检索结果-内蒙古大学图书馆

Journal of Semiconductors 1997年第2期18卷 146-150页

作者：曹先安陈溪滢李喆深丁训民侯晓远复旦大学应用表面物理国家重点实验室上海200433

本文研究了不同条件下S2Cl2对GaAs晶体的腐蚀行为，特别是溶液浓度、温度以及摇动程度等几个重要因素对腐蚀作用的影响．在此基础上提出了S2Cl2处理的较佳条件：对于S2Cl2钝化，应选择低浓度的钝化液（＜20％）在较低的室温下进行，而S2... 详细信息

本文研究了不同条件下S2Cl2对GaAs晶体的腐蚀行为，特别是溶液浓度、温度以及摇动程度等几个重要因素对腐蚀作用的影响．在此基础上提出了S2Cl2处理的较佳条件：对于S2Cl2钝化，应选择低浓度的钝化液（＜20％）在较低的室温下进行，而S2Cl2作为GaAs外延预处理手段则选用较高浓度的溶液在较短时间内完成可以得到较好的效果；对于以上两种情形，溶液温度一般控制在20℃以下．

关键词：砷化镓氯化硫溶液腐蚀速率

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新型GexSi1-x/Si异质结远红外探测器

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Journal of Semiconductors 1993年第4期14卷 260-263页

作者：龚大卫,杨小平,卫星,郑国祥,胡际璜,张翔九,盛篪,王迅,董健民,吴作良,梁平治复旦大学应用表面物理国家重点实验室复旦大学应用表面物理国家重点实验室复旦大学应用表面物理国家重点实验室复旦大学应用表面物理国家重点实验室复旦大学应用表面物理国家重点实验室复旦大学应用表面物理国家重点实验室复旦大学应用表面物理国家重点实验室复旦大学应用表面物理国家重点实验室中国科学院上海技术物理研究所中国科学院上海技术物理研究所中国科学院上海技术物理研究所上海 200433 上海 200433 上海 200433 上海 200433 复旦大学材料科学系上海 200433 上海 200433 上海 200433 上海 200433 上海 200083 上海 200083 上海 200083

用分子束外延技术结合硅平面工艺研制成了GexSi1-x/Si异质结远红外探测器。测试结果表明,界面势垒高度低于0.09eV,预计对应的工作波长可从2μm到12μm以上。50K时的探测率(黑体873k*)优于2×10～8cm·Hz1/2/W,30K为6×10～8... 详细信息

用分子束外延技术结合硅平面工艺研制成了GexSi1-x/Si异质结远红外探测器。测试结果表明,界面势垒高度低于0.09eV,预计对应的工作波长可从2μm到12μm以上。50K时的探测率(黑体873k*)优于2×10～8cm·Hz1/2/W,30K为6×10～8cmHz1/2/W,对500K黑体,30K工作温度下D500k*为1.6×10～8cm·Hz1/2/W。由于探测器为宽带型,虽然峰值D*并不很高,但在30℃的环境辐射背景下,对人体温度的辐射也有较强烈的响应。

关键词：远红外探测器异质结半导体结肖特基势垒探测器 Ge_xSi Si

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不同预淀积层银膜表面等离子激元波的辐射效率

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光学学报 1998年第11期18卷 1556-1561页

作者：邓里文王恭明复旦大学物理系三束材料改性国家重点实验室

测量了棱镜／ＬＢ膜／银膜／空气、棱镜／银膜／银膜／空气、棱镜／银膜／空气三种结构在衰减全反射条件下激发的表面等离子激元波由于银膜－空气界面粗糙度而散射到空气中的辐射效率。同时，由散射光强分布计算出表面粗糙度参数即横向... 详细信息

测量了棱镜／ＬＢ膜／银膜／空气、棱镜／银膜／银膜／空气、棱镜／银膜／空气三种结构在衰减全反射条件下激发的表面等离子激元波由于银膜－空气界面粗糙度而散射到空气中的辐射效率。同时，由散射光强分布计算出表面粗糙度参数即横向相关长度σ和表面波纹深度δ，再由σ和δ计算出理论辐射效率，理论与实验结果相符合。

