检索结果-内蒙古大学图书馆

Journal of Semiconductors 1997年第12期18卷 939-941页

作者：胡冬枝朱海军蒋最敏黄大鸣张翔九王迅复旦大学应用表面物理国家重点实验室上海200433

生长温度500℃下，在Si（001）衬底上分子束外延自组织生长锗量子点．700℃退火20分钟后观察到其光致发光．原子力显微镜（AFM）和横截面试样透镜（XTEM）方法用于观察鼻子点的大小和密度．利用喇曼光谱观察不同温度退火引起的Ge与Si之... 详细信息

生长温度500℃下，在Si（001）衬底上分子束外延自组织生长锗量子点．700℃退火20分钟后观察到其光致发光．原子力显微镜（AFM）和横截面试样透镜（XTEM）方法用于观察鼻子点的大小和密度．利用喇曼光谱观察不同温度退火引起的Ge与Si之间的互扩散．

关键词：硅锗量子点光致发光

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有机半导体电致发光器件中的焦耳热效应和有机物热分解

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Journal of Semiconductors 2001年第8期22卷 1048-1051页

作者：周美娟钟高余何钧廖良生侯晓远复旦大学应用表面物理国家重点实验室上海200433

采用显微观察的方法证明有机半导体电致发光器件处于工作状态时产生的焦耳热 ,不仅使有机物发生结晶现象 ,还使器件产生气体并向外逸出 ,气体集聚在金属电极 /有机层界面 ,从而形成表面气泡 .质谱、色谱分析表明 ,逸出气体的成分除了大... 详细信息

采用显微观察的方法证明有机半导体电致发光器件处于工作状态时产生的焦耳热 ,不仅使有机物发生结晶现象 ,还使器件产生气体并向外逸出 ,气体集聚在金属电极 /有机层界面 ,从而形成表面气泡 .质谱、色谱分析表明 ,逸出气体的成分除了大量的水汽之外 ,还存在有机杂质气体和有机物分解气体 .在以 8-羟基喹啉铝 (Alq3)为发光层的器件中 ,当受热温度达到 15 0℃时 ,有机分子会发生分解 ,逸出 8-羟基喹啉气体 .紫外光电子能谱分析进一步证实 ,Alq3薄膜的受热温度达到 15 0℃时 ,其电子结构发生明显变化。

关键词：有机半导体焦耳热效应有机物热分解电致发光器件

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热壁外延ZnSe/GaAs薄膜生长机理的研究

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Journal of Semiconductors 1992年第2期13卷 90-94页

作者：王杰李喆深蔡群陆春明沈军王迅复旦大学应用表面物理国家重点实验室上海200433

本文用四极质谱(QMS)、X射线光电子谱(XPS)、俄歇电子能谱(AES)等手段,对单一源热壁外延(HWB)ZnSe/GaAs 薄膜的生长机理作了一些研究.这些研究主要包括 ZnSe源的蒸发情况以及在不同衬底温度条件下,外延薄膜的化学配比状态.

关键词：热壁外延薄膜外延生长 ZnSe/GaAs

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第21届国际半导体物理会议在北京举行

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固体电子学研究与进展 1992年第4期 383-384页

作者：蒋平复旦大学应用表面物理国家重点实验室上海 200433

1992年8月10日至14日,在北京国贸中心中国大饭店举行了第21届国际半导体物理会议(ICPS-21)。从1950年开始,国际半导体物理会议每两年举行一次,是全世界半导体物理领域最高水平的学术会议。本届会议由我国半导体物理学家谢希德教授担任... 详细信息

1992年8月10日至14日,在北京国贸中心中国大饭店举行了第21届国际半导体物理会议(ICPS-21)。从1950年开始,国际半导体物理会议每两年举行一次,是全世界半导体物理领域最高水平的学术会议。本届会议由我国半导体物理学家谢希德教授担任主席。由于她本人和国内外许多知名科学家几年来的不懈努力,终于使这一国际学术界的盛会得以首次在中国举行。

关键词：会议半导体物理北京扫描隧道显微术电子显微术电工材料

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Si(001)斜切衬底上Ge量子点的固相外延生长

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Journal of Semiconductors 2002年第6期23卷 604-608页

作者：胡冬枝赵登涛蒋伟荣施斌顾骁骁张翔九蒋最敏复旦大学应用表面物理国家重点实验室上海200433

研究了 Si(0 0 1)面偏 [110 ]方向 6°斜切衬底上 Ge量子点的固相外延生长 .实验结果表明 ,在 Si(0 0 1) 6°斜切衬底上固相外延生长 Ge量子点的最佳退火温度为 6 4 0℃ ,在斜切衬底上成岛生长的临界厚度低于在 Si(0 0 1)衬底... 详细信息

研究了 Si(0 0 1)面偏 [110 ]方向 6°斜切衬底上 Ge量子点的固相外延生长 .实验结果表明 ,在 Si(0 0 1) 6°斜切衬底上固相外延生长 Ge量子点的最佳退火温度为 6 4 0℃ ,在斜切衬底上成岛生长的临界厚度低于在 Si(0 0 1)衬底成岛生长的临界厚度 ,6°斜切衬底上淀积 0 .7nm Ge即可成岛 ,少于 Si(0 0 1)衬底片上 Ge成岛所需的淀积量 .从 Ge量子点的密度随固相外延温度的变化曲线 ,得到 Ge量子点的激活能为 1.9e V,远高于 Si(111)面上固相外延 Ge量子点的激活能 0 .3e V.实验亦发现 ,在 Si(0 0 1)斜切衬底上固相外延生长的 Ge量子点较 Si(0 0 1)

