检索结果-内蒙古大学图书馆

光学学报 1998年第11期18卷 1508-1512页

作者：李宝军李国正刘恩科王迅复旦大学应用表面物理国家重点实验室西安交通大学微电子工程系

用多模干涉原理分析和设计了光通信波长（１．３０μｍ～１．５５μｍ）的Ｓｉ１－ｘＧｅｘ／Ｓｉ滤波器，并用模的传播分析方法对其传输特性进行了研究。结果发现，在Ｇｅ含量ｘ＝０．０４时，干涉区的脊高和宽度分别为６．３５μｍ和... 详细信息

用多模干涉原理分析和设计了光通信波长（１．３０μｍ～１．５５μｍ）的Ｓｉ１－ｘＧｅｘ／Ｓｉ滤波器，并用模的传播分析方法对其传输特性进行了研究。结果发现，在Ｇｅ含量ｘ＝０．０４时，干涉区的脊高和宽度分别为６．３５μｍ和８μｍ。如果多模干涉区长度ＬＭ＝２３０２．５μｍ，可滤１．３０μｍ而通１．５５μｍ的波长。且具有３１ｄＢ的对比度和０．０１ｄＢ的插入损耗；如果多模干涉区长度ＬＭ＝２５１２．５μｍ，可滤１．５５μｍ而通１．３０μｍ的波长。具有１６ｄＢ的对比度和０．０９ｄＢ的插入损耗。

关键词：滤波器多模干涉 SiGe 光通信系统

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多孔硅材料和光电器件

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半导体光电 1993年第2期14卷 109-114页

作者：俞鸣人侯晓远复旦大学应用表面物理国家重点实验室

介绍了多孔硅的形成方法及其机理。对国内外有关该材料在固体发光方面的研究现状和进展及其在光电器件上的应用作了讨论。

关键词：多孔硅光发射量子约束光电器件

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硅锗量子阱发光器件的探索

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物理 1994年第11期23卷 658-663页

作者：王迅杨宇复旦大学应用表面物理国家重点实验室

介绍了提高硅发光效率的一些途径，在阐述硅锗合金发光的基础上，分析了硅锗量子阱的光致发光机理及特性，并介绍了硅锗量子阱电致发光研究的进展。

关键词：硅锗合金量子阱发光效率光致发光电致发光

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从“布基球”到“布基管”和“布基洋葱”

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物理 1994年第1期23卷 7-12页

作者：谢希德叶令复旦大学应用表面物理国家重点实验室

在回顾Ｃ６０等布基球基本概貌的基础上，介绍了这方面的一些最新进展，讲述了布基管的概念及其和布基球的关系，叙述了布基管的一些有趣的物理性质，它可以是良导体，也可以成为近零能隙或有中等大小能隙的半导体。这些物理性质和它的... 详细信息

在回顾Ｃ６０等布基球基本概貌的基础上，介绍了这方面的一些最新进展，讲述了布基管的概念及其和布基球的关系，叙述了布基管的一些有趣的物理性质，它可以是良导体，也可以成为近零能隙或有中等大小能隙的半导体。这些物理性质和它的结构有密切的关系。最后介绍了以Ｃ６０等布基球为核心的多层类石墨结构的球──布基洋葱。

关键词：布基球布基管富勒烯碳簇合物

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电导法测量Si_(1-x)Ge_x/Si量子阱的能带偏移

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Journal of Semiconductors 1999年第2期20卷 139-142页

作者：张胜坤蒋最敏秦捷林峰胡冬枝裴成文陆方复旦大学表面物理国家重点实验室

本文分析了一个单量子阱的随频率变化的Ｇ－Ｖ特性，提出用电导法测量量子阱的能带偏移．通过对一个Ｓｉ１－ｘＧｅｘ／Ｓｉ单量子阱的实验Ｇ－Ｖ曲线的分析。

关键词：量子阱能带偏移电导法硅锗测量

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Mn掺杂ZnO薄膜的软X射线发射光谱研究

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无机材料学报 2012年第3期27卷 296-300页

作者：金晶张新夷周映雪上海大学材料科学与工程学院上海200072 复旦大学应用表面物理国家重点实验室上海200433

利用先进光源(ALS)8.0.1光束线的软X射线荧光谱仪,对采用分子束外延(MBE)设备在200℃下生长的Zn0.97Mn0.03O和Zn0.67Mn0.33O薄膜样品进行了电子结构的研究.根据共振和非共振Mn L2,3边的X射线发射光谱,计算出Mn L2与Mn L3发射峰相对积分... 详细信息

利用先进光源(ALS)8.0.1光束线的软X射线荧光谱仪,对采用分子束外延(MBE)设备在200℃下生长的Zn0.97Mn0.03O和Zn0.67Mn0.33O薄膜样品进行了电子结构的研究.根据共振和非共振Mn L2,3边的X射线发射光谱,计算出Mn L2与Mn L3发射峰相对积分强度的比值(I(L2)/I(L3)),可知样品的铁磁性与自由d载流子的数目有关.在Zn0.97Mn0.03O中,Mn主要处于替代位置,并表现出较强的Coster-Kronig(C-K)跃迁效应,这说明样品中存在大量的自由d载流子.这些非局域的d载流子的行为类似于巡游电子,与Ruderman-Kittel-Kasuya-Yosid(RKKY)模型下计算得出的间隙Mn提供的4s电子,都可成为铁磁交换作用的媒介.在Zn0.67Mn0.33O中,自由d载流子的数目较少以及MnO团簇的存在是导致铁磁性向反铁磁性转变的主要原因.