关键词：等离子激元波辐射效率光波导器件薄膜

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光子选通多重光谱烧孔中的光致填孔机制

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光学学报 1996年第3期16卷 287-292页

作者：潘永乐赵有源尹榆陈凌冰李富铭复旦大学物理系三束材料改性国家重点实验室

报道了给体－受体电子转移型材料ｚｉｎｃ－ｔｅｔｒａｐｈｅｎｙｌｂｅｎｚｏｐｏｒｐｈｒｉｎ＋ｚｉｎｃ－ｔｅｔｒａｐｈｅｙｌｂｅｎ－ｚｏｔｒｉｂｅｎｚｏｐｏｒｐｈｒｉｎ＼ｐｈｙｄｒｏｘｙｂｅｎｚａｌｄｈｙｄｅ＼ｐｏｌｙ（... 详细信息

报道了给体－受体电子转移型材料ｚｉｎｃ－ｔｅｔｒａｐｈｅｎｙｌｂｅｎｚｏｐｏｒｐｈｒｉｎ＋ｚｉｎｃ－ｔｅｔｒａｐｈｅｙｌｂｅｎ－ｚｏｔｒｉｂｅｎｚｏｐｏｒｐｈｒｉｎ＼ｐｈｙｄｒｏｘｙｂｅｎｚａｌｄｈｙｄｅ＼ｐｏｌｙ（ｍｅｔｈｙｌ）ｍｅｔｈａｃｒｙｌａｔｅ的光子选通多重烧孔过程。结果表明要获得高质量的多重光谱孔，从短波往长波的逐次烧孔更为有效。其影响来自与波长有关的光致填孔现象。造成该填孔的主要机制是赝声子边带的作用。

关键词：多重光谱烧孔光致填孔赝声子边带

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嵌入原子法计算金属钚中点缺陷的能量

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物理学报 2010年第7期59卷 4818-4825页

作者：敖冰云汪小琳陈丕恒史鹏胡望宇杨剑瑜表面物理与化学国家重点实验室绵阳621907 湖南大学应用物理系长沙410082

钚因放射性衰变而出现老化效应.钚中点缺陷的性质和行为是理解钚老化效应的一个基础和前提.运用分子动力学模拟技术,计算了金属钚中点缺陷和点缺陷团簇的形成能和结合能.其中钚-钚、钚-氦和氦-氦相互作用势分别采用嵌入原子多体势、Mors... 详细信息

钚因放射性衰变而出现老化效应.钚中点缺陷的性质和行为是理解钚老化效应的一个基础和前提.运用分子动力学模拟技术,计算了金属钚中点缺陷和点缺陷团簇的形成能和结合能.其中钚-钚、钚-氦和氦-氦相互作用势分别采用嵌入原子多体势、Morse对势和Lennard-Jones对势.计算结果表明,单个自间隙原子易以〈100〉哑铃状形态存在;间隙氦原子在理想晶格的八面体间隙位置相对较为稳定;氦原子与空位的结合能较大,在钚的自辐照过程中两者易于结合并形成氦-空位团簇;氦-空位团簇的形成能随氦原子数的增加而增大,当氦与空位的数目相等时,组态较为稳定;晶界核心对氦原子和自间隙原子具有较强的俘获能力,对空位的俘获能力则相对要弱.

关键词：钚点缺陷嵌入原子法辐照损伤

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半花菁LB多层膜的光致各向异性研究

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光学学报 1997年第1期17卷 91-96页

作者：周广朋韩奎徐建华陆兴泽三束材料改性国家重点实验室复旦大学物理系

用光学线性（偏振紫外－可见吸收）和非线性（旋转样品二次谐波）方法研究了Ｙ型半花菁／花生酸交替ＬＢ多层膜的光致光学各向异性。在纳秒紫外偏振脉冲激光照射下，ＬＢ多层膜中半花菁分子发色团长轴向紫外光偏振方向重新取向。

关键词：多层膜各向异性半花菁薄膜光学 LB膜

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非晶Er2O3高k栅介质薄膜的制备及结构特性研究

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无机材料学报 2008年第2期23卷 357-360页

作者：方泽波谭永胜朱燕艳陈圣蒋最敏绍兴文理学院物电系绍兴312000 复旦大学应用表面物理国家重点实验室上海200433

采用高真空反应蒸发法在未加热的p型Si(100)衬底上实现了非晶Er_2O_3高k栅介质薄膜的生长.俄歇电子能谱证实薄膜组分符合化学剂量比.X射线衍射、反射式高能电子衍射和高分辨透射电子显微镜测量表明,不但原位沉积的薄膜是非晶结构,而且... 详细信息

采用高真空反应蒸发法在未加热的p型Si(100)衬底上实现了非晶Er_2O_3高k栅介质薄膜的生长.俄歇电子能谱证实薄膜组分符合化学剂量比.X射线衍射、反射式高能电子衍射和高分辨透射电子显微镜测量表明,不但原位沉积的薄膜是非晶结构,而且高真空700℃退火30min后样品仍保持了良好的非晶稳定性.原子力显微镜检测显示高真空退火有利于改善薄膜的表面形貌.退火后,Er_2O_3薄膜获得了平整的表面.电容一电压测试得到薄膜的有效介电常数为12.6,EOT为1.4nm,在1MV/cm时漏电流密度为8×10^(-4)A/cm^2.这些特征表明非晶Er_2O_3薄膜是一种较好的高k栅介质候选材料.

