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Rh超薄膜在Mo(111)及W(111)上引起｛110｝小面再构的可能性

物理学报 1999年第10期48卷 1904-1910页

作者：黄丹耘车静光张开明复旦大学应用表面物理国家重点实验室上海200433

用第一性原理总能计算方法，计算了Ｍｏ和Ｗ表面吸附金属Ｒｈ薄膜前后［１１１］，［１１０］方向的表面能．计算结果表明，清洁Ｍｏ和Ｗ的（１１１）面不会发生｛１１０｝小面再构，与实验观察一致．当Ｒｈ的覆盖... 详细信息

用第一性原理总能计算方法，计算了Ｍｏ和Ｗ表面吸附金属Ｒｈ薄膜前后［１１１］，［１１０］方向的表面能．计算结果表明，清洁Ｍｏ和Ｗ的（１１１）面不会发生｛１１０｝小面再构，与实验观察一致．当Ｒｈ的覆盖厚度达到一物理单层后，Ｒｈ／Ｍｏ（１１１）仍不会形成｛１１０｝小面；而Ｒｈ／Ｗ（１１１）满足小面再构到｛１１０｝的热力学条件，在一定条件下可能形成｛１１０｝小面．

关键词：小面再构铑薄膜钼钨表面吸附

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K/GaAs(100)表面的氮化

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物理学报 1998年第6期47卷 1041-1046页

作者：胡海天来冰袁泽亮丁训民侯晓远复旦大学应用表面物理国家重点实验室

Ｋ吸附层的存在能促进ＧａＡｓ（１００）表面在室温下的氮化．光电发射测量为此提供了证据．在将Ｋ／ＧａＡｓ（１００）暴露于纯氮以后，价带和芯能级谱均会出现显著变化：功函数有一定程度回升，价带谱中显露Ｎ２ｐ峰，Ｇａ２ｐ和Ａ... 详细信息

Ｋ吸附层的存在能促进ＧａＡｓ（１００）表面在室温下的氮化．光电发射测量为此提供了证据．在将Ｋ／ＧａＡｓ（１００）暴露于纯氮以后，价带和芯能级谱均会出现显著变化：功函数有一定程度回升，价带谱中显露Ｎ２ｐ峰，Ｇａ２ｐ和Ａｓ２ｐ芯能级谱中产生化学位移分量．就所研究的三种不同的Ｋ覆盖度（１／４，１／２和１ＭＬ）而言，１ＭＬ的那种显示了最强的促进作用．

关键词：价带芯能级谱钾吸附层砷化镓表面氮化

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Si中掺Er的原子构型与电子特性

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物理学报 1998年第4期47卷 652-657页

作者：万钧叶令王迅复旦大学应用表面物理国家重点实验室

采用定域密度泛函离散变分方法（ＬＤＦＤＶＭ）计算了Ｓｉ中掺Ｅｒ的原子构型与电子特性，并计算了Ｏ共掺杂对Ｓｉ中掺Ｅｒ体系的原子构型与电子特性的影响．结果表明，在没有Ｏ共掺杂时，Ｅｒ处于四面体间隙位置时能量最低，此时... 详细信息

采用定域密度泛函离散变分方法（ＬＤＦＤＶＭ）计算了Ｓｉ中掺Ｅｒ的原子构型与电子特性，并计算了Ｏ共掺杂对Ｓｉ中掺Ｅｒ体系的原子构型与电子特性的影响．结果表明，在没有Ｏ共掺杂时，Ｅｒ处于四面体间隙位置时能量最低，此时Ｅｒ的５ｄ轨道在Ｓｉ的导带中引入浅的共振态．处于替代位置的Ｅｒ形成能略高，Ｅｒ的５ｄ轨道在Ｓｉ的导带顶附近引入了受主态．当有Ｏ存在时，体系的形成能降低，能量最低的构型是Ｅｒ处于六角形间隙位置，周围有６个Ｏ，此时Ｅｒ的５ｄ轨道在Ｓｉ的导带下约为０．３ｅＶ处引入杂质态．从而解释了Ｓｉ中掺Ｅｒ体系在有Ｏ和没有Ｏ共掺杂时原子构型的变化，以及Ｏ的存在可以提高Ｅｒ在Ｓｉ中的固溶度等实验现象，并初步解释了深能级瞬态谱对Ｅｒ和Ｏ共掺杂Ｓｉ体系测量的实验结果．

