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  • 3 篇 离子注入
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机构

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  • 5 篇 应用表面物理国家...
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  • 4 篇 应用表面物理国家...
  • 4 篇 苏州大学
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  • 3 篇 厦门大学
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  • 2 篇 中国科学院物理研...
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  • 2 篇 复旦大学同步辐射...
  • 2 篇 井冈山师范学院
  • 2 篇 复旦大学应用表面...

作者

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  • 15 篇 侯晓远
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  • 11 篇 刘晓晗
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  • 10 篇 樊永良
  • 10 篇 张新夷
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  • 9 篇 刘小兵
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  • 9 篇 金晓峰
  • 8 篇 朱捷

语言

  • 213 篇 中文
  • 4 篇 英文
检索条件"机构=复旦大学应用表面国家重点实验室和复旦大学物理系"
217 条 记 录,以下是201-210 订阅
排序:
多孔硅的双峰光致发光谱与光发射机制
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科学通报 1995年 第18期40卷 1644-1647页
作者: 张树霖 何国山 黄福敏 杨昌黎 李经建 刁鹏 刘忠范 蔡生民 北京大学物理系 北京100871 复旦大学应用表面物理国家重点实验室 上海200433 北京大学化学系光电智能材料研究室 北京100871
多孔硅的光致发光谱是多孔硅研究的极其重要的一个方面,除了早已广泛研究的单峰光致发光谱外,近来有人报道新制备的或经干氧处理的多孔硅在低温下明显存在多峰光致发光谱,本文将报道温下在后处理多孔硅中观察到的双峰光致发光谱,并讨... 详细信息
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金刚石薄膜的光学透射率研究
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物理学报 1995年 第9期44卷 1509-1515页
作者: 毛敏耀 亢昌军 王添平 解健芳 谭淞生 王渭源 章熙康 金晓峰 庄志诚 中国科学院上海冶金研究所传感技术国家重点实验室 上海200050 中国科学院上海冶金研究所信息功能材料国家重点实验室 上海200050 复旦大学李政道物理综合实验室和应用表面物理国家重点实验室 上海200433 上海交通大学物理化学中心
Diamond thin films are deposited on mirror-polished Si substrates using microwave plasma chemical vapour deposition (MPCVD), wherein, the substrates were first treated fornucleation by DC bias-enhanced MPCVD, and diam... 详细信息
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难熔过渡金属的激光气体合金化研究
难熔过渡金属的激光气体合金化研究
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第二届中国功能材料及其应用学术会议
作者: 伍长征 吴嘉达 李富铭 宋宙模 三束材料改性国家重点实验室复旦大学分部复旦大学物理系 西北工业大学应用物理系
利用脉冲激光辐照置于氮气氛中的难熔过渡金属钛、钼和钽,使其表面氮化,形成组织致密的氮化层,用多种方法分析和标征了氮化层的化学成分和组织结构。激光的作用使金属表面熔化和氮气激活,导致液相氮化反应。激光引起的表面加热熔化和瞬... 详细信息
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单频导纳谱法测量锗硅量子阱的能带偏移
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物理学报 1994年 第2期43卷 289-296页
作者: 陆埮 蒋家禹 龚大为 孙恒慧 复旦大学物理系 复旦大学应用表面物理国家重点实验室
