检索结果-内蒙古大学图书馆

具有平面结构的四齿肼基硫代甲酸苄酯席夫碱镍配合物的合成,晶体结构和三阶非线性光学性质研究(英文)

无机化学学报 2002年第5期18卷 533-536页

作者：周建豪王玉晓陈学太宋瑛林翁林红游效曾南京大学配位化学国家重点实验室配位化学研究所南京210093 哈尔滨工业大学应用物理系哈尔滨150001 复旦大学化学系上海200433

A planar metal complex NiL, H2L=acenaphthenequinone bis(S benzyldithiocarbazate), 1, has been prepared via the template effect of nickel ion. Crystal structure of 1 was determined by X ray diffraction analysis and shows the planar coordination configuration around the central nickel atom. Z scan measurements show that 1 is a transition metal complex exhibiting high third order nonlinear optical effect.

关键词：镍平面结构晶体结构三阶线性光学四齿肼基硫代甲酸苄酯席夫碱配合物合成

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

(Si,Er)双注入热氧化硅的光致发光

引用

光谱学与光谱分析 2002年第4期22卷 538-541页

作者：肖志松徐飞张通和程国安顾岚岚北京师范大学射线束技术与材料改性教育部重点实验室北京师范大学低能核物理研究所北京市辐射中心北京100875 南昌大学材料科学与工程系江西南昌330047 复旦大学应用表面物理国家重点实验室上海200433

采用强流金属蒸汽真空弧 (MEVVA)离子源注入机 ,先将Si大束流注入热氧化SiO2 /单晶硅 ,直接形成镶嵌在SiO2 中的纳米晶Si,再小束流注入Er。Er离子在掺杂层中的浓度可达 10 2 1 cm-3 量级 ,大大地提高了作为孤立发光中心的Er3 +浓度。在 ... 详细信息

采用强流金属蒸汽真空弧 (MEVVA)离子源注入机 ,先将Si大束流注入热氧化SiO2 /单晶硅 ,直接形成镶嵌在SiO2 中的纳米晶Si,再小束流注入Er。Er离子在掺杂层中的浓度可达 10 2 1 cm-3 量级 ,大大地提高了作为孤立发光中心的Er3 +浓度。在 77K和室温下 ,观察到了Er3 +的 1 54

关键词：氧化硅离子注入纳米硅铒光致发光半导体材料掺杂稀土

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

LiBaF_3:Eu^(2+)真空紫外光谱研究

引用

发光学报 2002年第4期23卷 393-395页

作者：周映雪张新夷汪东升张国斌复旦大学应用表面物理国家重点实验室复旦大学同步辐射研究中心中国科学技术大学国家同步辐射实验室合肥230029

在室温下,二价稀土离子铕掺杂的LiBaF_3:Eu^(2+)粉末样品中,Eu2+的发射呈现双峰结构,有一峰值波长约为410nm的宽峰,对应于Eu2+的5d-4f跃迁,以及另一峰值波长约为360nm的窄峰,对应于Eu2+的4f-4f跃迁。在50～400nm波长范围,测量了样品的... 详细信息

在室温下,二价稀土离子铕掺杂的LiBaF_3:Eu^(2+)粉末样品中,Eu2+的发射呈现双峰结构,有一峰值波长约为410nm的宽峰,对应于Eu2+的5d-4f跃迁,以及另一峰值波长约为360nm的窄峰,对应于Eu2+的4f-4f跃迁。在50～400nm波长范围,测量了样品的反射光谱,并利用Kramers-Kronig关系,计算了吸收光谱。从吸收光谱中,可以看到在102nm处有明显的吸收边,得到LiBaF3材料的禁带宽度Eg约为12.1eV。在高能端有53.4,59.4,65.3,69.2和76.5nm的吸收峰,它们对应于Ba2+的5p电子和F的2p电子芯能级之间的跃迁。在低能量的183.4nm处,有很明显的吸收峰,推测这对应于本征缺陷的吸收。更低能量的吸收峰,则对应于禁带中的一些杂质能级。在未经紫外光或X射线辐照之前,用长波长（>450nm）光激发LiBaF3:Eu2+粉末样品,可以观测到Eu2+离子的360nm和410nm发光,亦表现出光激励发光特性。

关键词：真空紫外光谱光激励发光同步辐射 LiBaF3:Eu^2+ 铕掺杂钙钛矿型复合氟化物固体可调谐激光器发光特性激光材料

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

羧酸盐类成核剂在聚2,6-萘二甲酸乙二酯中的化学成核

引用

高分子学报 2002年第6期12卷 723-728页

作者：高峡刘瑞刚金曼娜卜海山中国科学院化学研究所分子科学中心高分子物理与化学国家重点实验室北京100080 复旦大学材料科学系上海200433

采用与PEN分子结构单元相似的 2 ,6 萘二甲酸二甲酯 (DMN)和熔点较低的邻氯苯甲酸钠 (SOCB)为模型化合物 ,用DSC、FTIR、带热台偏光显微镜 (HPOM)和HPLC等方法 ,研究了DMN和SOCB在热处理过程中的化学反应 .DSC和HPOM研究也证明了PEN与S... 详细信息

