检索结果-内蒙古大学图书馆

用低能电子衍射(LEED),光电子能谱(XPS和UPS)研究GaSb(100)表面的各种再构:c(2×6),(1×3)和(2×3)。所有这三种再构表面都以有失列的Sb原子结尾。在Sb气氛中退火可使分子束外延(MBE)制备的、表面Sb原子形成二聚物的c(2×6)再构和离子轰击加退火(IBA)制备的、表面存在Ga岛的(2×3)再构均变为简单的(1×3)再构。

关键词： GaSb(100) 表面再构 LEED XPS

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

α-P/GaAs(100)界面的光电子能谱研究

引用

物理学报 1992年第4期41卷 689-696页

作者：卢学坤侯晓远董国胜丁训民复旦大学应用表面物理国家重点实验室上海200433

本文采用X射线光电子能谱、紫外光电子能谱和低能电子衍射对室温下P在GaAs(100)表面上的生长进行了研究。结果表明,在生长初期P是成团吸附的,随着淀积量的增加而生长成αP薄膜,该薄膜的价带结构与等离子体淀积的α-P:H薄膜的价带结构相... 详细信息

本文采用X射线光电子能谱、紫外光电子能谱和低能电子衍射对室温下P在GaAs(100)表面上的生长进行了研究。结果表明,在生长初期P是成团吸附的,随着淀积量的增加而生长成αP薄膜,该薄膜的价带结构与等离子体淀积的α-P:H薄膜的价带结构相似。在界面处有约一单层的P与衬底表面的Ga成键。α-P覆盖层使GaAs表面势垒下降约0.2eV。

关键词：砷化镓半导体界面光电子能谱磷

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

P与GaAs(100)表面相互作用的温度效应

引用

物理学报 1992年第10期41卷 1728-1736页

作者：卢学坤郝平海贺仲卿侯晓远丁训民复旦大学应用表面物理国家重点实验室上海200433

本文采用原位X射线光电子能谱、紫外光电子能谱、高分辨率电子能量损失谱和低能电子衍射技术,研究了温度对P与GaAs(100)表面相互作用的影响。结果表明,经退火后,室温下淀积于GaAs表面的非晶P大部分脱附,仅剩下少量无规分布于表面的P集... 详细信息

本文采用原位X射线光电子能谱、紫外光电子能谱、高分辨率电子能量损失谱和低能电子衍射技术,研究了温度对P与GaAs(100)表面相互作用的影响。结果表明,经退火后,室温下淀积于GaAs表面的非晶P大部分脱附,仅剩下少量无规分布于表面的P集团。集团中部分P与衬底Ga原子成键,另一部分P则以单质形式存在,继续提高温度退火,将使P集团中的P全部与衬底发生反应生成GaAsP薄层。在高温GaAs衬底上淀积P,将得到GaAsP固溶体薄层。这一薄层有望成为GaAs表面理想的钝化膜。

关键词：表面磷砷化镓相互作用温度相关

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

自旋极化扫描隧道显微术

引用

物理学进展 2002年第3期22卷 265-271页

作者：何睿华董国胜金晓峰复旦大学应用表面物理国家重点实验室上海200433

介绍一种新近发展起来的用于磁性表面磁成像技术———自旋极化扫描隧道显微术。该技术结合了扫描隧道显微术的原子分辨和其他磁成像技术中的自旋灵敏的特点 ,成为人们深入开展纳米磁性领域研究的强有力工具。

关键词：自旋极化扫描隧道显微磁成像纳米磁性原子分辨

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

ZnSe薄膜的激子光谱

引用

Journal of Semiconductors 2000年第12期21卷 1177-1182页

作者：盛传祥王兴军俞根才黄大鸣复旦大学应用表面物理国家重点实验室上海200433

采用分子束外延 (MBE)技术 ,在 Ga As(1 0 0 )衬底上生长了厚度从 0 .0 4 5到 1 .4μm的 Zn Se薄膜 .X射线衍射谱证实 ,随着薄膜厚度的增加 ,应变逐步弛豫 .测量了低温下样品的反射谱和光致发光谱 ,观察到轻重空穴的能级在不同应变下的... 详细信息

采用分子束外延 (MBE)技术 ,在 Ga As(1 0 0 )衬底上生长了厚度从 0 .0 4 5到 1 .4μm的 Zn Se薄膜 .X射线衍射谱证实 ,随着薄膜厚度的增加 ,应变逐步弛豫 .测量了低温下样品的反射谱和光致发光谱 ,观察到轻重空穴的能级在不同应变下的分裂、移动和反转 ,以及激子极化激元 (Po-lariton)对反射谱的影响 .也观察到束缚激子发光随着薄膜厚度的变化规律 :束缚在中性受主杂质上的束缚激子发光 (I1峰 )随着薄膜厚度的增加逐渐变弱直至消失 ,而束缚在中性施主杂质上的束缚激子发光 (I2 峰 )则随着厚度增加逐渐增强 .

