检索结果-内蒙古大学图书馆

光学学报 1993年第5期13卷 388-392页

作者：王健蒋红兵王文澄郑家骠张甫龙郝平海候晓远王迅复旦大学三束材料改性国家重点实验室上海200433 复旦大学应用表面物理国家重点实验室上海200433

最近的研究中,采用1.06μm超短脉冲光激发,在多孔硅表面观察到了有效的红外多光子激发的荧光发射.研究表明,这是一个增强的三阶非线性光学过程.本文利用其三阶非线性特性对具有强可见光发射的多孔硅结构进行了研究,结果显示晶体硅的各... 详细信息

最近的研究中,采用1.06μm超短脉冲光激发,在多孔硅表面观察到了有效的红外多光子激发的荧光发射.研究表明,这是一个增强的三阶非线性光学过程.本文利用其三阶非线性特性对具有强可见光发射的多孔硅结构进行了研究,结果显示晶体硅的各向异性特征在多孔硅中几乎被保留;此外,较强的激光激发导致的红外上转换荧光信号衰减过程被归结为与多孔硅表面氢的脱附有关.

关键词：多孔硅发光硅非线性光学

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用脉冲激光沉积方法制备氮化铝薄膜

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中国激光 2001年第3期28卷 272-274页

作者：凌浩施维孙剑应质峰吴嘉达李富铭王康林丁训民复旦大学三束材料改性国家重点实验室上海200433 复旦大学应用表面物理国家重点实验室上海200433

介绍了用脉冲激光沉积 (PLD)方法制备AlN薄膜的工作 ,在Si(10 0 )衬底上得到了光滑平整、透明度高的AlN薄膜 ,由实验结果拟合得到能隙宽度为 5 7eV。考察了衬底温度和退火温度的影响。

关键词：脉冲激光沉积氮化铝激光烧蚀薄膜

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电子束蒸发制备HfO_2高k薄膜的结构特性

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物理学报 2004年第8期53卷 2771-2774页

作者：阎志军王印月徐闰蒋最敏兰州大学物理系兰州730000 复旦大学应用表面物理国家重点实验室上海200433

使用高真空电子束蒸发在p型Si(1 0 0 )衬底上制备了高kHfO2 薄膜 .俄歇电子能谱证实薄膜组分符合化学配比 ;x射线衍射测量表明刚沉积的薄膜是近非晶的 ,高温退火后发生部分晶化 ;原子力显微镜和扫描电子显微镜检测显示在高温退火前后薄... 详细信息

使用高真空电子束蒸发在p型Si(1 0 0 )衬底上制备了高kHfO2 薄膜 .俄歇电子能谱证实薄膜组分符合化学配比 ;x射线衍射测量表明刚沉积的薄膜是近非晶的 ,高温退火后发生部分晶化 ;原子力显微镜和扫描电子显微镜检测显示在高温退火前后薄膜均具有相当平整的表面 ,表明薄膜具有优良的热稳定性 ;椭偏测得在 6 0 0nm处薄膜折射率为 2 0 9;电容电压测试得到的薄膜介电常数为 1 9.这些特性表明高真空电子束蒸发是一种很有希望的制备作为栅介质的HfO2

关键词：二氧化铪薄膜电子束蒸发高k薄膜俄歇电子能谱 X射线衍射测量薄膜折射率

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多孔硅光致发光的温度效应研究

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物理学报 1998年第8期47卷 1391-1396页

作者：刘小兵熊祖洪袁帅陈彦东何钧廖良生丁训民侯晓远复旦大学应用表面物理国家重点实验室长沙电力学院物理系

通过对多孔硅光致发光峰随测量温度变化的研究，发现随测量温度的下降，光致发光峰位有两种截然不同的移动方向：发光峰中心波长较长的样品，主峰向低能方向移动（即红移）；而发光峰位波长较短的样品则向高能方向移动（即蓝移）．根据... 详细信息

通过对多孔硅光致发光峰随测量温度变化的研究，发现随测量温度的下降，光致发光峰位有两种截然不同的移动方向：发光峰中心波长较长的样品，主峰向低能方向移动（即红移）；而发光峰位波长较短的样品则向高能方向移动（即蓝移）．根据多孔硅光致发光峰的温度效应，定性地给出了发光效率随波长变化的模拟曲线，并由此能较好地解释多孔硅光致发光峰位随温度变化而移动的实验现象．

