检索结果-内蒙古大学图书馆

光学学报 1998年第12期18卷 1681-1685页

作者：吴迎娟潘永乐陈凌冰赵有源沈元华李富铭沈淑引黄德音复旦大学物理系三束材料改性国家重点实验室中国科学院北京感光化学研究所上海交通大学应用化学系

报道了Ａｌ／ＶＯＰｃ／ＩＴＯ夹心结构在稳态连续光照射下的光电压作用谱。稳态光电压作用谱不仅依赖于照射光的波长，而且依赖于ＶＯＰｃ（钒氧酞菁）多晶薄膜的堆积方式。对ＶＯＰｃ在相Ｉ、相Ｉ、及α型三种堆积方式下的稳态光电压... 详细信息

报道了Ａｌ／ＶＯＰｃ／ＩＴＯ夹心结构在稳态连续光照射下的光电压作用谱。稳态光电压作用谱不仅依赖于照射光的波长，而且依赖于ＶＯＰｃ（钒氧酞菁）多晶薄膜的堆积方式。对ＶＯＰｃ在相Ｉ、相Ｉ、及α型三种堆积方式下的稳态光电压波长响应进行了研究，并对其内在机制作了初步探讨。

关键词：钒氧酞菁多晶薄膜稳态光电压波长响应

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近周期超晶格中的声学声子及其光散射特性

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物理学报 1997年第9期46卷 1863-1872页

作者：刘晓晗黄大鸣王兴军张春红朱海军蒋最敏王迅复旦大学物理系应用表面物理国家重点实验室

利用转移矩阵方法计算了近周期超晶格体系（包括有限周期数的超晶格、耦合超晶格、层厚起伏和层厚渐变的超晶格）中声学声子的喇曼散射谱．结果表明上述近周期超晶格的光散射特性与理想严格周期的体系和完全无序的体系都不相同，呈现出... 详细信息

利用转移矩阵方法计算了近周期超晶格体系（包括有限周期数的超晶格、耦合超晶格、层厚起伏和层厚渐变的超晶格）中声学声子的喇曼散射谱．结果表明上述近周期超晶格的光散射特性与理想严格周期的体系和完全无序的体系都不相同，呈现出许多独特的性质．对有限周期数的超晶格，由于边界的存在，喇曼谱中除了理想超晶格中存在的折叠声学声子峰（主峰）外，还会出现一系列等间距分布的卫星峰．对耦合超晶格体系，理想超晶格中存在的主峰将出现分裂．对层厚起伏变化的超晶格，主峰呈现非对称展宽，展宽主要出现在高波数端．计算结果和实验测得的谱线作了比较，特征是一致的．利用转移矩阵方法计算了近周期超晶格体系（包括有限周期数的超晶格、耦合超晶格、层厚起伏和层厚渐变的超晶格）中声学声子的喇曼散射谱．结果表明上述近周期超晶格的光散射特性与理想严格周期的体系和完全无序的体系都不相同，呈现出许多独特的性质．对有限周期数的超晶格，由于边界的存在，喇曼谱中除了理想超晶格中存在的折叠声学声子峰（主峰）外，还会出现一系列等间距分布的卫星峰．对耦合超晶格体系，理想超晶格中存在的主峰将出现分裂．对层厚起伏变化的超晶格，主峰呈现非对称展宽，展宽主要出现在高波数端．计算结果和实验?

关键词：近周期超晶格声学声子光散射半导体

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微波放电法生长GaS薄膜的性质

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物理学报 1997年第4期46卷 826-832页

作者：陈溪滢曹先安丁训民侯晓远陈良尧赵国庆复旦大学应用表面物理国家重点实验室复旦大学半导体物理实验室复旦大学物理二系

报道了微波放电法在ＧａＡｓ表面与Ａｌ金属片上生长ＧａＳ薄膜．用俄歇电子能谱（ＡＥＳ）和卢瑟福背散射能谱（ＲＢＳ）分析了薄膜的成分，Ｘ射线衍射测试了薄膜的结构．结果表明，微波放电法生长的ＧａＳ薄膜是属于六方晶系的多晶材... 详细信息

报道了微波放电法在ＧａＡｓ表面与Ａｌ金属片上生长ＧａＳ薄膜．用俄歇电子能谱（ＡＥＳ）和卢瑟福背散射能谱（ＲＢＳ）分析了薄膜的成分，Ｘ射线衍射测试了薄膜的结构．结果表明，微波放电法生长的ＧａＳ薄膜是属于六方晶系的多晶材料．此外。

