本工作研究初始覆盖 Si 层的厚度和温度对自组织 Ge（Si）/Si（001）量子点形状、大小及其组分和应变的影响。量子点在400℃下覆盖 Si 层后,形貌均没有变化;（图1）在640℃下覆盖 Si 层后, 形貌发生变化：覆盖3．2,从圆顶演变为由{103...
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本工作研究初始覆盖 Si 层的厚度和温度对自组织 Ge（Si）/Si（001）量子点形状、大小及其组分和应变的影响。量子点在400℃下覆盖 Si 层后,形貌均没有变化;（图1）在640℃下覆盖 Si 层后, 形貌发生变化：覆盖3．2,从圆顶演变为由{103}面围成的金字塔;覆盖6．4,从圆顶演变为由{105} 面围成的金字塔和棚屋．利用拉曼光谱实验探测量子点在覆盖 Si 层前后的组分和应力的变化（图2）。根据实验结果计算得到没有覆盖 Si 层量子点的组分和应变分别为0．74和-0．98%;在400℃下覆盖 Si 层后,量子点的 Ge-Ge 和 Ge-Si 光学声子模峰的峰位均没有变化,表明量子点里面的组分和应变均没有改变;在640℃下覆盖 Si 层后,Ge-Ge 和 Ge-Si 光学声子模峰的峰位均出现蓝移,表明量子点的组分降低和应变增加。覆盖3．2,Ge-Ge 和 Ge-Si 光学声子模峰的峰位分别蓝移了2．3和5．5 cm, 量子点的组分和应变分别为0．71和-1．74%;覆盖6．4,Ge-Ge 和 Ge-Si 光学声子模峰的峰位分别蓝移了1．6和5．2 cm,量子点的组分和应变分别为0．69和-1．63%。考虑到体积的变化,量子点总的应变能增大。通过分析,量子点表面能的变化远小于应变能的变化。考虑到量子点下方的衬底应变能的变化,系统（衬底+量子点）的总能量才有可能下降。
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