关键词：外延生长量子点固相外延锗硅斜切衬底

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多孔硅微腔的窄峰发射

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科学通报 1998年第24期43卷 2669-2670页

作者：熊祖洪廖良生袁帅丁训民蒋最敏胡东枝秦捷裴成文侯晓远复旦大学应用表面物理国家重点实验室上海200433

自从Canham发现多孔硅能高效率发射可见光以来,多孔硅的形成机理、发光机理、器件以及光电子集成研究都取得了很大进展.但到目前为止,多孔硅中是否存在激射现象还不很肯定.我们知道,微腔是实现激射的必要组成部分,它具有辐射功率的空间... 详细信息

自从Canham发现多孔硅能高效率发射可见光以来,多孔硅的形成机理、发光机理、器件以及光电子集成研究都取得了很大进展.但到目前为止,多孔硅中是否存在激射现象还不很肯定.我们知道,微腔是实现激射的必要组成部分,它具有辐射功率的空间分布可调、发射峰的宽度可变、自发辐射得到加强或抑制以及激射阈值较低甚至有可能实现激射无阈值等特点.Pavesi等人曾利用交替变化腐蚀电流密度的方法制备了多孔硅微腔.基于用分子束外延生长多层膜具有好的可控性和界面特性。

关键词：多孔硅微腔激射窄峰发射发光机理光学特性

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用光电流谱研究多孔硅微腔的光电特性

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Journal of Semiconductors 2001年第9期22卷 1127-1130页

作者：熊卫华熊祖洪陆昉复旦大学应用表面物理国家重点实验室上海200433

利用光电流谱对全硅基多孔硅微腔的吸收特性进行了研究 ,在光电流谱中观察到 λ1 =742 nm主峰 .同时也对多孔硅微腔的 PL 谱和单层多孔硅的光电流谱进行了测量 ,结合有效折射率方法和菲涅耳公式 ,对照 PL 谱和单层多孔硅的光电流谱 ,对... 详细信息

利用光电流谱对全硅基多孔硅微腔的吸收特性进行了研究 ,在光电流谱中观察到 λ1 =742 nm主峰 .同时也对多孔硅微腔的 PL 谱和单层多孔硅的光电流谱进行了测量 ,结合有效折射率方法和菲涅耳公式 ,对照 PL 谱和单层多孔硅的光电流谱 ,对常温下多孔硅微腔的光电流谱进行解释 .

关键词：光电流谱多孔硅微腔 PL谱光电特性

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Evolution of Self-Organized Ge Quantum Dots During Ultra High Vacuum Annealing

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Journal of Semiconductors 2002年第6期23卷 561-564页

作者：胡冬枝杨建树蔡群张翔九胡际璜蒋最敏复旦大学应用表面物理国家重点实验室上海200433

The evolution of self organized Ge quantum dots structure is investigated by scanning tunneling microscopy and atomic force microscopy during annealing treatment up to 700℃ in an ultra high vacuum(UHV) *** the sample temperature rises to 630℃,a great amount of new dots emerge on the wetting layer,which are believed to be incoherent islands compared with the dislocation free coherent islands formed during molecular beam epitaxy growth.

关键词： quantum dots Si based materials evolution of morphology atomic force microscopy

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多孔硅的电致发光研究

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Journal of Semiconductors 1993年第3期14卷 139-142页

作者：张甫龙郝平海史刚侯晓远丁训民黄大鸣王迅复旦大学应用表面物理国家重点实验室上海200433

本文研究了多孔硅的电致发光现象。在多孔硅上淀积了半透明金膜后,当正向偏压加到15V、电流密度100mA/cm^2时,观察到了稳定的电致可见光发射现象。伏安曲线的测量表明它有明显的类似二极管的整流特性。

关键词：硅多孔硅电致发光

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电化学脉冲腐蚀法制备窄峰发射的多孔硅微腔

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Journal of Semiconductors 2002年第3期23卷 272-275页

作者：徐少辉熊祖洪顾岚岚柳毅丁训民侯晓远复旦大学应用表面物理国家重点实验室上海200433

用电化学脉冲腐蚀方法制备了多孔硅微腔 ,讨论了脉冲电化学腐蚀的参数——周期、占空比对多孔硅多层膜制备的影响 ,并用了以 HF酸扩散为基础的多孔硅动态腐蚀机理对实验结果进行解释 ,认为在用电化学脉冲腐蚀法制备多孔硅微腔的过程中 ... 详细信息

用电化学脉冲腐蚀方法制备了多孔硅微腔 ,讨论了脉冲电化学腐蚀的参数——周期、占空比对多孔硅多层膜制备的影响 ,并用了以 HF酸扩散为基础的多孔硅动态腐蚀机理对实验结果进行解释 ,认为在用电化学脉冲腐蚀法制备多孔硅微腔的过程中 ,不但要考虑到 HF酸对硅的纵向电流腐蚀 ,也要考虑到 HF酸对多孔硅硅柱的横向浸泡腐蚀 .可通过选取合适的周期、占空比 ,使二者对多孔硅的作用达到适中 ,以制备出高质量的多孔硅多层膜和微腔 .并用正交实验法优化了制备多孔硅微腔的参数 ,根据优化的实验参数 ,制备出了发光峰半峰宽为 6

关键词：多孔硅微腔光致发光窄峰发射电化学脉冲腐蚀法

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