检索结果-内蒙古大学图书馆

高分子学报 2003年第3期13卷 348-352页

作者：龙德顺陆海云复旦大学物理系理论物理研究中心和应用表面物理国家重点实验室上海200433

在基态非简并 (Non degenerategroundstate ,NDGS)的高分子中 ,非简并的两个态的能量差导致了自陷激子 (Self trappedexciton ,STE)和自陷双激子 (Self trappedbiexciton ,STB) .由于自陷双激子的极化率是负的 ,基态非简并的高分子中能... 详细信息

在基态非简并 (Non degenerategroundstate ,NDGS)的高分子中 ,非简并的两个态的能量差导致了自陷激子 (Self trappedexciton ,STE)和自陷双激子 (Self trappedbiexciton ,STB) .由于自陷双激子的极化率是负的 ,基态非简并的高分子中能产生光致极化反转 (Photoinducedpolarizationreversion ,PPR) .最近 ,合成出具有优良的发光性能的共轭高分子PDPA(双取代聚乙炔 ) ,这是一种具有简并基态的高分子 ,简并态之间没有能量差 ,激发态是孤子反孤子对 (s - s) ,而不是自陷激子和自陷双激子 .本文将证明这种具有简并基态的高分子也能产生负极化和光致极化反转 .

关键词：简并基态高分子极化光激发负极化率激发态光致极化反转

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GaAs(100)面硫钝化的HREELS与XPS研究

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Journal of Semiconductors 1991年第12期12卷 737-742页

作者：朱建红候晓远丁训民金晓峰陈平复旦大学应用表面物理国家重点实验室上海200433

用高分辨电子能量损失谱(HREELS)结合XPS研究了硫钝化的GaAs(100)面.HREELS的结果与XPS一致,证明钝化后GaAs(100)面的自然氧化物被完全除去,样品表面形成了一层主要由As-S键构成的钝化层.钝化样品表面的沾污主要是H_2O与碳氢化合物.在... 详细信息

用高分辨电子能量损失谱(HREELS)结合XPS研究了硫钝化的GaAs(100)面.HREELS的结果与XPS一致,证明钝化后GaAs(100)面的自然氧化物被完全除去,样品表面形成了一层主要由As-S键构成的钝化层.钝化样品表面的沾污主要是H_2O与碳氢化合物.在钝化前增加样品在浓HC1中浸泡的处理,能使沾污物在真空退火后被彻底除去.

关键词： GaAs 硫纯化 HREELS XPS 氧化物

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新构思硅红外探测器

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Journal of Semiconductors 1995年第7期16卷 503-508页

作者：王迅叶令胡际璜复旦大学表面物理国家重点实验室

在Ｓｉ衬底上用ＭＢＥ方法进行ｎ型与ｐ型δ掺杂，将Ｓｉ的能带调制成锯齿型结构，产生Ｓｉ的带间跃迁．控制掺杂浓度与周期，来控制电子（空穴）跃迁的有效能隙，可望制成８－１２μｍ波长的Ｓｉ超晶格带间跃迁型红外探测器．

关键词：红外探测器硅超晶格

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应用同步辐射光源的表面物理研究—现状与展望

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物理学进展 1992年第2期12卷 168-197页

作者：丁训民侯晓远王迅复旦大学应用表面物理国家重点实验室上海200433

本文综述了应用同步辐射光源的几种主要表面物理研究技术。内容包括:同步辐射光电子能谱(SRPES)、表面广延X射线吸收边精细结构(SEXAFS)、光电子衍射(PED)和掠角入射X射线衍射(GIXD)等。对每种技术的原理、应用实例和最新进展都作了较... 详细信息

本文综述了应用同步辐射光源的几种主要表面物理研究技术。内容包括:同步辐射光电子能谱(SRPES)、表面广延X射线吸收边精细结构(SEXAFS)、光电子衍射(PED)和掠角入射X射线衍射(GIXD)等。对每种技术的原理、应用实例和最新进展都作了较详细的介绍。

关键词：表面物理同步辐射 SRPES

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Si(001)上MBE异质生长Ge中表面活化剂Sb的作用的研究

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Journal of Semiconductors 1997年第10期18卷 725-730页

作者：徐阿妹朱海军毛明春蒋最敏卢学坤胡际璜张翔九复旦大学应用表面物理国家重点实验室上海200433

本文利用RHEED、X射线双晶衍射及TEM等技术，研究了在Si（001）衬底上，用晶化了的无定形Ge层做缓冲层MBE生长Ge时，引入表面活化剂Sb所产生的影响．研究表明，Sb的引入将会使Si（001）衬底上无定形Ge膜的晶化温度显著提高，并在一定的... 详细信息

本文利用RHEED、X射线双晶衍射及TEM等技术，研究了在Si（001）衬底上，用晶化了的无定形Ge层做缓冲层MBE生长Ge时，引入表面活化剂Sb所产生的影响．研究表明，Sb的引入将会使Si（001）衬底上无定形Ge膜的晶化温度显著提高，并在一定的生长条件下，破坏Ge外延层的结晶性．