关键词： ZnO X射线发射光谱 C-K跃迁自由d载流子

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有机半导体电致发光器件中的焦耳热效应和有机物热分解

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Journal of Semiconductors 2001年第8期22卷 1048-1051页

作者：周美娟钟高余何钧廖良生侯晓远复旦大学应用表面物理国家重点实验室上海200433

采用显微观察的方法证明有机半导体电致发光器件处于工作状态时产生的焦耳热 ,不仅使有机物发生结晶现象 ,还使器件产生气体并向外逸出 ,气体集聚在金属电极 /有机层界面 ,从而形成表面气泡 .质谱、色谱分析表明 ,逸出气体的成分除了大... 详细信息

采用显微观察的方法证明有机半导体电致发光器件处于工作状态时产生的焦耳热 ,不仅使有机物发生结晶现象 ,还使器件产生气体并向外逸出 ,气体集聚在金属电极 /有机层界面 ,从而形成表面气泡 .质谱、色谱分析表明 ,逸出气体的成分除了大量的水汽之外 ,还存在有机杂质气体和有机物分解气体 .在以 8-羟基喹啉铝 (Alq3)为发光层的器件中 ,当受热温度达到 15 0℃时 ,有机分子会发生分解 ,逸出 8-羟基喹啉气体 .紫外光电子能谱分析进一步证实 ,Alq3薄膜的受热温度达到 15 0℃时 ,其电子结构发生明显变化。

关键词：有机半导体焦耳热效应有机物热分解电致发光器件

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锗硅双层量子点的光电流特性

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固体电子学研究与进展 2002年第4期22卷 441-444页

作者：周浩蒋最敏陆昉复旦大学应用表面物理国家重点实验室上海200433

在分子束外延 (MBE)系统上用自组织方式生长了硅基双层锗量子点结构 ,并对样品进行光电流谱的测试。通过调节不同外加偏压来改变量子点中的费米能级位置 ,量子点中载流子所处束缚能级将随之发生变化 ,所得到的光电流谱的峰位也将因此而... 详细信息

在分子束外延 (MBE)系统上用自组织方式生长了硅基双层锗量子点结构 ,并对样品进行光电流谱的测试。通过调节不同外加偏压来改变量子点中的费米能级位置 ,量子点中载流子所处束缚能级将随之发生变化 ,所得到的光电流谱的峰位也将因此而改变。由光电流谱得到的实验结果与常规的光致发光谱的结果相吻合。与单层锗量子点结构相比 ,双层结构的样品在光电特性上有着明显不同 :光电流谱中 ,在 0 .767e V及 0 .869e V处出现了两个峰 ,分别对应于载流子在不同的量子点层中的吸收。

关键词：双层量子点光电流光致发光谱分子束外延

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Si中Ge量子点的光致发光

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Journal of Semiconductors 1997年第12期18卷 939-941页

作者：胡冬枝朱海军蒋最敏黄大鸣张翔九王迅复旦大学应用表面物理国家重点实验室上海200433

生长温度500℃下，在Si（001）衬底上分子束外延自组织生长锗量子点．700℃退火20分钟后观察到其光致发光．原子力显微镜（AFM）和横截面试样透镜（XTEM）方法用于观察鼻子点的大小和密度．利用喇曼光谱观察不同温度退火引起的Ge与Si之... 详细信息

生长温度500℃下，在Si（001）衬底上分子束外延自组织生长锗量子点．700℃退火20分钟后观察到其光致发光．原子力显微镜（AFM）和横截面试样透镜（XTEM）方法用于观察鼻子点的大小和密度．利用喇曼光谱观察不同温度退火引起的Ge与Si之间的互扩散．

关键词：硅锗量子点光致发光

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第21届国际半导体物理会议在北京举行

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固体电子学研究与进展 1992年第4期 383-384页

作者：蒋平复旦大学应用表面物理国家重点实验室上海 200433

1992年8月10日至14日,在北京国贸中心中国大饭店举行了第21届国际半导体物理会议(ICPS-21)。从1950年开始,国际半导体物理会议每两年举行一次,是全世界半导体物理领域最高水平的学术会议。本届会议由我国半导体物理学家谢希德教授担任... 详细信息

1992年8月10日至14日,在北京国贸中心中国大饭店举行了第21届国际半导体物理会议(ICPS-21)。从1950年开始,国际半导体物理会议每两年举行一次,是全世界半导体物理领域最高水平的学术会议。本届会议由我国半导体物理学家谢希德教授担任主席。由于她本人和国内外许多知名科学家几年来的不懈努力,终于使这一国际学术界的盛会得以首次在中国举行。

关键词：会议半导体物理北京扫描隧道显微术电子显微术电工材料

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