检索结果-内蒙古大学图书馆

杂质对生长SiGe／Si量子阱发光材料的影响

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红外与毫米波学报 1995年第3期14卷 175-181页

作者：杨宇刘晓晗卢学坤黄大鸣蒋最敏龚大卫王迅复旦大学应用表面物理国家重点实验室

发现Ｓｉ源和Ｇｅ源中的深能级杂质是影响ＳｉＧｅ／Ｓｉ量子附带过激子发光的主要因素．研究了在低阻衬底上外延、在量子阱中重掺Ｓｂ或顶层中重掺Ｂ都将减弱甚至淬灭量子阱的带边激子发光．

关键词：硅源杂质量子阱发光锗源

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Ni纳米线阵列的铁磁共振研究

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物理学报 2006年第2期55卷 891-896页

作者：袁淑娟周仕明鹿牧上海大学物理系上海200444 复旦大学应用表面国家重点实验室复旦大学物理系上海200433 南京大学物理系固体微结构物理国家重点实验室南京210093

通过改变氧化电压和酸性溶液制备了孔径、孔隙率不同的阳极氧化铝模板,用电沉积方法在模板中制备了Ni有序纳米线阵列,并用铁磁共振技术和振动样品磁强计对其进行了研究.研究表明Ni纳米线阵列存在着较强的偶极相互作用,偶极相互作用与纳... 详细信息

通过改变氧化电压和酸性溶液制备了孔径、孔隙率不同的阳极氧化铝模板,用电沉积方法在模板中制备了Ni有序纳米线阵列,并用铁磁共振技术和振动样品磁强计对其进行了研究.研究表明Ni纳米线阵列存在着较强的偶极相互作用,偶极相互作用与纳米线的形状各向异性之间的竞争决定了纳米线的易磁化方向.随着纳米线阵列密度的增加,线间的偶极相互作用增加,使得纳米线易磁化方向从平行于纳米线方向渐趋向于垂直于纳米线的平面内.

关键词：纳米线铁磁共振偶极相互作用氧化铝模板

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一种新的亚稳态Mn的制备和结构研究

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Journal of Semiconductors 1993年第11期14卷 718-722,T001页

作者：朱兴国张明徐敏董国胜金晓峰复旦大学应用表面物理国家重点实验室

本文利用反射式高能电子衍射,对于Mn在GaAs(001)清洁表面上的分子束外延进行了研究,第一次从实验上直接观察到Mn的一种新的亚稳态,即γ-Mn(面心立方结构)。实验还发现,在靠近GaAs界面处的外延层中,晶格常数在平面内约有5％的膨胀,这一... 详细信息

本文利用反射式高能电子衍射,对于Mn在GaAs(001)清洁表面上的分子束外延进行了研究,第一次从实验上直接观察到Mn的一种新的亚稳态,即γ-Mn(面心立方结构)。实验还发现,在靠近GaAs界面处的外延层中,晶格常数在平面内约有5％的膨胀,这一晶格畸变随着与界面距离的增大而逐步减少。

关键词：锰制备分子束外延结构

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硅锗分子束外延层表面形貌的扫描隧道显微镜研究

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Journal of Semiconductors 1994年第6期15卷 409-415页

作者：周铁城蔡群朱昂如董树忠盛篪俞鸣人张翔龙王迅复旦大学应用表面物理国家重点实验室

本文用扫描隧道显微镜（ＳＴＭ）在大气环境中对硅分子束外延生长的一系列样品表面进行了形貌研究．在实空间观测到硅衬底上异质外延生长锗的初期表面形成锗岛，在检测外延生长层表面质量方面对反射式高能电子衍射（ＫＨＥＥＤ）和扫描... 详细信息

本文用扫描隧道显微镜（ＳＴＭ）在大气环境中对硅分子束外延生长的一系列样品表面进行了形貌研究．在实空间观测到硅衬底上异质外延生长锗的初期表面形成锗岛，在检测外延生长层表面质量方面对反射式高能电子衍射（ＫＨＥＥＤ）和扫描隧道显微镜进行了比较．

关键词：外延生长分子束外延硅锗显微镜

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掺铒SiO_x的光致发光特性

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物理学报 1998年第10期47卷 1741-1746页

作者：万钧盛篪陆肪龚大卫樊永良林峰王迅复旦大学应用表面物理国家重点实验室

利用分子束外延设备生长了掺铒ＳｉＯｘ，观察到铒掺入的同时Ｏ的掺入效率也得到提高．铒可以促进氧的掺入的原因是铒与氧在硅衬底表面反应，以络合物形式掺入硅中，从而提高了硅中氧的浓度．测量了铒在ＳｉＯｘ中的光致发光特性，结果... 详细信息

利用分子束外延设备生长了掺铒ＳｉＯｘ，观察到铒掺入的同时Ｏ的掺入效率也得到提高．铒可以促进氧的掺入的原因是铒与氧在硅衬底表面反应，以络合物形式掺入硅中，从而提高了硅中氧的浓度．测量了铒在ＳｉＯｘ中的光致发光特性，结果表明掺铒的ＳｉＯｘ的发光强度从１８Ｋ到３００Ｋ仅下降了约１／２，这说明Ｅｒ掺在ＳｉＯｘ中是一种降低发光强度的温度淬灭效应的途径，最后讨论了温度淬灭的机制．

