检索结果-内蒙古大学图书馆

Journal of Semiconductors 2000年第7期21卷 662-666页

作者：蒋伟荣周星飞施斌胡冬枝刘晓晗蒋最敏张翔九复旦大学应用表面物理国家重点实验室上海200433

利用喇曼光谱研究了不同温度下在 Si(1 0 0 )衬底上异质外延 Ge层由于扩散引起的 Ge/Si异质结界面互混以及表面活化剂 Sb对其的影响 .结果表明表面活化剂 Sb的存在大大抑制了界面的互扩散 ,在 650℃下也没有观察到明显的界面互混 .没有... 详细信息

利用喇曼光谱研究了不同温度下在 Si(1 0 0 )衬底上异质外延 Ge层由于扩散引起的 Ge/Si异质结界面互混以及表面活化剂 Sb对其的影响 .结果表明表面活化剂 Sb的存在大大抑制了界面的互扩散 ,在 650℃下也没有观察到明显的界面互混 .没有 Sb时 ,在 50 0℃下已存在一定程度的界面互混 ,界面互混程度随外延层生长温度的增高而增强 .

关键词：互扩散分子束外廷硅锗喇曼光谱

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砷化镓晶体在氯化硫溶液中腐蚀速率的研究

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Journal of Semiconductors 1997年第2期18卷 146-150页

作者：曹先安陈溪滢李喆深丁训民侯晓远复旦大学应用表面物理国家重点实验室上海200433

本文研究了不同条件下S2Cl2对GaAs晶体的腐蚀行为，特别是溶液浓度、温度以及摇动程度等几个重要因素对腐蚀作用的影响．在此基础上提出了S2Cl2处理的较佳条件：对于S2Cl2钝化，应选择低浓度的钝化液（＜20％）在较低的室温下进行，而S2... 详细信息

本文研究了不同条件下S2Cl2对GaAs晶体的腐蚀行为，特别是溶液浓度、温度以及摇动程度等几个重要因素对腐蚀作用的影响．在此基础上提出了S2Cl2处理的较佳条件：对于S2Cl2钝化，应选择低浓度的钝化液（＜20％）在较低的室温下进行，而S2Cl2作为GaAs外延预处理手段则选用较高浓度的溶液在较短时间内完成可以得到较好的效果；对于以上两种情形，溶液温度一般控制在20℃以下．

关键词：砷化镓氯化硫溶液腐蚀速率

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硼原子对Si(100)衬底上Ge量子点生长的影响

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Journal of Semiconductors 2000年第8期21卷 765-769页

作者：周星飞施斌蒋伟荣胡冬枝樊永良龚大卫张翔九蒋最敏复旦大学应用表面物理国家重点实验室上海200433

研究了硼原子对 Si( 1 0 0 )衬底上 Ge量子点自组织生长的影响 .硼原子的数量由 0单原子层变到 0 .3单原子层 .原子力显微镜的观察表明 ,硼原子不仅对量子点的大小 ,而且对其尺寸均匀性及密度都有很大影响 .当硼原子的数量为 0 .2单原... 详细信息

研究了硼原子对 Si( 1 0 0 )衬底上 Ge量子点自组织生长的影响 .硼原子的数量由 0单原子层变到 0 .3单原子层 .原子力显微镜的观察表明 ,硼原子不仅对量子点的大小 ,而且对其尺寸均匀性及密度都有很大影响 .当硼原子的数量为 0 .2单原子层时 ,获得了底部直径为 60± 5nm,面密度为 6× 1 0 9cm- 2 ,且均匀性很好的 Ge量子点 .另外 ,还简单讨论了硼原子对 Ge量子点自组织生长影响的机制 .

关键词：量子点生长硅衬底硼原子锗

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Ge薄层异质结构的同步辐射X射线反射法研究

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高能物理与核物理 2001年第12期25卷 1231-1237页

作者：郑文莉贾全杰姜晓明蒋最敏中国科学院高能物理研究所北京100039 复旦大学应用表面物理国家重点实验室上海200433

用X射线反射方法研究了分子束外延技术生长的Si中Ge薄层异质结构的Ge原子分布特性 .根据X射线反射理论及Parratt数值计算方法对实验反射曲线的模拟 ,得到不同厚度的Ge薄层异质结构样品中Ge原子的深度分布为非对称指数形式 :在靠近样品... 详细信息

用X射线反射方法研究了分子束外延技术生长的Si中Ge薄层异质结构的Ge原子分布特性 .根据X射线反射理论及Parratt数值计算方法对实验反射曲线的模拟 ,得到不同厚度的Ge薄层异质结构样品中Ge原子的深度分布为非对称指数形式 :在靠近样品表面一侧的衰减长度为 8埃 ,而在靠近样品衬底一侧的衰减长度为 3埃 ,且分布形式与Ge原子层的厚度无关。讨论了不同结构参数(Ge原子薄层的深度、Ge原子分布范围、样品表面粗糙度、样品表面氧化层厚度等 )