关键词：硫化镓薄膜生长微波放电法半导体

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W(110)面二维氧化的低能电子显微镜研究

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物理学报 1997年第6期46卷 1048-1054页

作者：蔡群 MSAltman 复旦大学应用表面物理国家重点实验室香港科技大学物理系

应用低能电子显微术对Ｗ（１１０）面二维氧化结构进行了初步研究．随着氧暴露量的增加，低能电子衍射图样由清洁表面（１×１）结构转变成ｐ（２×１），再变为带有复杂衍射卫星点的ｐ（２×２）结构．利用低能电子显微术... 详细信息

应用低能电子显微术对Ｗ（１１０）面二维氧化结构进行了初步研究．随着氧暴露量的增加，低能电子衍射图样由清洁表面（１×１）结构转变成ｐ（２×１），再变为带有复杂衍射卫星点的ｐ（２×２）结构．利用低能电子显微术的暗场像模式，对（００）束附近的分数衍射斑点进行了放大成像，发现表面由两种对比度相差很大的区域组成，它们就是具有不同方位取向的氧超结构畴区．两种畴区的分布与衬底表面缺陷特别是表面台阶有一定的关系。

关键词：低能电子显微镜单晶 W(110) 二维氧化结构

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Zn_(1-x)Mg_xSe外延半导体合金薄膜的红外反射光谱研究

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红外与毫米波学报 1997年第6期16卷 406-412页

作者：王东红黄大鸣魏彦锋靳彩霞王杰陈张海陆卫复旦大学物理系和应用表面物理国家重点实验室中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室

用分子束外延方法在ＧａＡｓ（１００）衬底上生长了Ｚｎ１－ｘＭｇｘＳｅ（０≤ｘ≤１）三元半导体合金薄膜．在室温下测量了这些样品的红外反射光谱．采用介电函数的经典色散理论，并且考虑衬底的影响后，计算了样品的红外反射光谱并... 详细信息

用分子束外延方法在ＧａＡｓ（１００）衬底上生长了Ｚｎ１－ｘＭｇｘＳｅ（０≤ｘ≤１）三元半导体合金薄膜．在室温下测量了这些样品的红外反射光谱．采用介电函数的经典色散理论，并且考虑衬底的影响后，计算了样品的红外反射光谱并与测量结果作了比较．我们发现对于ｘ＜０．２，０．２＜ｘ＜０．５和ｘ≥０．５三种不同情形，反射光谱表现出不同的结构．

关键词：外延薄膜红外反射光谱锌锰硒三元半导体

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多孔硅在液体中的两种电致发光光谱

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物理学报 1997年第6期46卷 1223-1229页

作者：廖良生袁泽亮刘小兵侯晓远复旦大学应用表面物理国家重点实验室李政道物理学综合实验室长沙电力学院物理系

ｐ型硅片上制作的多孔硅在含有强氧化剂的酸液中处于正向偏压时，可先后产生两种不同的电致发光光谱．一种是红光发射，所需的工作电压极小．随着通电时间增加，红光峰位发生蓝移．这种发光可能与量子尺寸效应有关．另一种是红光猝灭... 详细信息

ｐ型硅片上制作的多孔硅在含有强氧化剂的酸液中处于正向偏压时，可先后产生两种不同的电致发光光谱．一种是红光发射，所需的工作电压极小．随着通电时间增加，红光峰位发生蓝移．这种发光可能与量子尺寸效应有关．另一种是红光猝灭之后出现的白光发射，所需的工作电压很高．由于在酸液中红光猝灭之后，多孔层中形成了一连续的ＳｉＯ２薄层，因此在高电场作用下，热电子注入该薄氧化层。

关键词：多孔硅电致发光光谱液体红光发射白光

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Zn_(1-x)Mg_xSe外延合金薄膜的结构研究

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Journal of Semiconductors 1997年第12期18卷 881-887页

作者：魏彦锋黄大鸣王东红靳彩霞王杰沈孝良复旦大学物理系和应用表面物理国家重点实验室上海200433 复旦大学分析测试中心上海200433

用分子束外延方法在GaAs（100）衬底上生长了Zn1-xMgxSe三元合金薄膜（0≤x≤1），用X-射线衍射和喇曼散射谱7研究了薄膜的结构，发现对x较小的样品，合金层为单一的（100）面闪锌矿结构，（111）面的含量可以忽略．对x≈0．5的样品，... 详细信息

