检索结果-内蒙古大学图书馆

固体电子学研究与进展 2011年第3期31卷 280-285页

作者：王科军严伟李文宏复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室上海201203

采用Chartered 0.35μm CMOS工艺,设计实现了输入电压范围2.7～5.5 V,负载电流高达200 mA的降压式开关电容型DC/DC转换器。为了在整个输入电压和负载电流范围内稳定输出电压,并且提高输出电压精确度,在对开关电容转换器环路建模分析后,... 详细信息

采用Chartered 0.35μm CMOS工艺,设计实现了输入电压范围2.7～5.5 V,负载电流高达200 mA的降压式开关电容型DC/DC转换器。为了在整个输入电压和负载电流范围内稳定输出电压,并且提高输出电压精确度,在对开关电容转换器环路建模分析后,提出了一个新的应用于开关电容DC/DC转换器的频率补偿电路。该补偿电路通过在环路中插入零极点并且将原先的主极点推至高频的方法,确保了系统良好的稳定性以及较高的输出电压精确度。流片测试结果表明:系统在整个负载电流范围内,能够保持稳定。负载调整率为0.002 7%,线性调整率为0.376%。

关键词：开关电容频率补偿直流-直流转换器

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65nm SRAM传统静态指标的测试方案及研究

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固体电子学研究与进展 2011年第6期31卷 613-618页

作者：陈凤娇简文翔董庆袁瑞林殷茵复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室上海201203

65nm及其以下工艺,工艺波动对SRAM性能影响越来越大。SRAM读写噪声容限能够反映SRAM性能的好坏,对于预测SRAM良率有着重要的作用。采用一种新型测试结构测量SRAM读写噪声容限(即SRAM传统静态指标),该测试结构能够测量65nm SRAM在保持、... 详细信息

65nm及其以下工艺,工艺波动对SRAM性能影响越来越大。SRAM读写噪声容限能够反映SRAM性能的好坏,对于预测SRAM良率有着重要的作用。采用一种新型测试结构测量SRAM读写噪声容限(即SRAM传统静态指标),该测试结构能够测量65nm SRAM在保持、读、写三种操作下的指标:Hold SNM,RSNM,N-curve,WNM。为了解决其它测试方法存在的测试工作量大和IR drop(压降)等问题,该测试结构采用四端结构引出SRAM的内部存储结点,通过译码器选中特定的SRAM单元进行测试,解决了端口复用问题。提出的测试结构已在SIMC65nm CMOS标准工艺上流片验证,并测得相应数据。

关键词：工艺波动传统静态指标静态随机存取存储器测试结构四端结构

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应用于GSM/EDGE零中频接收机的CMOS射频前端

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固体电子学研究与进展 2011年第3期31卷 251-256页

作者：熊斯黄煜梅洪志良复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室上海201203

介绍了一个零中频接收机CMOS射频前端,适用于双带(900 MHz/1 800 MHz)GSM/EDGE系统。射频前端由两个独立的低噪声放大器和正交混频器组成,并且为了降低闪烁噪声采用了电流模式无源混频器。该电路采用0.13μm CMOS工艺流片,芯片面积为0.9... 详细信息

介绍了一个零中频接收机CMOS射频前端,适用于双带(900 MHz/1 800 MHz)GSM/EDGE系统。射频前端由两个独立的低噪声放大器和正交混频器组成,并且为了降低闪烁噪声采用了电流模式无源混频器。该电路采用0.13μm CMOS工艺流片,芯片面积为0.9 mm×1.0 mm。芯片测试结果表明:射频前端在900 MHz频带的噪声系数为2.9 dB,输入三阶交调点为-12.8 dBm,在1 800 MHz频带的噪声系数为3.2 dB,输入三阶交调点为-11.9 dBm。工作在1.2 V电源电压时,射频前端在900 MHz频带和1 800 MHz频带消耗的电流分别为16.3 mA和18.3 mA。

关键词：全球移动通讯系统射频前端低噪声放大器混频器

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一种GSM无线发射系统中的低功耗数模转换器

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固体电子学研究与进展 2011年第1期31卷 90-94,101页

