检索结果-内蒙古大学图书馆

核技术 2003年第1期26卷 9-12页

作者：周映雪史向华俞根才张新夷阎文胜韦世强谢亚宁复旦大学物理系应用表面物理国家重点实验室上海200433 长沙电力学院物理系长沙410077 复旦大学同步辐射研究中心上海200433 中国科学技术大学国家同步辐射实验室合肥230029 中国科学院高能物理研究所同步辐射室北京100039

用分子束外延 (MBE)和氧气氛方法 ,并改变束源炉和衬底生长温度 ,在Si(10 0 )衬底上 ,采用Zn作缓冲层以解决ZnO层与衬底间的晶格失配问题 ,生长得到ZnO薄膜。在ZnO Zn Si(10 0 )薄膜样品的X射线衍射 (XRD)谱中 ,观测到ZnO的 (10 0 )、(0... 详细信息

用分子束外延 (MBE)和氧气氛方法 ,并改变束源炉和衬底生长温度 ,在Si(10 0 )衬底上 ,采用Zn作缓冲层以解决ZnO层与衬底间的晶格失配问题 ,生长得到ZnO薄膜。在ZnO Zn Si(10 0 )薄膜样品的X射线衍射 (XRD)谱中 ,观测到ZnO的 (10 0 )、(0 0 2 )、(10 1)、(10 2 )和 (10 3)等衍射峰 ;用原子力显微镜 (AFM)观测ZnO薄膜的表面形貌 ,为直径约 80— 90nm的量子点 ,表明已得到具有纳米结构的ZnO薄膜。用同步辐射EXAFS技术研究了ZnO薄膜的局域结构。

关键词：分子束外延 ZnO薄膜性能扩展X射线吸收精细结构 X射线衍射氧化锌半导体材料同步辐射

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分子束外延ZnSe/GaAs材料的拉曼散射研究

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光学学报 2003年第5期23卷 619-621页

作者：史向华王兴军俞根才侯晓远长沙电力学院物理系长沙410077 复旦大学应用表面物理国家重点实验室上海200433

用分子束外延 (MBE)技术 ,在GaAa( 10 0 )衬底上生长了厚度从 0 .0 45 μm到 1.4μm的ZnSe薄膜。通过室温拉曼光谱的测量对ZnSe薄膜纵光学声子 (Longitudinal opticalphonon)的谱形进行了分析。用拉曼散射的空间相关模型定量分析了一级... 详细信息

用分子束外延 (MBE)技术 ,在GaAa( 10 0 )衬底上生长了厚度从 0 .0 45 μm到 1.4μm的ZnSe薄膜。通过室温拉曼光谱的测量对ZnSe薄膜纵光学声子 (Longitudinal opticalphonon)的谱形进行了分析。用拉曼散射的空间相关模型定量分析了一级拉曼散射的空间相关长度与晶体质量之间的关系 ,结果表明ZnSe外延层的晶体质量随着外延层厚度的减薄是渐渐退化的 ,这是由于界面失配位错引入外延层所致 ,理论分析与实验结果相吻合。

关键词：分子束外延光学材料砷化镓硒化锌拉曼光谱相干长度薄膜生长化合物半导体

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分子束外延ZnSe/ZnS_xSe_(1-x)超晶格光学特性

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Journal of Semiconductors 2003年第4期24卷 377-380页

作者：史向华王兴军俞根才侯晓远长沙电力学院物理系长沙410077 复旦大学应用表面物理国家重点实验室上海200433

用分子束外延方法在 Ga As(10 0 )衬底上生长了高质量的 Zn Se/ Zn Sx Se1 - x(x=0 .12 )超晶格结构 ,通过 X射线衍射谱和光致发光谱 ,对其结构特性和光学特性进行了研究 .结果表明 :在 4 .4 K温度下 ,超晶格样品显示较强的蓝光发射 ,... 详细信息

用分子束外延方法在 Ga As(10 0 )衬底上生长了高质量的 Zn Se/ Zn Sx Se1 - x(x=0 .12 )超晶格结构 ,通过 X射线衍射谱和光致发光谱 ,对其结构特性和光学特性进行了研究 .结果表明 :在 4 .4 K温度下 ,超晶格样品显示较强的蓝光发射 ,主发光峰对应于阱层 Zn Se的基态电子到重空穴基态的自由激子跃迁 ,而且其峰位相对于 Zn Se薄膜的自由激子峰有明显蓝移 .从理论上分析计算了由应变和量子限制效应引起的自由激子峰位移动。