关键词：高k栅介质 Er2O3薄膜反应蒸发

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受激拉曼散射显微技术用于快速无标记病理成像

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中国激光 2020年第2期47卷 234-247页

作者：张博涵郭莉姚冽邹翔季敏标复旦大学物理学系表面物理国家重点实验室上海200433 复旦大学附属华山医院神经外科上海200433

对病变组织进行快速成像以获取足够的诊断信息,可以帮助医生在术中做出重要决策。受激拉曼散射显微技术是一种新兴的无标记成像技术,利用生物分子自身的光散射性质,在不需要对组织进行任何处理的情况下即可获取类比于传统病理的成像结... 详细信息

对病变组织进行快速成像以获取足够的诊断信息,可以帮助医生在术中做出重要决策。受激拉曼散射显微技术是一种新兴的无标记成像技术,利用生物分子自身的光散射性质,在不需要对组织进行任何处理的情况下即可获取类比于传统病理的成像结果。越来越多的研究表明受激拉曼散射显微技术作为一种"虚拟组织成像"工具,可以迅速区分病变与正常组织。这篇综述主要阐述了受激拉曼散射显微成像的基本原理、发展现状及其在组织成像上的应用。

关键词：生物医学受激拉曼散射生物医学成像组织学无标记诊断

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PPV衍生物的激发态动力学特性研究

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光学学报 2002年第8期22卷 916-920页

作者：马国宏郭立俊杨毅钱士雄何谷峰李永舫复旦大学物理系复旦大学应用表面物理国家重点实验室上海200433 中国科学院化学研究所

利用共振飞秒光学克尔效应研究了C1 0 PPV溶液的非线性光学响应。实验结果表明 ,在共振激发条件下 ,C1 0 PPV的光学克尔效应信号表现为快速上升和随后的弛豫过程 ,其弛豫过程由两部分组成 ,一个 2 0 0fs的快过程和一个 4 0 0 ps的慢... 详细信息

利用共振飞秒光学克尔效应研究了C1 0 PPV溶液的非线性光学响应。实验结果表明 ,在共振激发条件下 ,C1 0 PPV的光学克尔效应信号表现为快速上升和随后的弛豫过程 ,其弛豫过程由两部分组成 ,一个 2 0 0fs的快过程和一个 4 0 0 ps的慢过程。通过比较C1 0 PPV和掺杂C6 0 后的C1 0 PPV荧光光谱 ,4 0 0 ps的慢过程可归属为聚合物链内单重态激子在不同共轭段间的迁移过程。

关键词： PPV衍生物动力学特性共轭聚合物激子激发态激子迁移驰豫特性光学克尔效应非线性光学响应

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生长在Ge_xSi_(1-x)合金衬底(001)面上的应变GaAs层的电子能带结构

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物理学报 1995年第7期44卷 1141-1147页

作者：徐至中复旦大学表面物理国家重点实验室上海200433

采用紧束缚方法计算了GaAs/Ge_xSi_(1-x)(001)的电子能带结构.按GaAs的畸变势常数实验值决定紧束缚参数随键长变化的标度定律指数.计算时同时考虑由应变引起的键长和键角变化对电子能带结构的影响.计算结果表明:当衬底合金组分x<0.3... 详细信息

采用紧束缚方法计算了GaAs/Ge_xSi_(1-x)(001)的电子能带结构.按GaAs的畸变势常数实验值决定紧束缚参数随键长变化的标度定律指数.计算时同时考虑由应变引起的键长和键角变化对电子能带结构的影响.计算结果表明:当衬底合金组分x<0.3时,应变GaAs层将由直接能隙结构转变成间接能隙结构.除L点导带能谷外,其它各导带底能谷的电子电导率有效质量均基本保持不变.为了使应变GaAs层仍保持较好的电学特性,衬底合金组分x最好大于或等于0.5.

关键词：砷化镓电子能带结构锗硅合金衬底

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