关键词：异质结构同步辐射 X射线反射表面偏析分子束外延 Ge薄膜生长 St 硅晶体锗原子半导体材料

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铒铥共掺氧化锌薄膜近红外宽带发射及变温行为的研究

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物理学报 2015年第4期64卷 302-308页

作者：陈丹丹徐飞曹汝楠蒋最敏马忠权杨洁杜汇伟洪峰上海大学理学院物理系索朗光伏材料与器件R&D联合实验室分析测试中心上海200444 复旦大学应用表面物理国家重点实验室微纳光子结构教育部重点实验室先进材料实验室上海200433

采用磁控共溅射技术制备了铒铥共掺杂氧化锌发光薄膜.通过优化退火温度,实现了薄膜的近红外平坦宽带发射,总带宽可达到～500 nm,覆盖了光通信S+C+L+U区波段.此发射带由Er3+的1535 nm(4I13/2→4I15/2)发射峰及Tm3+的1460 nm(3H4→3F4),16... 详细信息

采用磁控共溅射技术制备了铒铥共掺杂氧化锌发光薄膜.通过优化退火温度,实现了薄膜的近红外平坦宽带发射,总带宽可达到～500 nm,覆盖了光通信S+C+L+U区波段.此发射带由Er3+的1535 nm(4I13/2→4I15/2)发射峰及Tm3+的1460 nm(3H4→3F4),1640 nm(1G4→3F2),1740 nm(3F4→3H6)发射峰组成.研究表明:退火温度低于800°C时,没有观察到薄膜样品明显的光致发光现象;随着退火温度从800°C升高到1000°C,I1640/I1535发射峰强度比从0.2升高到0.3,I1740/I1535发射峰强度比从0.5降低到0.4,发射峰强度比均基本保持稳定;当退火温度高于1000°C时,I1640/I1535发射峰强度比从0.3升高到0.6,I1740/I1535发射峰强度比从0.4升高到0.8,发射峰强度比均急剧增加.变温行为表明:随着温度从10 K逐渐升高到300 K,谱线的总带宽基本不变,在340—360 nm之间;Tm3+在1640和1740 nm处的发射峰强度分别降低了2/3和1/2,Er3+在1535 nm的发射峰强度增大了1.2倍.这是因为随着温度的升高,声子数目增多,Er3+与Tm3+离子之间发生能量传递的概率不断变大,并且在Tm3+离子之间没有发生交叉弛豫现象.

关键词：稀土掺杂氧化锌薄膜近红外宽带发光退火处理

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GaAs表面S钝化方法：S气氛辉光放电法

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Journal of Semiconductors 1996年第6期17卷 476-480页

作者：陈溪滢曹华徐前江王杰朱炜曹先安张甫龙丁训民侯晓远陆明复旦大学应用表面物理国家重点实验室复旦大学李政道物理综合实验室复旦大学真空物理实验室

本文报道了一种新的ＧａＡｓ表面Ｓ钝化方法──Ｓ气氛辉光放电法．用光致发光光谱（ＰＬ）结合俄歇电子能谱（ＡＥＳ）和Ｘ射线光电子能谱（ＸＰＳ）研究了辉光放电Ｓ钝化的ＧａＡｓ（１００）表面．结果表明，与未处理的样品相比，用... 详细信息

本文报道了一种新的ＧａＡｓ表面Ｓ钝化方法──Ｓ气氛辉光放电法．用光致发光光谱（ＰＬ）结合俄歇电子能谱（ＡＥＳ）和Ｘ射线光电子能谱（ＸＰＳ）研究了辉光放电Ｓ钝化的ＧａＡｓ（１００）表面．结果表明，与未处理的样品相比，用该方法处理后的表面复合速率大大降低，ＰＬ强度提高了将近两个数量级，而且稳定．ＡＥＳ谱和ＸＰＳ谱测量结果表明用Ｓ气氛辉光放电的方法在ＧａＡｓ（１００）表面上形成了较厚的ＧａＳ薄膜．

关键词：砷化镓表面硫钝化法辉光放电法

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直流磁控溅射法制备含氦铝膜

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原子能科学技术 2006年第3期40卷 372-376页

作者：贾建平施立群赖新春王庆富表面物理与化学国家重点实验室四川绵阳621907 复旦大学现代物理研究所应用离子束物理实验室上海200433

采用氦氩混合气氛下直流磁控溅射沉积方法制备含有氦原子的金属铝膜。经碳原子弹性前冲散射分析(C-ERDA),薄膜中氦原子浓度可达约7%,且分布均匀。实验研究了薄膜中的氦含量与溅射真空室气氛中氦的相对含量、基底偏压及沉积温度间的关系... 详细信息