关键词：峰位移动多孔硅光致发光温度效应

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分子束外延生长ZnO薄膜的XAFS研究

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核技术 2004年第7期27卷 494-496页

作者：吴志浩周映雪韦世强陈栋梁俞根才张新夷复旦大学物理系应用表面物理国家重点实验室上海中国科学技术大学国家同步辐射实验室合肥230029 复旦大学物理系应用表面物理国家重点实验室上海200433

利用同步辐射广延X射线吸收精细结构(EXAFS),研究在不同条件下分子束外延制备的ZnO薄膜,如分别在蓝宝石(0001)、Si(100)衬底上,生长温度为200℃或300℃下得到样品的局域结构。发现这些ZnO薄膜的EXAFS函数(k2x(k))谱形状相似,说明各个样... 详细信息

利用同步辐射广延X射线吸收精细结构(EXAFS),研究在不同条件下分子束外延制备的ZnO薄膜,如分别在蓝宝石(0001)、Si(100)衬底上,生长温度为200℃或300℃下得到样品的局域结构。发现这些ZnO薄膜的EXAFS函数(k2x(k))谱形状相似,说明各个样品都具有较为相近的基本局域结构。对生长温度为200℃的ZnO/Al2O3(0001)和ZnO/Si(100)样品,其Zn-O第一配位峰的无序度σ2分别为0.0054A2和0.0080 A2,当生长温度从200℃提高到300℃时,ZnO/Al203(0001)样品的Zn-O第一配位峰的无序度σ2降为0.0039 A2。结果表明衬底与ZnO的晶格失配度和生长温度对ZnO薄膜的配位数、Zn-O键长影响不大,但较小的晶格失配度和较高的生长温度下得到的ZnO薄膜局域有序性较高;且样品的局域结构越有序,相应的配位峰幅度也越高。

关键词：分子束外延 ZnO X射线吸收精细结构

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W(110)面二维氧化的低能电子显微镜研究

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物理学报 1997年第6期46卷 1048-1054页

作者：蔡群 MSAltman 复旦大学应用表面物理国家重点实验室香港科技大学物理系

应用低能电子显微术对Ｗ（１１０）面二维氧化结构进行了初步研究．随着氧暴露量的增加，低能电子衍射图样由清洁表面（１×１）结构转变成ｐ（２×１），再变为带有复杂衍射卫星点的ｐ（２×２）结构．利用低能电子显微术... 详细信息

应用低能电子显微术对Ｗ（１１０）面二维氧化结构进行了初步研究．随着氧暴露量的增加，低能电子衍射图样由清洁表面（１×１）结构转变成ｐ（２×１），再变为带有复杂衍射卫星点的ｐ（２×２）结构．利用低能电子显微术的暗场像模式，对（００）束附近的分数衍射斑点进行了放大成像，发现表面由两种对比度相差很大的区域组成，它们就是具有不同方位取向的氧超结构畴区．两种畴区的分布与衬底表面缺陷特别是表面台阶有一定的关系。

关键词：低能电子显微镜单晶 W(110) 二维氧化结构

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GaN异质外延的离子化氮源方法

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物理学报 1994年第7期43卷 1123-1128页

作者：贺仲卿丁训民侯晓远王迅沈孝良复旦大学应用表面物理国家重点实验室和李政道物理学综合实验室复旦大学分析测试中心

用电离Ｎ＿２产生的离子束作为外延生长氮化物的Ｎ源已获得成功，在ＧａＡｓ（１００）衬底上长出了具有立方结晶的ＧａＮ薄膜，其（２００）ｘ射线衍射峰宽仅２３’。并用高分辨率电子能量损失谱测到立方ＧａＮ的表面光学声子出现在损... 详细信息

用电离Ｎ＿２产生的离子束作为外延生长氮化物的Ｎ源已获得成功，在ＧａＡｓ（１００）衬底上长出了具有立方结晶的ＧａＮ薄膜，其（２００）ｘ射线衍射峰宽仅２３’。并用高分辨率电子能量损失谱测到立方ＧａＮ的表面光学声子出现在损失能量为８２ｍｅＶ处．

关键词：氮化镓外延生长离子源离子束

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富勒烯与β淀粉样肽低聚体结合的分子动力学模拟

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物理化学学报 2014年第8期30卷 1587-1596页