关键词：分子束外延 Zndse/ZnsxSe1-x 超晶格光学特性 X射线衍射谱光致发光性质硒化锌锌硫硒混合物

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Co-Ni/FeMn双层膜中磁化强度对交换偏置的影响

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物理学报 2002年第4期51卷 917-921页

作者：周仕明李合印宋金涛复旦大学应用表面国家重点实验室和复旦大学物理系上海200433 复旦大学光科学与工程系上海200433 复旦大学理科图书馆上海200433

固定Co Ni FeMn双层膜中反铁磁层的厚度 ,改变Co Ni铁磁层的成分来调节磁化强度 ,从而研究铁磁层的饱和磁化强度对Co Ni FeMn双层膜中交换偏置的影响 .研究表明 ,Co Ni FeMn界面的交换耦合能U不是一个常量 ,而是随 (MFM) 1 2 的增加而... 详细信息

固定Co Ni FeMn双层膜中反铁磁层的厚度 ,改变Co Ni铁磁层的成分来调节磁化强度 ,从而研究铁磁层的饱和磁化强度对Co Ni FeMn双层膜中交换偏置的影响 .研究表明 ,Co Ni FeMn界面的交换耦合能U不是一个常量 ,而是随 (MFM) 1 2 的增加而线性增加 .其原因是铁磁层磁矩通过界面相互作用在反铁磁层中形成的局域交换磁场。

关键词：交换偏置磁化强度 Co-Ni/FeMn双层膜铁磁层

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PPV衍生物的激发态动力学特性研究

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光学学报 2002年第8期22卷 916-920页

作者：马国宏郭立俊杨毅钱士雄何谷峰李永舫复旦大学物理系复旦大学应用表面物理国家重点实验室上海200433 中国科学院化学研究所

利用共振飞秒光学克尔效应研究了C1 0 PPV溶液的非线性光学响应。实验结果表明 ,在共振激发条件下 ,C1 0 PPV的光学克尔效应信号表现为快速上升和随后的弛豫过程 ,其弛豫过程由两部分组成 ,一个 2 0 0fs的快过程和一个 4 0 0 ps的慢... 详细信息

利用共振飞秒光学克尔效应研究了C1 0 PPV溶液的非线性光学响应。实验结果表明 ,在共振激发条件下 ,C1 0 PPV的光学克尔效应信号表现为快速上升和随后的弛豫过程 ,其弛豫过程由两部分组成 ,一个 2 0 0fs的快过程和一个 4 0 0 ps的慢过程。通过比较C1 0 PPV和掺杂C6 0 后的C1 0 PPV荧光光谱 ,4 0 0 ps的慢过程可归属为聚合物链内单重态激子在不同共轭段间的迁移过程。

关键词： PPV衍生物动力学特性共轭聚合物激子激发态激子迁移驰豫特性光学克尔效应非线性光学响应

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5-氨乙酰丙酸与氨乙酰丙酸己酯对肝癌细胞的光动力作用比较(英文)

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Acta Biochimica et Biophysica Sinica 2002年第5期34卷 650-654页

作者：任庆广吴淑敏彭迁陈暨耀复旦大学物理系应用表面物理国家重点实验室复旦大学物理系上海200433 复旦大学物理系分析测试中心 0310Oslo Montebello 奥斯陆大学肿瘤研究所病解系

5 氨乙酰丙酸 (ALA)可在肿瘤内诱导原卟啉区 (PpIX)光敏剂形成 ,但其亲脂性极差 ,进入细胞的能力有限。脂化的ALA衍生物能增强其进入细胞的能力 ,增进细胞中PpIX的合成。比较了氨乙酰丙酸己酯 (He ALA)与ALA对肝癌细胞中PpIX的生成及光... 详细信息

5 氨乙酰丙酸 (ALA)可在肿瘤内诱导原卟啉区 (PpIX)光敏剂形成 ,但其亲脂性极差 ,进入细胞的能力有限。脂化的ALA衍生物能增强其进入细胞的能力 ,增进细胞中PpIX的合成。比较了氨乙酰丙酸己酯 (He ALA)与ALA对肝癌细胞中PpIX的生成及光动力损伤作用。细胞的荧光显微图象显示 ,经He ALA培育后 ,细胞中生成了PpIX。PpIX分布在细胞质中 ;细胞的荧光光谱显示出PpIX的特征荧光峰 ,证实细胞中PpIX的生成。实验发现 ,0 .2mmol/L的He ALA药物浓度与 2mmol/LALA的药物浓度在细胞中生成的PpIX含量相当 ;予以相同剂量的光照射后 ,两者对细胞的光敏损伤程度相近 ,反映He ALA对癌细胞有更高的光动力损伤功效。因此在光动力治疗的应用中 ,He ALA是一种极有开发前景的新药物