用分子束外延方法在GaAs（100）衬底上生长了Zn1-xMgxSe三元合金薄膜（0≤x≤1），用X-射线衍射和喇曼散射谱7研究了薄膜的结构，发现对x较小的样品，合金层为单一的（100）面闪锌矿结构，（111）面的含量可以忽略．对x≈0．5的样品，合金层中（100）和（111）面的闪锌矿结构共存，两种结构呈现不同的组分，且（111）结构的x值总是小于（100）结构．对x＝1的样品，外延层呈现单一的（100）氯化钠结构．对不同结构和含量所作的定量分析表明，（111）面闪锌矿结构可能是Zn1-xMgxSe合金从（100）面闪锌矿结构向（100）面氯化钠结构转变的中间相．

关键词：分子束延法外延生长三元合金薄膜半导体材料

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多孔硅的一种新的后处理方法──微波等离子体辅助钝化处理

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物理学报 1997年第10期46卷 2059-2065页

作者：刘小兵熊祖洪袁帅廖良生何钧曹先安缪熙月丁训民侯晓远长沙电力学院物理系复旦大学应用表面物理国家重点实验室李政道物理学综合实验室

报道了对多孔硅进行后处理的一种新方法，即真空中微波等离子体辅助的钝化处理．傅里叶变换红外吸收谱表明，经处理的样品表面主要是被ＳｉＳｘ和ＳｉＯｙ所覆盖．与未经处理的样品相比，其发光强度增加约３５倍，ＰＬ峰位蓝移了４０... 详细信息

报道了对多孔硅进行后处理的一种新方法，即真空中微波等离子体辅助的钝化处理．傅里叶变换红外吸收谱表明，经处理的样品表面主要是被ＳｉＳｘ和ＳｉＯｙ所覆盖．与未经处理的样品相比，其发光强度增加约３５倍，ＰＬ峰位蓝移了４０ｎｍ，而且在空气条件下存放６０ｄ后发光强度没有变化．表明这种方法是增加多孔硅发光强度和提高稳定性的有效方法之一．

关键词：微波等离子体多孔硅后处理钝化处理

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SiGe/Si多重超晶格的声学声子光散射谱

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光散射学报 1997年第Z1期 179-181页

作者：黄大鸣刘晓晗王兴军朱海军蒋最敏复旦大学物理系和应用表面物理国家重点实验室

ＳｉＧｅ／Ｓｉ多重超晶格的声学声子光散射谱黄大鸣刘晓晗王兴军朱海军蒋最敏（复旦大学物理系和应用表面物理国家重点实验室上海２００４３３）ＬｉｇｈｔＳｃａｔｅｒｉｎｇｆｒｏｍＡｃｏｕｓｔｉｃＰｈｏｎｏｎｓｉｎＭｕｌｔｉｐ... 详细信息

ＳｉＧｅ／Ｓｉ多重超晶格的声学声子光散射谱黄大鸣刘晓晗王兴军朱海军蒋最敏（复旦大学物理系和应用表面物理国家重点实验室上海２００４３３）ＬｉｇｈｔＳｃａｔｅｒｉｎｇｆｒｏｍＡｃｏｕｓｔｉｃＰｈｏｎｏｎｓｉｎＭｕｌｔｉｐｌｅＳｉＧｅ／ＳｉＳｕｐｅｒｌａｔ...

关键词：超晶格结构声子准粒子 SiGe/Si 散射谱声学

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硅基SiN_xO_y薄膜的光致发光

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科学通报 1997年第17期42卷 1900-1901页

作者：廖良生熊祖洪袁帅侯晓远刘小兵复旦大学应用表面物理国家重点实验室和李政道物理学综合实验室上海200433 长沙电力学院物理系长沙410077

为了实现硅基光电子集成,人们正在致力于探求合适的硅基发光材料.由于SiO_2薄膜是硅集成电路中重要的掩蔽膜和介质膜,因此人们正在将它作为一种有前途的发光材料进行研究,并获得了一些有价值的结果众所周知,SiN_xO_y薄膜也是硅集成电路... 详细信息

为了实现硅基光电子集成,人们正在致力于探求合适的硅基发光材料.由于SiO_2薄膜是硅集成电路中重要的掩蔽膜和介质膜,因此人们正在将它作为一种有前途的发光材料进行研究,并获得了一些有价值的结果众所周知,SiN_xO_y薄膜也是硅集成电路中重要的掩蔽膜和介质膜,由于它比SiO_2薄膜具有更多的优点,并在超大规模集成电路中得到了越来越多的应用,所以研究SiN_xO_y薄膜是否可以成为一种合适的硅基发光材料也就显得十分有意义了.就我们所知,还没有文献报道SiN_xO_y薄膜光致发光(PL)特性的研究.

关键词：硅基发光材料二氧化硅薄膜光致发光发光机理

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