作者：周晓颖郗文辉韦广红应用表面物理国家重点实验室计算物质科学教育部重点实验室复旦大学物理系上海200433

本文通过分子动力学模拟研究富勒烯在Aβ42低聚体表面的结合过程.在结合过程中,C60在Aβ表面经历一系列尝试过程,最终找到某个稳定的结合位点.根据结合的残基不同,这些结合位点可以分为六类,其中核心疏水区域(CHC)位点(17LVFFA21)及Turn... 详细信息

本文通过分子动力学模拟研究富勒烯在Aβ42低聚体表面的结合过程.在结合过程中,C60在Aβ表面经历一系列尝试过程,最终找到某个稳定的结合位点.根据结合的残基不同,这些结合位点可以分为六类,其中核心疏水区域(CHC)位点(17LVFFA21)及Turn 27-31位点(27NKGAI31)具有最强的结合稳定性.二者的结合主要通过范德华作用稳定,而溶剂化效应则起相反作用.在这六类位点中的两个位点,观察到C60会对Aβ二级结构起破坏作用.其一位于核心疏水区域,C60有挤入多肽β片层中间的趋势;另外一位点位于N端,C60能够破坏外侧Aβ的3-5号残基的主链氢键,瓦解其末端的β片结构.这两个过程对理解富勒烯抑制Aβ聚集的微观机制提供了帮助.此外,在Turn 27-31位点以及Y10-H14位点,发现了富勒烯与Aβ纤维样聚集体结合的沟槽滚动机制,即富勒烯能够在淀粉样低聚体表面形成的特定沟槽内滚动.这一特征有助于预测富勒烯在其它淀粉样多肽表面的结合位点及结合行为.

关键词：多位点结合结合能二级结构破坏疏水口袋沟槽滚动机制

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p型Ge_xSi_(1-x)/Si多量子阱的红外吸收及其分析

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物理学报 1997年第4期46卷 740-746页

作者：俞敏峰杨宇沈文忠朱海军龚大卫盛篪王迅复旦大学应用表面物理国家重点实验室中国科学院上海冶金研究所中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室复旦大学表面物理国家重点实验室

通过测量ＧｅＳｉ多量子阱的红外谱，同时观察到了相应于量子阱内重空穴基态ＨＨ０到重空穴激发态ＨＨ１、轻空穴激发态ＬＨ１和自旋分裂带ＳＯ及连续态间的跃迁吸收．测量了ＧｅＳｉ多量子阱探测器的正入射光电流谱，看到了明显的光响... 详细信息

通过测量ＧｅＳｉ多量子阱的红外谱，同时观察到了相应于量子阱内重空穴基态ＨＨ０到重空穴激发态ＨＨ１、轻空穴激发态ＬＨ１和自旋分裂带ＳＯ及连续态间的跃迁吸收．测量了ＧｅＳｉ多量子阱探测器的正入射光电流谱，看到了明显的光响应峰．理论计算中计及了轻、重和自旋分裂带间的耦合及能带的非抛物性，并自洽考虑了哈特里势和交换相关势．与实验结果比较，认为带之间的耦合，使子带间的跃迁情况变得复杂。

关键词：多量子阱 GeSi 红外吸收

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亚稳态γ-Mn与GaAs(100)界面的形成:扩散和化学反应

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物理学报 1995年第1期44卷 115-121页

作者：张明董国胜徐敏陈艳金晓峰朱兴国复旦大学李政道物理综合实验室和应用表面物理国家重点实验室上海200433 浙江大学基础部

利用低能电子衍射、电子能量损失谱和X射线电子能谱,对亚稳态了γ-Mn在清洁、有序的GaAs(100)表面的淀积过程进行了研究.研究结果表明,淀积初期锰的生长是层状的.在生长过程中界面发生互混井伴随着Mn与衬底间的化学反应.我们用一简单的... 详细信息

利用低能电子衍射、电子能量损失谱和X射线电子能谱,对亚稳态了γ-Mn在清洁、有序的GaAs(100)表面的淀积过程进行了研究.研究结果表明,淀积初期锰的生长是层状的.在生长过程中界面发生互混井伴随着Mn与衬底间的化学反应.我们用一简单的模型对上述过程进行了理论计算,得到的结果与实验基本吻合.这对于进一步理解亚稳态γ-Mn的形成机理具有重要意义.

关键词：亚稳态γ-Mn GaAs(100) 界面扩散化学反应

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