检索结果-内蒙古大学图书馆

物理学报 1995年第9期44卷 1471-1479页

作者：王杰俞根才诸长生王迅复旦大学应用表面物理国家重点实验室上海200433

介绍了宽禁带II-VI族化合物半导体ZnSe,ZnSSe和ZnCdSe外延膜及它们的超晶格的分子束外延生长.用X射线衍射法(XRD)和光致发光(PL)法分别对其结构特性和光学特性进行了研究.尤其是对超晶格样品所进行的温度变化的PL研究,得出了对于ZnSe/Zn... 详细信息

介绍了宽禁带II-VI族化合物半导体ZnSe,ZnSSe和ZnCdSe外延膜及它们的超晶格的分子束外延生长.用X射线衍射法(XRD)和光致发光(PL)法分别对其结构特性和光学特性进行了研究.尤其是对超晶格样品所进行的温度变化的PL研究,得出了对于ZnSe/ZnSSe超晶格,其激子激活能(E_(?))仅为17meV,我们用ZnSe/ZnSSe导带不连续较小来解释这个结果.而对于ZnCdSe/ZnSe超晶格,其E_(?)则为41meV,这说明此类超晶格所形成的量子阱,足以对电子和空穴进行限制.这些结果为我们进一步设计蓝绿半导体激光器结构提供了依据.

关键词：宽禁带化合物半导体半导体超晶格外延生长

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α-P/GaAs(100)界面的光电子能谱研究

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物理学报 1992年第4期41卷 689-696页

作者：卢学坤侯晓远董国胜丁训民复旦大学应用表面物理国家重点实验室上海200433

本文采用X射线光电子能谱、紫外光电子能谱和低能电子衍射对室温下P在GaAs(100)表面上的生长进行了研究。结果表明,在生长初期P是成团吸附的,随着淀积量的增加而生长成αP薄膜,该薄膜的价带结构与等离子体淀积的α-P:H薄膜的价带结构相... 详细信息

本文采用X射线光电子能谱、紫外光电子能谱和低能电子衍射对室温下P在GaAs(100)表面上的生长进行了研究。结果表明,在生长初期P是成团吸附的,随着淀积量的增加而生长成αP薄膜,该薄膜的价带结构与等离子体淀积的α-P:H薄膜的价带结构相似。在界面处有约一单层的P与衬底表面的Ga成键。α-P覆盖层使GaAs表面势垒下降约0.2eV。

关键词：砷化镓半导体界面光电子能谱磷

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P与GaAs(100)表面相互作用的温度效应

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物理学报 1992年第10期41卷 1728-1736页

作者：卢学坤郝平海贺仲卿侯晓远丁训民复旦大学应用表面物理国家重点实验室上海200433

本文采用原位X射线光电子能谱、紫外光电子能谱、高分辨率电子能量损失谱和低能电子衍射技术,研究了温度对P与GaAs(100)表面相互作用的影响。结果表明,经退火后,室温下淀积于GaAs表面的非晶P大部分脱附,仅剩下少量无规分布于表面的P集... 详细信息

本文采用原位X射线光电子能谱、紫外光电子能谱、高分辨率电子能量损失谱和低能电子衍射技术,研究了温度对P与GaAs(100)表面相互作用的影响。结果表明,经退火后,室温下淀积于GaAs表面的非晶P大部分脱附,仅剩下少量无规分布于表面的P集团。集团中部分P与衬底Ga原子成键,另一部分P则以单质形式存在,继续提高温度退火,将使P集团中的P全部与衬底发生反应生成GaAsP薄层。在高温GaAs衬底上淀积P,将得到GaAsP固溶体薄层。这一薄层有望成为GaAs表面理想的钝化膜。

关键词：表面磷砷化镓相互作用温度相关

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NaCl微晶粒大气中扫描隧道显微术成像研究

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物理学报 1993年第8期42卷 1266-1271页

作者：蔡群吴磊朱昂如王迅复旦大学应用表面物理国家重点实验室上海200433

研究了NaCl晶粒在室温下大气环境中扫描隧道显微术(STM)成像性质。对不同形态大小的NaCl晶粒所作的研究表明:离子导电在隧道过程中起着关键作用。由于离子导电机理和强电场的作用,造成STM图像存在“牵引现象”,使针尖分辨能力降低。样... 详细信息

研究了NaCl晶粒在室温下大气环境中扫描隧道显微术(STM)成像性质。对不同形态大小的NaCl晶粒所作的研究表明:离子导电在隧道过程中起着关键作用。由于离子导电机理和强电场的作用,造成STM图像存在“牵引现象”,使针尖分辨能力降低。样品与针尖之间的偏压、环境湿度对隧道状态有较大的影响。

关键词：氯化钠 STM 成象

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Si(100)表面电子态的总电流谱研究

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物理学报 1992年第6期41卷 992-998页

作者：王向东胡际璜葛毓青戴道宣复旦大学应用表面物理国家重点实验室上海200433

用自制的总电流谱仪研究了Si(100)2×1清洁表面以及H原子饱和吸附后的Si(100)1×1-2H双氢化相表面的电子态。在清洁表面上测得的空电子态位于价带顶以上0.7eV处,而占有电子态则在价带顶以下0.25,8.4和近12eV处。在双氢化相表面... 详细信息