关键词：半导体砷化镓硅 MBE异质生长表面活化剂

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快速傅里叶变换深能级瞬态谱测试系统

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固体电子学研究与进展 1998年第4期18卷 431-436页

作者：张胜坤谌达宇陆昉王迅复旦大学应用表面物理国家重点实验室上海200433

提出了一套快速傅里叶变换深能级瞬态谱（FFT-DLTS）测试系统,分析了该系统的硬件构成和软件流程,并给出了一个实例分析。最后,将FFT-DLTS与常规DLTS作了对比。

关键词：傅里叶系数 FFT-DLTS 测试系统半导体材料

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GaSb(100)的表面再构

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物理学报 1992年第8期41卷 1315-1321页

作者：贺仲卿侯晓远丁训民复旦大学应用表面物理国家重点实验室上海200433

用低能电子衍射(LEED),光电子能谱(XPS和UPS)研究GaSb(100)表面的各种再构:c(2×6),(1×3)和(2×3)。所有这三种再构表面都以有失列的Sb原子结尾。在Sb气氛中退火可使分子束外延(MBE)制备的、表面Sb原子形成二聚物的c(2... 详细信息

用低能电子衍射(LEED),光电子能谱(XPS和UPS)研究GaSb(100)表面的各种再构:c(2×6),(1×3)和(2×3)。所有这三种再构表面都以有失列的Sb原子结尾。在Sb气氛中退火可使分子束外延(MBE)制备的、表面Sb原子形成二聚物的c(2×6)再构和离子轰击加退火(IBA)制备的、表面存在Ga岛的(2×3)再构均变为简单的(1×3)再构。

关键词： GaSb(100) 表面再构 LEED XPS

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硫钝化Ⅲ-Ⅴ族半导体生长高质量薄膜

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固体电子学研究与进展 1998年第2期18卷 170-175页

作者：袁泽亮侯晓远王迅复旦大学应用表面物理国家重点实验室上海200433

表面钝化是Ⅲ-Ⅴ旅半导体工艺的难题之一，硫钝化技术是目前解决这一难题最有效的方法，文中综述了硫钝化技术在钝化Ⅲ-Ⅴ族半导体生长高质量薄膜所取得的成就。

关键词：表面钝化硫钝化 Ⅲ-Ⅴ族半导体半导体薄膜技术

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基于零折射磁性特异电磁介质的波前调控

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物理学报 2015年第3期64卷 284-290页

作者：林海笑俞昕宁刘士阳浙江师范大学光学研究所金华321004 复旦大学表面物理国家重点实验室上海200433

本文基于二维磁性柱周期阵列设计了具有等效零折射率的磁性特异电磁介质.通过多重散射理论计算体系的光子能带和等效介质理论提取体系的等效电磁参量可以确定该磁性特异电磁介质可以实现等效介电常数和等效磁导率同时为零.利用该双零磁... 详细信息

本文基于二维磁性柱周期阵列设计了具有等效零折射率的磁性特异电磁介质.通过多重散射理论计算体系的光子能带和等效介质理论提取体系的等效电磁参量可以确定该磁性特异电磁介质可以实现等效介电常数和等效磁导率同时为零.利用该双零磁性特异电磁介质可以实现电磁波在无相位延迟下的传输,从而可以调控电磁波的空间相位变化.进而,通过设计具有不同电磁波输出界面的构型实现了高斯光束的波前由平面转变成柱面,还可以实现高斯光束的聚焦和高斯光束的分束.也可以根据需要设计具有更为一般的输出界面,实现更为多样的电磁波波前的调控.而且,磁性材料的电磁特性可以通过温度和外加磁场进行调制,因此该双零磁性特异电磁介质的工作频率可以灵活控制,这更便于电磁波器件的设计和应用.

关键词：零折射特异电磁介质 Mie散射理论多重散射理论等效介质理论

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高分辨率电子能量损失谱在半导体表面研究中的应用

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复旦学报（自然科学版） 2001年第3期40卷 261-267页

作者：丁训民复旦大学应用表面物理国家重点实验室上海200433

低能电子与半导体表面的相互作用能激发带间电子跃迁和 (或 )表面振动 ,因而对背散射电子能量分布的高分辨率测量可望给出与这些激发相关的丰富信息 .近年来的实验研究证实 ,进行这样的电子能量损失测量确能从各种不同半导体得到诸如禁... 详细信息

低能电子与半导体表面的相互作用能激发带间电子跃迁和 (或 )表面振动 ,因而对背散射电子能量分布的高分辨率测量可望给出与这些激发相关的丰富信息 .近年来的实验研究证实 ,进行这样的电子能量损失测量确能从各种不同半导体得到诸如禁带宽度、表面电子态的能量、表面光学声子的特性、表面原子的成键方式。

关键词：电子能量损失谱半导体表面光学声子带间跃迁

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