采用氦氩混合气氛下直流磁控溅射沉积方法制备含有氦原子的金属铝膜。经碳原子弹性前冲散射分析(C-ERDA),薄膜中氦原子浓度可达约7%,且分布均匀。实验研究了薄膜中的氦含量与溅射真空室气氛中氦的相对含量、基底偏压及沉积温度间的关系。薄膜的X射线衍射分析结果显示:膜中的氦含量变化并未引起明显的峰位移,只是随氦含量增加谱峰宽化。热释放实验证实,氦在薄膜中稳定存在,约500℃以上时方出现氦的释放。

关键词：磁控溅射氦弹性前冲散射分析 X射线衍射热释放谱

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砷化镓及其它Ⅲ—Ⅴ族半导体表面的硫钝化

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物理学进展 1995年第2期 218-231页

作者：李深王迅复旦大学应用表面物理国家重点实验室和复旦大学李政道物理学综合实验室

砷化镓的表面钝化是一个长期未能完满解决的问题。八十年代后期出现的硫钝化技术曾带来很大的希望，但它的化学稳定性仍不够理想。通过对硫钝化机理的研究，弄清了这种方法所存在的问题后，一些改进的硫钝化方法正不断发展，使之有可能... 详细信息

砷化镓的表面钝化是一个长期未能完满解决的问题。八十年代后期出现的硫钝化技术曾带来很大的希望，但它的化学稳定性仍不够理想。通过对硫钝化机理的研究，弄清了这种方法所存在的问题后，一些改进的硫钝化方法正不断发展，使之有可能在不远的将来成为ＧａＡｓ器件制造中的一种实用钝化工艺。

关键词：硫钝化半导体表面砷化镓砷化物梗梗

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同步辐射X射线掠入射衍射实验技术及应用

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高能物理与核物理 2000年第12期24卷 1185-1190页

作者：姜晓明贾全杰郑文莉刘鹏冼鼎昌蒋最敏王迅中国科学院高能物理研究所北京100039 复旦大学应用表面物理国家重点实验室上海200433

利用北京同步辐射装置漫散射实验站的五圆衍射仪，建立了掠入射Ｘ射线衍射实验方法．对Ｓｉ表面生长的Ｇｅ／Ｓｉ量子点及其在Ｓｉ表层产生的应变进行了成功测量，表明此方法可以有效地提取表面层的微弱信号．实验结果表明，Ｇｅ／Ｓｉ... 详细信息

利用北京同步辐射装置漫散射实验站的五圆衍射仪，建立了掠入射Ｘ射线衍射实验方法．对Ｓｉ表面生长的Ｇｅ／Ｓｉ量子点及其在Ｓｉ表层产生的应变进行了成功测量，表明此方法可以有效地提取表面层的微弱信号．实验结果表明，Ｇｅ／Ｓｉ量子点的形成除了在Ｓｉ衬底表层形成了晶格具有横向膨胀应变的区域之外，还在Ｓｉ衬底中形成了具有横向压缩应变的区域．

关键词：掠入射衍射表层结构量子点微弱信号

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X射线驻波方法研究半导体超薄异质外延层

引用

高能物理与核物理 2001年第6期25卷 588-594页

作者：姜晓明贾全杰胡天斗黄宇营郑文莉何伟冼鼎昌施斌蒋最敏王迅中国科学院高能物理研究所北京100039 复旦大学应用表面物理国家重点实验室上海200433

利用双晶单色器和精密二圆衍射仪 ,在北京同步辐射装置建立了同步辐射X射线驻波实验技术 ,并用这一实验技术结合X射线衍射方法 ,研究了Si晶体中外延生长的超薄Ge原子层的微结构 .实验结果表明 ,由于Ge原子的偏析 ,在Si晶体样品中形成了... 详细信息

利用双晶单色器和精密二圆衍射仪 ,在北京同步辐射装置建立了同步辐射X射线驻波实验技术 ,并用这一实验技术结合X射线衍射方法 ,研究了Si晶体中外延生长的超薄Ge原子层的微结构 .实验结果表明 ,由于Ge原子的偏析 ,在Si晶体样品中形成了共格生长的GexSi1-x合金层 ,浓度平均值为x≈ 0 1 3 ;650℃退火会使Ge原子向表面扩散 ,Si晶体中的合金层消失 ,在晶体表面形成接近纯Ge的单原子层 .

关键词： X射线驻波异质结构偏析超薄锗原子层硅晶体外延生长

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