用自制的总电流谱仪研究了Si(100)2×1清洁表面以及H原子饱和吸附后的Si(100)1×1-2H双氢化相表面的电子态。在清洁表面上测得的空电子态位于价带顶以上0.7eV处,而占有电子态则在价带顶以下0.25,8.4和近12eV处。在双氢化相表面上还观测到处于价带顶以下两个诱导表面态。

关键词：硅表面电子态总电流谱

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自旋极化扫描隧道显微术

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物理学进展 2002年第3期22卷 265-271页

作者：何睿华董国胜金晓峰复旦大学应用表面物理国家重点实验室上海200433

介绍一种新近发展起来的用于磁性表面磁成像技术———自旋极化扫描隧道显微术。该技术结合了扫描隧道显微术的原子分辨和其他磁成像技术中的自旋灵敏的特点 ,成为人们深入开展纳米磁性领域研究的强有力工具。

关键词：自旋极化扫描隧道显微磁成像纳米磁性原子分辨

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ZnSe薄膜的激子光谱

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Journal of Semiconductors 2000年第12期21卷 1177-1182页

作者：盛传祥王兴军俞根才黄大鸣复旦大学应用表面物理国家重点实验室上海200433

采用分子束外延 (MBE)技术 ,在 Ga As(1 0 0 )衬底上生长了厚度从 0 .0 4 5到 1 .4μm的 Zn Se薄膜 .X射线衍射谱证实 ,随着薄膜厚度的增加 ,应变逐步弛豫 .测量了低温下样品的反射谱和光致发光谱 ,观察到轻重空穴的能级在不同应变下的... 详细信息

采用分子束外延 (MBE)技术 ,在 Ga As(1 0 0 )衬底上生长了厚度从 0 .0 4 5到 1 .4μm的 Zn Se薄膜 .X射线衍射谱证实 ,随着薄膜厚度的增加 ,应变逐步弛豫 .测量了低温下样品的反射谱和光致发光谱 ,观察到轻重空穴的能级在不同应变下的分裂、移动和反转 ,以及激子极化激元 (Po-lariton)对反射谱的影响 .也观察到束缚激子发光随着薄膜厚度的变化规律 :束缚在中性受主杂质上的束缚激子发光 (I1峰 )随着薄膜厚度的增加逐渐变弱直至消失 ,而束缚在中性施主杂质上的束缚激子发光 (I2 峰 )则随着厚度增加逐渐增强 .

关键词： ZnSe 光致发光砷化镓激子光谱

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高分辨率FFT-DLTS测试系统

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复旦学报（自然科学版） 2001年第3期40卷 255-260,267页

作者：刘天宇陆昉复旦大学应用表面物理国家重点实验室上海200433

相对于传统深能级瞬态谱 (DLTS)方法 ,快速傅立叶变换深能级瞬态谱 (FFT DLTS)方法具有灵敏度高 ,分辨率高等特点 ,但是由于用FFT DLTS方法在处理多能级DLTS系统时存在着系统误差从而限制了该方法的应用 .论证了该误差产生的原因并提出... 详细信息

相对于传统深能级瞬态谱 (DLTS)方法 ,快速傅立叶变换深能级瞬态谱 (FFT DLTS)方法具有灵敏度高 ,分辨率高等特点 ,但是由于用FFT DLTS方法在处理多能级DLTS系统时存在着系统误差从而限制了该方法的应用 .论证了该误差产生的原因并提出用迭代法来解多能级的傅立叶系数谱的方法 ;有效地解决了传统FFT DLTS方法所存在的问题 ;

关键词：深能级瞬态谱快速傅立叶变换分辨率半导体材料

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电子波导间一维到一维隧穿的理论研究(英文)

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复旦学报（自然科学版） 1999年第3期38卷 300-306页

作者：叶美盈张波蒋平复旦大学应用表面物理国家重点实验室上海 200433

研究了耦和电子波导间的电子隧穿．结果表明隧穿电导随波导宽度振荡，与已发表的实验结果相符．文中详细分析了电子的输运性质，并对量子力学计算与半经典的观点作了比较；

关键词：电子波导隧穿谱电子输运电子隧穿隧穿电导量子力学计算

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InSb(111)表面硫处理的研究

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物理学报 1992年第6期41卷 1036-1043页

作者：董国胜陆春明李喆深王迅复旦大学应用表面物理国家重点实验室上海200433

本文用俄歇电子能谱、X射线光电子能谱和紫外光电子能谱对用硫化铵溶液处理的InSb表面进行研究。结果表明,硫处理以后在样品表面生成。一层厚度约8A的硫化物钝化层,它对防止表面的氧化和碳沾污有明显的钝化作用。钝化层中,破原子既与锑... 详细信息

本文用俄歇电子能谱、X射线光电子能谱和紫外光电子能谱对用硫化铵溶液处理的InSb表面进行研究。结果表明,硫处理以后在样品表面生成。一层厚度约8A的硫化物钝化层,它对防止表面的氧化和碳沾污有明显的钝化作用。钝化层中,破原子既与锑原子成键,引起Sb3d芯能级发生1.9eV的化学位移;又与铟原子成键,引起In4d芯能级发生0.6—0.7eV的化学位移。350℃的真空退火使锑的硫化物发生分解。500℃退火没能使铟的硫化物完全分解,仍有一部分硫原子以铟的硫化物形式留在样品表面。

关键词：表面硫处理钝化层锑化甸

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