关键词：原子构型电子特性硅掺杂掺铒

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多孔硅发光稳定性的改进

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物理学报 1994年第3期43卷 499-504页

作者：张甫龙侯晓远杨敏黄大鸣王迅复旦大学应用表面物理国家重点实验室

采用在热ＨＮＯ，中对多孔度较低的多孔硅样品进行氧化的方法，我们获得了稳定性和均匀性都较好的多孔硅样品。这是一种不同于快速热氧化且更方便易行的方法。另外还用ＳＥＭ和ＦＴＩＲ对其特性进行了研究。

关键词：多孔硅发光稳定性

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导纳谱研究两类Si基量子阱基态子能级的性质

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物理学报 1998年第7期47卷 1171-1179页

作者：林峰盛篪柯炼朱建红龚大卫张胜坤俞敏峰樊永良王迅复旦大学应用表面物理国家重点实验室

用导纳谱技术研究了两类Ｓｉ基量子阱样品基态子能级的性质．基于量子阱中载流子的热激发模型，从导纳谱中得到的激发能值被认为是阱中重空穴基态位置到阱顶的距离．对于ＳｉＧｅ合金和Ｓｉ形成的组分量子阱，主要研究了退火对重空穴基... 详细信息

用导纳谱技术研究了两类Ｓｉ基量子阱样品基态子能级的性质．基于量子阱中载流子的热激发模型，从导纳谱中得到的激发能值被认为是阱中重空穴基态位置到阱顶的距离．对于ＳｉＧｅ合金和Ｓｉ形成的组分量子阱，主要研究了退火对重空穴基态子能级的影响．发现样品的退火温度为８００℃时，随退火时间延长，激发能增加．对此现象的解释是，由于Ｓｉ，Ｇｅ互扩散，导致界面展宽，量子限制效应降低，重空穴基态位置下降，从而激发能增加．９００℃下退火，由于扩散系数增大和应变弛豫加强，激发能值单调下降，量子限制效应引起的变化被掩盖．对于Ｂ高浓度超薄层掺杂形成的量子阱结构样品，观察到在掺杂层掺杂浓度不变情况下，掺杂厚度的增加会导致量子阱中基态子能级位置下降，从而导致载流子激发能增加．

关键词：硅基量子阱子能级导纳谱基态

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量子阱结构的表面势对导纳谱测试结果的影响

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物理学报 2000年第6期49卷 1136-1140页

作者：高琦张胜坤蒋最敏陆昉复旦大学应用表面物理国家重点实验室上海200433

分别对于不同覆盖层厚度的单量子阱结构的样品以及同一覆盖层厚度不同偏压下的量子阱样品进行导纳谱测试 ,由于覆盖层厚度的不同以及外加偏压的不同引起样品结构的电势分布发生变化 ,从而用导纳谱测量得到的量子阱的激活能也发生很大变... 详细信息

分别对于不同覆盖层厚度的单量子阱结构的样品以及同一覆盖层厚度不同偏压下的量子阱样品进行导纳谱测试 ,由于覆盖层厚度的不同以及外加偏压的不同引起样品结构的电势分布发生变化 ,从而用导纳谱测量得到的量子阱的激活能也发生很大变化 ,通过变偏压的导纳谱测试 ,可对测试结果做出正确的判断 .

关键词：量子阱结构表面势导纳谱测试

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掺铒硅多孔化后的光致发光特性

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物理学报 2000年第2期49卷 383-387页

作者：顾岚岚熊祖洪陈刚徐少辉复旦大学应用表面物理国家重点实验室上海200433

采用一种新的方法制备掺Er多孔硅.首先通过分子束外延法生长Er,O共掺的硅外延层,然后通过常规的电化学阳极腐蚀法将外延层制备成掺Er离子的纳米硅柱结构.由于实现了Er离子在多孔硅中沿深度方向的均匀分布,得到峰宽仅6nm的Er3+本征发光.... 详细信息

采用一种新的方法制备掺Er多孔硅.首先通过分子束外延法生长Er,O共掺的硅外延层,然后通过常规的电化学阳极腐蚀法将外延层制备成掺Er离子的纳米硅柱结构.由于实现了Er离子在多孔硅中沿深度方向的均匀分布,得到峰宽仅6nm的Er3+本征发光.同时,由于铒与氧共掺于硅柱内部,多孔硅不再需要通过高温后处理引入氧来实现铒的光学激活.实验还对多孔化前后,Er3+的发光强度作出直观的比较,讨论多孔硅可见光及红外光区域的发光对Er3+红外发射的影响.

