)来实现。由于正向偏置二极管和隧穿晶体管开启时接近1μA/μm的电流密度,实现了高速写操作过程,而且该器件的制造工艺与闪烁存储器和逻辑器件的制造兼容,因此适合在片上系统(SOC)中作为嵌入式动态随机存储器使用。

关键词：嵌入式动态随机存储器栅控二极管隧穿场效应晶体管

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一种用于助听器的1-V 110-μW 105.5-dB 20-kHz CT-ΣΔ调制器

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复旦学报（自然科学版） 2012年第1期51卷 50-56页

作者：董一枫杨海峰许俊任俊彦李宁复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室微纳电子科技创新平台上海201203

设计了一种应用于助听器的4阶连续时间单环单比特量化ΣΔ调制器.采用有源RC积分器实现连续时间前馈环路滤波.通过采用2级AB类放大器同时实现了低电压下积分器的低功耗和大电压输出摆幅.提出了用固定延时锁存比较结果的方法,消除了由量... 详细信息

设计了一种应用于助听器的4阶连续时间单环单比特量化ΣΔ调制器.采用有源RC积分器实现连续时间前馈环路滤波.通过采用2级AB类放大器同时实现了低电压下积分器的低功耗和大电压输出摆幅.提出了用固定延时锁存比较结果的方法,消除了由量化器的信号相关延时带来的负面影响.调制器采用中芯国际0.13μm工艺,通过仿真显示,在20kHz信号带宽和128倍过采样率条件下,调制器的信号噪声失真比可以达到105.5dB.在1V电源电压下,调制器功耗仅为110μW.

关键词：连续时间 ΣΔ调制器低压低功耗

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