作者：惠志达袁宇丹郭亚炜程旭曾晓洋复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室上海201203

针对GSM标准无线发射系统中数模转换器(DAC)的要求,分析了影响其性能和功耗的限制因素,并在SMIC 0.13μm CMOS工艺1.2 V电源电压下设计了一款10位电流驱动型数模转换器(Current-steering DAC)。使用最佳拟合线的算法衡量电流源匹配的随... 详细信息

针对GSM标准无线发射系统中数模转换器(DAC)的要求,分析了影响其性能和功耗的限制因素,并在SMIC 0.13μm CMOS工艺1.2 V电源电压下设计了一款10位电流驱动型数模转换器(Current-steering DAC)。使用最佳拟合线的算法衡量电流源匹配的随机误差对DAC静态非线性的影响,使得DAC的电流源阵列的面积只有0.02 mm2,而DAC的整体面积也只有0.04 mm2。测试结果表明,DAC的积分非线性(INL)和差分非线性(DNL)分别为0.62 LSB和0.68 LSB,GSM标准信号带宽内的无杂散动态范围(SFDR)为72 dB,整体功耗低于1.4 mW。

关键词：无线发射系统低电压低功耗电流驱动型数模转换器

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适用于射频识别标签的64-kbit嵌入式阻变存储器

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固体电子学研究与进展 2011年第4期31卷 398-403页

作者：毕中裕简文翔金钢彭巍闫娜闵昊林殷茵复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室上海201203

设计并实现了一颗适用于射频识别(RFID)标签的低功耗嵌入式64-kbit阻变存储器芯片。提出了新型的带尖峰电流控制功能的高压稳压电路,在提供稳定编程电压的同时降低了芯片电源上的瞬态大电流,改善了存储器电路的可靠性;设计了适用于2T2R(... 详细信息

设计并实现了一颗适用于射频识别(RFID)标签的低功耗嵌入式64-kbit阻变存储器芯片。提出了新型的带尖峰电流控制功能的高压稳压电路,在提供稳定编程电压的同时降低了芯片电源上的瞬态大电流,改善了存储器电路的可靠性;设计了适用于2T2R(2 Transistors and 2 Resistive cells)单元的敏感放大器,实现了低功耗读出。芯片在640 kb/s数据率下的读功耗为2.2μA,在5 kb/s的写数据率下的写功耗为18.5μA。芯片采用SMIC 0.13μm标准CMOS工艺制造,存储器总面积为0.39 mm2。

关键词：阻变存储器低功耗射频识别标签高压稳压环路电容分压

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单比特量化软件接收机中的鲁棒数字鉴相器

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系统工程与电子技术 2011年第1期33卷 173-178页

作者：赵晋张建秋尹建君李阳复旦大学电子工程系上海200433 复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室上海201203

提出一种新的应用于单比特量化软件接收机中的鉴相器——鲁棒数字鉴相器。与已有的数字鉴相器不同,提出的鉴相器是对I、Q两路的载波相位分别进行估计,再进行线性融合,从而提供了比数字鉴相器更好的精度和鲁棒性。分析与仿真结果表明,无... 详细信息

提出一种新的应用于单比特量化软件接收机中的鉴相器——鲁棒数字鉴相器。与已有的数字鉴相器不同,提出的鉴相器是对I、Q两路的载波相位分别进行估计,再进行线性融合,从而提供了比数字鉴相器更好的精度和鲁棒性。分析与仿真结果表明,无论是在高信噪比还是低信噪比环境下,在单比特量化接收机中,提出的鉴相器估计精度均优于传统的反正切鉴相器和数字鉴相器,具有良好的性能和鲁棒性。

关键词：模数转换器鉴相器软件接收机全球导航卫星系统

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Where-What网络增量学习特性探究

Where-What网络增量学习特性探究

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第一届全国神经动力学学术会议

作者：王悦凯吴晓峰翁巨扬复旦大学电子工程系复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室实验室复旦大学计算机科学技术学院美国密歇根州立大学计算机科学与工程系

我们人类能够通过与外界的交流自主学习概念,小孩子能够不断地学习新的任务。这与人类大脑自主发育的特点有着密切的联系。近几年,大量的人工智能方面的研究都着眼于自主发育这一概念。但到目前为止,如何构建自主发育网络仍旧是一个非... 详细信息

