检索结果-内蒙古大学图书馆

利用分子束外延设备生长了掺铒ＳｉＯｘ，观察到铒掺入的同时Ｏ的掺入效率也得到提高．铒可以促进氧的掺入的原因是铒与氧在硅衬底表面反应，以络合物形式掺入硅中，从而提高了硅中氧的浓度．测量了铒在ＳｉＯｘ中的光致发光特性，结果表明掺铒的ＳｉＯｘ的发光强度从１８Ｋ到３００Ｋ仅下降了约１／２，这说明Ｅｒ掺在ＳｉＯｘ中是一种降低发光强度的温度淬灭效应的途径，最后讨论了温度淬灭的机制．

关键词：半导体光致发光特性氧化硅掺饵硅基发光

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

T型量子器件的理论研究

引用

复旦学报（自然科学版） 1993年第4期32卷 450-455页

作者：陈宇新徐光照蒋平复旦大学应用表面物理国家重点实验室

对两种T型电子波导器件即遥控栅量子晶体管和中间栅量子晶体管进行了理论研究.通过求解电子波函数分析了器件的输运性质,证明了器件中栅极对电导的调制效应,即器件的晶体管功能.同时,对多模效应的研究表明,多模的相关会减弱器件的干涉效... 详细信息

对两种T型电子波导器件即遥控栅量子晶体管和中间栅量子晶体管进行了理论研究.通过求解电子波函数分析了器件的输运性质,证明了器件中栅极对电导的调制效应,即器件的晶体管功能.同时,对多模效应的研究表明,多模的相关会减弱器件的干涉效应,从而影响器件的功能.

关键词：电子波导量子器件晶体管

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

导纳谱研究锗硅单量子阱的退火效应

引用

Journal of Semiconductors 1998年第1期19卷 66-71页

作者：柯炼林峰张胜坤谌达宇陆昉王迅复旦大学应用表面物理国家重点实验室

利用导纳谱研究了锗硅单量子阱的热稳定性．导纳谱热发射模型的理论模拟和深能级缺陷研究表明：在９００℃以下退火１０分钟，晶格弛豫并不明显，但原子的互扩散引起量子阱中子能级严重降低．同时，我们计算出了原子的互扩散系数，以及... 详细信息

利用导纳谱研究了锗硅单量子阱的热稳定性．导纳谱热发射模型的理论模拟和深能级缺陷研究表明：在９００℃以下退火１０分钟，晶格弛豫并不明显，但原子的互扩散引起量子阱中子能级严重降低．同时，我们计算出了原子的互扩散系数，以及单量子阱Ｓｉ／Ｓｉ０．７５Ｇｅ０．２５／Ｓｉ中原子互扩散的热激活能１．０８ｅＶ．

关键词：锗硅单量子阱退火效应

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

有机薄膜电致发光器件失效过程的动态观测及分析

引用

发光学报 1998年第2期19卷 169-175页

作者：何钧廖良生周翔缪熙月熊祖洪侯晓远复旦大学应用表面物理国家重点实验室

对有机薄膜电致发光器件失效的全过程进行了显微动态观察．发现器件工作时，有机层／金属界面形成的气泡逐渐变大变多，最终导致器件完全失效．气泡中不仅含有水汽，还存在大量有机气体．

关键词：有机薄膜器件失效分析动态观测

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

用高分辨电子能量损失谱和紫外光电子谱研究多孔硅的电子结构

引用

Journal of Semiconductors 1995年第1期16卷 13-18页

作者：郝平海侯晓远丁训民贺仲卿蔡卫中王迅复旦大学应用表面物理国家重点实验室

本文首次使用分辨电子能量损失谱（ＨＲＥＥＬＳ）和紫外光电子能谱（ＵＰＳ）研究新腐蚀的多孔硅样品（ＰＳ）的电子结构．实验结果发现，从ＨＲＥＥＬＳ谱中能量损失阈值测得的多孔硅的能隙最可几值移到２．９ｅＶ左右，与文献报道的... 详细信息

本文首次使用分辨电子能量损失谱（ＨＲＥＥＬＳ）和紫外光电子能谱（ＵＰＳ）研究新腐蚀的多孔硅样品（ＰＳ）的电子结构．实验结果发现，从ＨＲＥＥＬＳ谱中能量损失阈值测得的多孔硅的能隙最可几值移到２．９ｅＶ左右，与文献报道的光激发谱（ＰＬＥ）的结果相近．ＵＰＳ结果发现多孔硅费米能级到价带顶的距离不同于单晶硅，结合ＨＲＥＥＬＳ和ＵＰＳ结果可以初步得出多孔硅与硅界面的能带排列．

关键词：多孔硅电子结构电子能量损失谱紫外光电子谱

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

Zn_(1-x)Mg_xSe外延半导体合金薄膜的红外反射光谱研究

引用

红外与毫米波学报 1997年第6期16卷 406-412页

作者：王东红黄大鸣魏彦锋靳彩霞王杰陈张海陆卫复旦大学物理系和应用表面物理国家重点实验室中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室

用分子束外延方法在ＧａＡｓ（１００）衬底上生长了Ｚｎ１－ｘＭｇｘＳｅ（０≤ｘ≤１）三元半导体合金薄膜．在室温下测量了这些样品的红外反射光谱．采用介电函数的经典色散理论，并且考虑衬底的影响后，计算了样品的红外反射光谱并... 详细信息