关键词： 5氨乙酰丙酸原卟啉区光敏化

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聚合物中产生双激子的新通道

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物理学报 2002年第1期51卷 134-137页

作者：张锡娟李广起孙鑫扬州大学理学院物理系复旦大学理论物理研究中心和表面物理国家重点实验室

由于聚合物中的双激子能产生新奇的光致极化反转现象 ,如何在聚合物中产生双激子变成为一个重要的研究课题 .在现在已知的产生双激子的通道以外 ,提出了一条新的通道 :双电子激发 ,并用动力学方法研究了此通道产生双激子的弛豫过程 (包... 详细信息

由于聚合物中的双激子能产生新奇的光致极化反转现象 ,如何在聚合物中产生双激子变成为一个重要的研究课题 .在现在已知的产生双激子的通道以外 ,提出了一条新的通道 :双电子激发 ,并用动力学方法研究了此通道产生双激子的弛豫过程 (包括键结构畸变和电子态的方面 ) ,确定了双激子形成和极化反转所需要的时间 .

关键词：聚合物双激子通道光致极化反转晶格动力学光激发

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利用椭圆偏振光谱法研究硅片上DNA分子杂交

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复旦学报（自然科学版） 2002年第2期41卷 192-195页

作者：符维娟李晶冀敏周鲁卫周仕明复旦大学应用表面物理国家重点实验室物理系上海200433

将单晶硅片硅烷化后 ,用戊二醛做醛基修饰 ,将 5′端氨基修饰寡核苷酸探针片段通过醛氨共价键结合在硅片上 ,然后用椭圆偏振光谱法对探针和不同序列样品的杂交反应进行了研究 .结果表明该方法能在不对样品进行荧光标记的情况下直接研... 详细信息

将单晶硅片硅烷化后 ,用戊二醛做醛基修饰 ,将 5′端氨基修饰寡核苷酸探针片段通过醛氨共价键结合在硅片上 ,然后用椭圆偏振光谱法对探针和不同序列样品的杂交反应进行了研究 .结果表明该方法能在不对样品进行荧光标记的情况下直接研究杂交反应的效率 ,从而得知样品的序列信息 .

关键词：硅片 DNA分子椭圆偏振光谱寡核苷酸探针样品杂交

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量子点的形成对Si/Ge界面互扩散的影响

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Journal of Semiconductors 2002年第7期23卷 731-734页

作者：周星飞施斌胡冬枝樊永良龚大卫蒋最敏宁波大学物理系宁波315211 复旦大学应用表面物理国家重点实验室上海200433

在Si(10 0 )衬底上低温生长了一层完全应变的Ge层 ,高温退火形成量子点 .我们用喇曼光谱研究了量子点形成时Si/Ge界面的互扩散现象 ,实验表明量子点的形成伴随着Si/Ge原子之间的互扩散 ,通常在Si衬底上形成的是SiGe合金量子点 ,而不是... 详细信息

在Si(10 0 )衬底上低温生长了一层完全应变的Ge层 ,高温退火形成量子点 .我们用喇曼光谱研究了量子点形成时Si/Ge界面的互扩散现象 ,实验表明量子点的形成伴随着Si/Ge原子之间的互扩散 ,通常在Si衬底上形成的是SiGe合金量子点 ,而不是纯Ge量子点 .

关键词：量子点 Si/Ge界面互扩散分子束外延硅衬底喇曼光谱

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一种新的半导体材料和器件结构:COS

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物理 2002年第11期31卷 702-707页

作者：阎志军王迅兰州大学物理系兰州730000 复旦大学应用表面物理国家重点实验室上海200433

国际半导体技术发展进程表预期器件的特征尺寸不久将减小到 0 1μm以下 ,SiO2 作为MOS器件栅介质遇到不可克服的困难 .人们在寻找新的栅介质材料时 ,提出了一种新的结构 ,称为半导体上的晶态氧化物 (COS) .最近 ,COS被用作Si衬底上生长... 详细信息

国际半导体技术发展进程表预期器件的特征尺寸不久将减小到 0 1μm以下 ,SiO2 作为MOS器件栅介质遇到不可克服的困难 .人们在寻找新的栅介质材料时 ,提出了一种新的结构 ,称为半导体上的晶态氧化物 (COS) .最近 ,COS被用作Si衬底上生长GaAs的过渡层 ,成为半导体材料和器件发展中一项新的突破 .

关键词：半导体材料器件结构 COS 晶态氧化物 MOS晶体管硅基集成半导体器件

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