提出了用单频导纳谱法测量储硅单量子阶的能带偏移,与常规的多频导纳谱相比,它只需测一个频率的导纳谱就能得到更精确的实验结果。用该方法对Si/Ge_(0.33)Si_(0.67)/Si单量子阱进行测试,得到激活能为E=0... 详细信息
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碳纳米管激光等离子体的质谱研究
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物理化学学报 1994年 第1期10卷 9-11页
作者: 吕建中 朱雷 宋捷 李郁芬 黄丰 黄荣彬 郑兰荪 三束材料改性国家重点实验室 固体表面物理化学国家重点实验室 固体表面物理化学国家重点实验室 复旦大学物理系 上海 200433 复旦大学物理系 厦门大学化学系 厦门 361005
自从1991年Iijima发现碳纳米管和1992年Ebbesen等提出大规模合成碳纳米管的制备方法以来,碳纳米管特殊的导电性能和机械性能正吸引着科学界广泛兴趣和研究,人们期望碳纳米管在高强度纤维材料、复合材料以及纳米电子器件等方面的广阔应... 详细信息
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GaAs表面钝化的新方法:S_2Cl_2处理
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Journal of Semiconductors 1994年 第7期15卷 505-510页
作者: 李喆深 蔡卫中 苏润洲 侯晓远 董国胜 金晓峰 丁训民 王迅 复旦大学应用表面物理国家重点实验室 复旦大学李政道物理综合实验室东北林业大学物理系
本文用光致发光谱(PL)结合俄欧电子能谱(AES)和X射线光电子能谱(XPS),首次研究了S2Cl2钝化的GaAs(100)表面.结果表明,PL强度较钝化前样品提高了将近两个数量级.钝化后的表面AES谱显示含有S,G... 详细信息
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快速退火后重掺硼的分子束外延层的电学特性
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物理学报 1994年 第7期43卷 1137-1143页
作者: 袁健 陆 昉 孙恒慧 卫星 杨敏 黄大鸣 徐宏来 沈鸿烈 邹世昌 复旦大学李政道物理学综合实验室和物理系 复旦大学应用表面物理国家重点实验室中国科学院上海冶金研究所信息功能材料国家重点实验室
对快速退火后用共蒸发B_2O_3方法实现重掺杂硼的硅分子束外延层的电学特性进行了研究.1100℃退火可以使得外延层中载流子浓度提高4倍,空穴的霍耳迁移率与相同浓度下硅体材料的水平相当;外延层与衬底之间载流子浓度转变陡... 详细信息
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用氢钝化Si(100)面抑制分子束处延界面的硼尖峰
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物理学报 1993年 第12期42卷 1968-1973页
作者: 卫星 龚大卫 杨小平 吕宏强 崔堑 盛篪 张翔九 王迅 王勤华 陆昉 孙恒慧 复旦大学应用表面物理国家重点实验室 上海200433 复旦大学物理系 上海200433
采用一种新的简便的氢钝化方法,可以在Si(100)衬底表面获得稳定的钝化层。用俄歇电子能谱(AES),反射式高能电子衍射(RHEED),C-V和二次离子质谱(SIMS)等方法对衬底表面及其上面生长的分子束外延层进行检测,发现这种方法可以有效地防止衬... 详细信息
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用光电子能谱研究 Si/GaP(Ⅲ)异质界面的价带不连续性
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物理学报 1993年 第10期42卷 1654-1660页
作者: 黄春晖 陈平 王迅 福州大学物理系 福州350002 复旦大学表面物理国家重点实验室 上海200433
介绍在改装的ADES-400型光电子能谱仪上,用Si电子束蒸发的方法生长Si/GaP(Ⅲ)界面的过程,并用光电子能谱原位地分析测量不同条件下生长的Si/GaP(Ⅲ)异质界面的形成状况和价带不连续值△E_v。讨论了△E_v与界面状况和原子能级变化的相互... 详细信息
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Ge_xSi_(1-x)/Si超晶格中周期不均匀对折叠声学声子拉曼线宽的影响
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光散射学报 1993年 第1期5卷 1-5页
作者: 金鹰 侯永田 张树霖 秦国刚 周国良 樊永良 俞鸣人 北京大学物理系北京 100871 中科院国际材料物理中心沈阳 110015 复旦大学应用表面物理国家重点实验室 上海200433
本文报导了在 Ge_Si_(1-x)/Si 超晶格中观察到了超晶格周期不均匀导致的折叠声学声子拉曼谱线展宽,这种谱线展宽与折叠指数(m)有关,折叠声学声子的谱线越宽,m 相同的折叠声学声子具有相同的线宽。
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