用分子束外延方法在ＧａＡｓ（１００）衬底上生长了Ｚｎ１－ｘＭｇｘＳｅ（０≤ｘ≤１）三元半导体合金薄膜．在室温下测量了这些样品的红外反射光谱．采用介电函数的经典色散理论，并且考虑衬底的影响后，计算了样品的红外反射光谱并与测量结果作了比较．我们发现对于ｘ＜０．２，０．２＜ｘ＜０．５和ｘ≥０．５三种不同情形，反射光谱表现出不同的结构．

关键词：外延薄膜红外反射光谱锌锰硒三元半导体

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

富勒烯与β淀粉样肽低聚体结合的分子动力学模拟

引用

物理化学学报 2014年第8期30卷 1587-1596页

作者：周晓颖郗文辉韦广红应用表面物理国家重点实验室计算物质科学教育部重点实验室复旦大学物理系上海200433

本文通过分子动力学模拟研究富勒烯在Aβ42低聚体表面的结合过程.在结合过程中,C60在Aβ表面经历一系列尝试过程,最终找到某个稳定的结合位点.根据结合的残基不同,这些结合位点可以分为六类,其中核心疏水区域(CHC)位点(17LVFFA21)及Turn... 详细信息

本文通过分子动力学模拟研究富勒烯在Aβ42低聚体表面的结合过程.在结合过程中,C60在Aβ表面经历一系列尝试过程,最终找到某个稳定的结合位点.根据结合的残基不同,这些结合位点可以分为六类,其中核心疏水区域(CHC)位点(17LVFFA21)及Turn 27-31位点(27NKGAI31)具有最强的结合稳定性.二者的结合主要通过范德华作用稳定,而溶剂化效应则起相反作用.在这六类位点中的两个位点,观察到C60会对Aβ二级结构起破坏作用.其一位于核心疏水区域,C60有挤入多肽β片层中间的趋势;另外一位点位于N端,C60能够破坏外侧Aβ的3-5号残基的主链氢键,瓦解其末端的β片结构.这两个过程对理解富勒烯抑制Aβ聚集的微观机制提供了帮助.此外,在Turn 27-31位点以及Y10-H14位点,发现了富勒烯与Aβ纤维样聚集体结合的沟槽滚动机制,即富勒烯能够在淀粉样低聚体表面形成的特定沟槽内滚动.这一特征有助于预测富勒烯在其它淀粉样多肽表面的结合位点及结合行为.

关键词：多位点结合结合能二级结构破坏疏水口袋沟槽滚动机制

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

GaN异质外延的离子化氮源方法

引用

物理学报 1994年第7期43卷 1123-1128页

作者：贺仲卿丁训民侯晓远王迅沈孝良复旦大学应用表面物理国家重点实验室和李政道物理学综合实验室复旦大学分析测试中心

用电离Ｎ＿２产生的离子束作为外延生长氮化物的Ｎ源已获得成功，在ＧａＡｓ（１００）衬底上长出了具有立方结晶的ＧａＮ薄膜，其（２００）ｘ射线衍射峰宽仅２３’。并用高分辨率电子能量损失谱测到立方ＧａＮ的表面光学声子出现在损... 详细信息

用电离Ｎ＿２产生的离子束作为外延生长氮化物的Ｎ源已获得成功，在ＧａＡｓ（１００）衬底上长出了具有立方结晶的ＧａＮ薄膜，其（２００）ｘ射线衍射峰宽仅２３’。并用高分辨率电子能量损失谱测到立方ＧａＮ的表面光学声子出现在损失能量为８２ｍｅＶ处．

关键词：氮化镓外延生长离子源离子束

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

亚稳态γ-Mn与GaAs(100)界面的形成:扩散和化学反应

引用

物理学报 1995年第1期44卷 115-121页

作者：张明董国胜徐敏陈艳金晓峰朱兴国复旦大学李政道物理综合实验室和应用表面物理国家重点实验室上海200433 浙江大学基础部

利用低能电子衍射、电子能量损失谱和X射线电子能谱,对亚稳态了γ-Mn在清洁、有序的GaAs(100)表面的淀积过程进行了研究.研究结果表明,淀积初期锰的生长是层状的.在生长过程中界面发生互混井伴随着Mn与衬底间的化学反应.我们用一简单的... 详细信息

利用低能电子衍射、电子能量损失谱和X射线电子能谱,对亚稳态了γ-Mn在清洁、有序的GaAs(100)表面的淀积过程进行了研究.研究结果表明,淀积初期锰的生长是层状的.在生长过程中界面发生互混井伴随着Mn与衬底间的化学反应.我们用一简单的模型对上述过程进行了理论计算,得到的结果与实验基本吻合.这对于进一步理解亚稳态γ-Mn的形成机理具有重要意义.

关键词：亚稳态γ-Mn GaAs(100) 界面扩散化学反应

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

建议与咨询留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

时间限定

文献类型

馆藏选择

核心期刊

语言

文献类型

帮助

文字说明：

检索规则说明：

检索范例：

分类表

所选分类

限定检索结果

文献类型

馆藏范围

日期分布

学科分类号

主题

机构

作者

语言

请选择保存的检索档案：

请选择收藏分类：

通借通还

建议与咨询 留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

时间限定

文献类型

馆藏选择

核心期刊

语言

文献类型

帮助

文字说明：

检索规则说明：

检索范例：

分类表

所选分类

限定检索结果

文献类型

馆藏范围

日期分布

学科分类号

主题

机构

作者

语言

请选择保存的检索档案： 新增检索档案 确定 取消

请选择收藏分类： 新增自定义分类 确定 取消

通借通还

建议与咨询留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

请选择保存的检索档案：

请选择收藏分类：