关键词： ZnSe 光致发光砷化镓激子光谱

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

高分辨率FFT-DLTS测试系统

引用

复旦学报（自然科学版） 2001年第3期40卷 255-260,267页

作者：刘天宇陆昉复旦大学应用表面物理国家重点实验室上海200433

相对于传统深能级瞬态谱 (DLTS)方法 ,快速傅立叶变换深能级瞬态谱 (FFT DLTS)方法具有灵敏度高 ,分辨率高等特点 ,但是由于用FFT DLTS方法在处理多能级DLTS系统时存在着系统误差从而限制了该方法的应用 .论证了该误差产生的原因并提出... 详细信息

相对于传统深能级瞬态谱 (DLTS)方法 ,快速傅立叶变换深能级瞬态谱 (FFT DLTS)方法具有灵敏度高 ,分辨率高等特点 ,但是由于用FFT DLTS方法在处理多能级DLTS系统时存在着系统误差从而限制了该方法的应用 .论证了该误差产生的原因并提出用迭代法来解多能级的傅立叶系数谱的方法 ;有效地解决了传统FFT DLTS方法所存在的问题 ;

关键词：深能级瞬态谱快速傅立叶变换分辨率半导体材料

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

Si(100)表面电子态的总电流谱研究

引用

物理学报 1992年第6期41卷 992-998页

作者：王向东胡际璜葛毓青戴道宣复旦大学应用表面物理国家重点实验室上海200433

用自制的总电流谱仪研究了Si(100)2×1清洁表面以及H原子饱和吸附后的Si(100)1×1-2H双氢化相表面的电子态。在清洁表面上测得的空电子态位于价带顶以上0.7eV处,而占有电子态则在价带顶以下0.25,8.4和近12eV处。在双氢化相表面... 详细信息

用自制的总电流谱仪研究了Si(100)2×1清洁表面以及H原子饱和吸附后的Si(100)1×1-2H双氢化相表面的电子态。在清洁表面上测得的空电子态位于价带顶以上0.7eV处,而占有电子态则在价带顶以下0.25,8.4和近12eV处。在双氢化相表面上还观测到处于价带顶以下两个诱导表面态。

关键词：硅表面电子态总电流谱

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

InSb(111)表面硫处理的研究

引用

物理学报 1992年第6期41卷 1036-1043页

作者：董国胜陆春明李喆深王迅复旦大学应用表面物理国家重点实验室上海200433

本文用俄歇电子能谱、X射线光电子能谱和紫外光电子能谱对用硫化铵溶液处理的InSb表面进行研究。结果表明,硫处理以后在样品表面生成。一层厚度约8A的硫化物钝化层,它对防止表面的氧化和碳沾污有明显的钝化作用。钝化层中,破原子既与锑... 详细信息

本文用俄歇电子能谱、X射线光电子能谱和紫外光电子能谱对用硫化铵溶液处理的InSb表面进行研究。结果表明,硫处理以后在样品表面生成。一层厚度约8A的硫化物钝化层,它对防止表面的氧化和碳沾污有明显的钝化作用。钝化层中,破原子既与锑原子成键,引起Sb3d芯能级发生1.9eV的化学位移;又与铟原子成键,引起In4d芯能级发生0.6—0.7eV的化学位移。350℃的真空退火使锑的硫化物发生分解。500℃退火没能使铟的硫化物完全分解,仍有一部分硫原子以铟的硫化物形式留在样品表面。

关键词：表面硫处理钝化层锑化甸

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

建议与咨询留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

时间限定

文献类型

馆藏选择

核心期刊

语言

文献类型

帮助

文字说明：

检索规则说明：

检索范例：

分类表

所选分类

限定检索结果

文献类型

馆藏范围

日期分布

学科分类号

主题

机构

作者

语言

请选择保存的检索档案：

请选择收藏分类：

通借通还

建议与咨询 留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

时间限定

文献类型

馆藏选择

核心期刊

语言

文献类型

帮助

文字说明：

检索规则说明：

检索范例：

分类表

所选分类

限定检索结果

文献类型

馆藏范围

日期分布

学科分类号

主题

机构

作者

语言

请选择保存的检索档案： 新增检索档案 确定 取消

请选择收藏分类： 新增自定义分类 确定 取消

通借通还

建议与咨询留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

请选择保存的检索档案：

请选择收藏分类：