我们人类能够通过与外界的交流自主学习概念,小孩子能够不断地学习新的任务。这与人类大脑自主发育的特点有着密切的联系。近几年,大量的人工智能方面的研究都着眼于自主发育这一概念。但到目前为止,如何构建自主发育网络仍旧是一个非常具有挑战性的研究课题。Where-What网络模型(WWN)模拟了人类大脑视觉皮层的工作机制,能够像小孩子一样在复杂背景中寻找并且识别物体。潜在具有自主发育功能。本文主要基于WWN-1到6的工作,并且结合相关实验,探究脑壳封闭网络(WWN-6)的增量学习特性。

关键词：自主发育脑壳封闭增量学习仿大脑视觉皮层 WWN

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2.4 GHz CMOS高线性功率放大器

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固体电子学研究与进展 2011年第3期31卷 240-244页

作者：付健黄煜梅洪志良复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室上海201203

采用A类与B类并联的结构,设计了一种2.4GHz高线性功率放大器。输入信号较小时,A类放大器起主要作用;随着输入信号的增大,B类放大器起的作用越来越明显,来补偿A类的压缩,由此显著提高了放大器的线性度。电路主体为共栅管采用自偏置方法... 详细信息

采用A类与B类并联的结构,设计了一种2.4GHz高线性功率放大器。输入信号较小时,A类放大器起主要作用;随着输入信号的增大,B类放大器起的作用越来越明显,来补偿A类的压缩,由此显著提高了放大器的线性度。电路主体为共栅管采用自偏置方法的共源共栅结构,提升了功放大信号工作时的可靠性。电路采用中芯国际0.13μm CMOS工艺流片验证。除输入输出匹配网络和平衡非平衡转换器Balun外,其余元器件均片内集成。测试结果表明,在3.3 V电源电压下,功率增益为9.6 dB,1 dB压缩点处输出功率大于10.6 dBm,双音测试中单音输出功率为0.3 dBm时,三阶交调分量为-40 dBc。芯片尺寸为1.5 mm×1 mm。

关键词：功率放大器 A/B类自偏置线性度

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一种提高阻变存储器擦除可靠性的写电路设计

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固体电子学研究与进展 2011年第5期31卷 494-498页

作者：吴雨欣李萌林殷茵复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室上海201203

针对现有阻变存储器中严重影响擦除操作可靠性的"写回"现象,结合测试数据、材料特性及电路原理分析了引起这种现象的主要原因,给出了一种加入"擦除反馈"功能的写电路设计方案。该方案能够对擦除操作进行监控,一旦... 详细信息

针对现有阻变存储器中严重影响擦除操作可靠性的"写回"现象,结合测试数据、材料特性及电路原理分析了引起这种现象的主要原因,给出了一种加入"擦除反馈"功能的写电路设计方案。该方案能够对擦除操作进行监控,一旦发现操作完成,立即使用反馈电路关闭写驱动的输出以停止擦除操作,防止"写回"现象。优化后的写电路方案在0.13μm标准CMOS工艺下进行了流片验证。通过测试数据的分析对比,可以看到相比传统的写电路方案,采用文中的电路设计能明显降低"写回失效"的可能,大幅度提高擦除操作的可靠性。

关键词：阻变存储器写入与擦除写驱动电路比较与反馈

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超高频射频识别湿度传感器的分析与测试

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传感技术学报 2011年第1期24卷 24-29页

作者：关硕奚经天王俊宇复旦大学Auto-ID实验室专用集成电路与系统国家重点实验室上海201203

读写器和标签组成的射频识别系统(RFID)可以用于湿度测量。本文通过理论分析,数值仿真以及实验测试给出了可用于湿度传感器的EPC Gen2电子标签的特性。分析结果表明,当湿度变化时,标签天线和标签之间的阻抗匹配系数单调变化的标签才可... 详细信息

读写器和标签组成的射频识别系统(RFID)可以用于湿度测量。本文通过理论分析,数值仿真以及实验测试给出了可用于湿度传感器的EPC Gen2电子标签的特性。分析结果表明,当湿度变化时,标签天线和标签之间的阻抗匹配系数单调变化的标签才可用做湿度传感器。在空气中,标签天线和标签芯片完全匹配的标签可以用于湿度测量。本文还在实验中考虑了纸张在湿度增加或减少时对基于电子标签的湿度传感器测量结果的影响,并且给出了分析结果。

关键词：传感器应用湿度传感器射频识别无线通信

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