关键词：半导体光致发光特性氧化硅掺饵硅基发光

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T型量子器件的理论研究

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复旦学报（自然科学版） 1993年第4期32卷 450-455页

作者：陈宇新徐光照蒋平复旦大学应用表面物理国家重点实验室

对两种T型电子波导器件即遥控栅量子晶体管和中间栅量子晶体管进行了理论研究.通过求解电子波函数分析了器件的输运性质,证明了器件中栅极对电导的调制效应,即器件的晶体管功能.同时,对多模效应的研究表明,多模的相关会减弱器件的干涉效... 详细信息

对两种T型电子波导器件即遥控栅量子晶体管和中间栅量子晶体管进行了理论研究.通过求解电子波函数分析了器件的输运性质,证明了器件中栅极对电导的调制效应,即器件的晶体管功能.同时,对多模效应的研究表明,多模的相关会减弱器件的干涉效应,从而影响器件的功能.

关键词：电子波导量子器件晶体管

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导纳谱研究锗硅单量子阱的退火效应

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Journal of Semiconductors 1998年第1期19卷 66-71页

作者：柯炼林峰张胜坤谌达宇陆昉王迅复旦大学应用表面物理国家重点实验室

利用导纳谱研究了锗硅单量子阱的热稳定性．导纳谱热发射模型的理论模拟和深能级缺陷研究表明：在９００℃以下退火１０分钟，晶格弛豫并不明显，但原子的互扩散引起量子阱中子能级严重降低．同时，我们计算出了原子的互扩散系数，以及... 详细信息

利用导纳谱研究了锗硅单量子阱的热稳定性．导纳谱热发射模型的理论模拟和深能级缺陷研究表明：在９００℃以下退火１０分钟，晶格弛豫并不明显，但原子的互扩散引起量子阱中子能级严重降低．同时，我们计算出了原子的互扩散系数，以及单量子阱Ｓｉ／Ｓｉ０．７５Ｇｅ０．２５／Ｓｉ中原子互扩散的热激活能１．０８ｅＶ．

关键词：锗硅单量子阱退火效应

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用高分辨电子能量损失谱和紫外光电子谱研究多孔硅的电子结构

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Journal of Semiconductors 1995年第1期16卷 13-18页

作者：郝平海侯晓远丁训民贺仲卿蔡卫中王迅复旦大学应用表面物理国家重点实验室

本文首次使用分辨电子能量损失谱（ＨＲＥＥＬＳ）和紫外光电子能谱（ＵＰＳ）研究新腐蚀的多孔硅样品（ＰＳ）的电子结构．实验结果发现，从ＨＲＥＥＬＳ谱中能量损失阈值测得的多孔硅的能隙最可几值移到２．９ｅＶ左右，与文献报道的... 详细信息

本文首次使用分辨电子能量损失谱（ＨＲＥＥＬＳ）和紫外光电子能谱（ＵＰＳ）研究新腐蚀的多孔硅样品（ＰＳ）的电子结构．实验结果发现，从ＨＲＥＥＬＳ谱中能量损失阈值测得的多孔硅的能隙最可几值移到２．９ｅＶ左右，与文献报道的光激发谱（ＰＬＥ）的结果相近．ＵＰＳ结果发现多孔硅费米能级到价带顶的距离不同于单晶硅，结合ＨＲＥＥＬＳ和ＵＰＳ结果可以初步得出多孔硅与硅界面的能带排列．

关键词：多孔硅电子结构电子能量损失谱紫外光电子谱

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有机薄膜电致发光器件失效过程的动态观测及分析

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发光学报 1998年第2期19卷 169-175页

作者：何钧廖良生周翔缪熙月熊祖洪侯晓远复旦大学应用表面物理国家重点实验室

对有机薄膜电致发光器件失效的全过程进行了显微动态观察．发现器件工作时，有机层／金属界面形成的气泡逐渐变大变多，最终导致器件完全失效．气泡中不仅含有水汽，还存在大量有机气体．

关键词：有机薄膜器件失效分析动态观测

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用久期微扰理论将弹簧振子模型退化为耦合模理论

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物理学报 2020年第7期69卷 114-120页

作者：朱存远李朝刚方泉汪茂胜彭雪城黄万霞安徽师范大学物理与电子信息学院芜湖241002 复旦大学应用表面物理国家重点实验室上海200433

尽管耦合模理论在过去几十年内已经被广泛研究,但它的理论来源还是困扰着广大研究者.在这里,基于久期微扰理论,将经典弹簧振子模型退化为耦合模理论,并将该理论用于解释音叉耦合的实验现象.研究表明这种方法将耦合模理论中每一项的系数... 详细信息

尽管耦合模理论在过去几十年内已经被广泛研究,但它的理论来源还是困扰着广大研究者.在这里,基于久期微扰理论,将经典弹簧振子模型退化为耦合模理论,并将该理论用于解释音叉耦合的实验现象.研究表明这种方法将耦合模理论中每一项的系数都与经典力学中的相关物理量建立关联,且理论和实验结果符合得很好.该研究为耦合模理论中每一项的来源提供了一种较严谨的推导方法,在线性耦合体系的理论研究方面有一定的指导意义.

关键词：线性耦合体系弹簧振子模型耦合模理论久期微扰理论

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