关键词：掺铒硅多孔硅光致发光特性

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空间限制与应变对发光多孔硅喇曼光谱的影响

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物理学报 1994年第3期43卷 494-498页

作者：杨敏黄大鸣郝平海张甫龙侯晓远王迅复旦大学应用表面物理国家重点实验室

发光多孔硅的喇曼光谱在５２０ｃｍ￣（－１）附近呈现一锐峰，峰位的红移随多孔度的增大而增大采用微晶模型拟合喇曼谱的线形，发现除了光学声子的空间限制效应，硅单晶的应变对峰位的移动也有显著贡献。通过谱形的拟合估算了硅微粒的... 详细信息

发光多孔硅的喇曼光谱在５２０ｃｍ￣（－１）附近呈现一锐峰，峰位的红移随多孔度的增大而增大采用微晶模型拟合喇曼谱的线形，发现除了光学声子的空间限制效应，硅单晶的应变对峰位的移动也有显著贡献。通过谱形的拟合估算了硅微粒的应变，与已报道的Ｘ射线衍射结果相一致。在多孔硅的喇曼光诸中没有观察到起源于非晶硅的光散射信号。

关键词：多孔硅发光散射谱应变空间限制

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手征马约拉纳费米子

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物理学报 2020年第11期69卷 246-252页

作者：王靖复旦大学物理系应用表面物理国家重点实验室上海200433

手征马约拉纳费米子是具有手性的无质量费米子,是其本身的反粒子,只能存在于1+1维(即1维空间+1维时间)或者9+1维.在凝聚态物理中, 1维手征马约拉纳费米子可看成1/2分数化的狄拉克费米子,并作为二维拓扑态的边缘元激发.奇数个手征马约拉... 详细信息

手征马约拉纳费米子是具有手性的无质量费米子,是其本身的反粒子,只能存在于1+1维(即1维空间+1维时间)或者9+1维.在凝聚态物理中, 1维手征马约拉纳费米子可看成1/2分数化的狄拉克费米子,并作为二维拓扑态的边缘元激发.奇数个手征马约拉纳费米子边缘态的存在也预示着体系中存在满足非阿贝尔量子统计的伊辛任意子.手征马约拉纳费米子也可进行非阿贝尔编织,理论上可用来实现容错量子计算,因此近年来在凝聚态物理研究中引起了广泛的兴趣.本文从二维拓扑态出发,介绍手征拓扑超导态和量子反常霍尔态之间的深刻联系,并由此得出量子反常霍尔平台转变与超导近邻实现手征马约拉纳费米子的方案,最后以单通道手征马约拉纳费米子为例,探讨其实现电子态的非阿贝尓量子门.

关键词：手征马约拉纳费米子拓扑超导量子反常霍尔效应非阿贝尔编织

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Sb/Si(001)表面的半经验研究

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物理学报 2000年第9期49卷 1747-1755页

作者：何垚车静光复旦大学物理系应用表面物理国家重点实验室上海200433

用基于Chadi模型和格林函数方法的一种计算表面应力的半经验方法研究了Sb吸附在Si(0 0 1)衬底上的性质 .结果显示 ,Sb原子在Si(0 0 1)表面形成对称的dimer,其键长为 0 2 93nm ,表面以下层的弛豫很小 .Sb/Si(0 0 1) 2× 1表面沿着di... 详细信息

用基于Chadi模型和格林函数方法的一种计算表面应力的半经验方法研究了Sb吸附在Si(0 0 1)衬底上的性质 .结果显示 ,Sb原子在Si(0 0 1)表面形成对称的dimer,其键长为 0 2 93nm ,表面以下层的弛豫很小 .Sb/Si(0 0 1) 2× 1表面沿着dimer方向的张应力为 1 0eV/ (1× 1cell) ,而沿垂直于dimer方向的压应力为 - 1 1eV/ (1× 1cell) .Sb/Si(0 0 1)表面应力的主要贡献来自于最上面三层表面 .

关键词：表面应力异质生长锑/硅半径验法

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