采用与PEN分子结构单元相似的 2 ,6 萘二甲酸二甲酯 (DMN)和熔点较低的邻氯苯甲酸钠 (SOCB)为模型化合物 ,用DSC、FTIR、带热台偏光显微镜 (HPOM)和HPLC等方法 ,研究了DMN和SOCB在热处理过程中的化学反应 .DSC和HPOM研究也证明了PEN与SOCB在高温下发生化学反应 .因而提出羧酸盐类成核剂在PEN中的成核是“化学成核” .即在高温下羧酸盐类成核剂和PEN发生化学反应 ,生成PEN的羧端基离子盐 ,该离子盐是真正的成核剂。

关键词：羧酸盐类成核剂聚2,6-萘二甲酸乙二酯化学成核 PEN 结晶速率

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

成核剂对聚2,6-萘二甲酸乙二酯结晶行为的影响

引用

高分子学报 2002年第6期12卷 717-722页

作者：高峡金曼娜卜海山中国科学院化学研究所分子科学中心高分子物理与化学国家重点实验室北京100080 复旦大学材料科学系上海200433

通过DSC、偏光显微镜 (POM)和小角激光散射 (SALS)研究了苯甲酸钠 (SB)对聚 2 ,6 萘二甲酸乙二酯(PEN)结晶行为的影响 .研究发现SB是PEN的成核剂 .在高温下 ,SB与PEN发生化学反应 ,生成可以起到成核作用的物质 ,降低了PEN的成核表面自... 详细信息

通过DSC、偏光显微镜 (POM)和小角激光散射 (SALS)研究了苯甲酸钠 (SB)对聚 2 ,6 萘二甲酸乙二酯(PEN)结晶行为的影响 .研究发现SB是PEN的成核剂 .在高温下 ,SB与PEN发生化学反应 ,生成可以起到成核作用的物质 ,降低了PEN的成核表面自由能位垒 ,提高了PEN在高温区的结晶速率 .同时 ,SB还可以提高PEN在低温区的结晶速率 .此外 ,SB的加入还使PEN分别在高温区和低温区结晶得到的多角晶和球晶尺寸减小 ,这表明不管在高温区还是在低温区 ,SB都可以提高PEN的成核速率 .而含有SB的PEN结晶样品的SALS图像变得弥散、模糊。

关键词：聚2,6-萘二甲酸乙二酯结晶行为成核剂 PEN 结晶速率结晶形态苯甲酸钠

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

退火温度对掺铒硅1.54μm光致发光的影响

引用

核技术 2002年第8期25卷 631-636页

作者：徐飞肖志松程国安易仲珍曾宇昕张通和顾岚岚复旦大学应用表面物理国家重点实验室南昌大学材料科学与工程系北京师范大学射线束技术与材料改性教育部重点实验室北京师范大学低能核物理研究所北京市辐射中心北京100875

利用金属蒸气真空弧 (MEVVA)离子源将稀土金属Er离子注入单晶硅中 ,经快速退火制备出掺铒硅发光薄膜。RBS分析表明掺铒硅的浓度接近 10at% ,即可达 10 2 1cm- 3量级。XRD分析薄膜物相结构发现 ,退火温度升高将导致Er偏析。通过RHEED和AF... 详细信息

利用金属蒸气真空弧 (MEVVA)离子源将稀土金属Er离子注入单晶硅中 ,经快速退火制备出掺铒硅发光薄膜。RBS分析表明掺铒硅的浓度接近 10at% ,即可达 10 2 1cm- 3量级。XRD分析薄膜物相结构发现 ,退火温度升高将导致Er偏析。通过RHEED和AFM显微分析可得 ,退火温度影响辐照损伤的恢复程度、Si固相外延再结晶和显微形貌。这些结构变化将影响掺铒硅发光薄膜1.5 4μm光致发光。

关键词：退火温度离子注入掺铒硅快速退火光致发光半导体材料结构发光薄膜发光材料

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

固体薄膜、超薄膜X射线测量结构表征

引用

北京同步辐射装置年报 2002年第1期 145-147页

作者：蒋最敏郑文莉贾全杰姜晓明复旦大学应用表面物理国家重点实验室上海200433 高能物理所国家同步辐射实验室，北京100039

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

茂金属支化聚乙烯的结构、形态与熔融行为

引用

高分子通报 2002年第3期 52-57,79页

作者：刘结平何天白复旦大学高分子科学系上海200433 长春应用化学研究所高分子物理及化学国家重点实验室长春130022

综述了茂金属支化聚乙烯的形态、结构和熔融行为。

关键词：茂金属支化聚乙烯结构结晶形态熔融行为

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

低束流Nd^(3+)注入硅基薄膜结构及光致发光的研究

引用

发光学报 2002年第4期23卷 377-380页

作者：曾宇昕王水凤元美玲程国安肖志松徐飞南昌大学材料科学工程系南昌大学物理系江西南昌330047 北京师范大学低能核物理研究所复旦大学应用表面物理国家重点实验室上海200433

采用金属蒸气真空弧离子源（MEVVA）制备了掺Nd3+硅基薄膜材料。用扫描电镜和X射线衍射观测了表面形貌及物相结构随注入条件、退火温度的变化,样品经1000°C退火处理形成NdSi相钕硅化合物。测试了样品的光致荧光谱,在254nm（～5.0e... 详细信息

采用金属蒸气真空弧离子源（MEVVA）制备了掺Nd3+硅基薄膜材料。用扫描电镜和X射线衍射观测了表面形貌及物相结构随注入条件、退火温度的变化,样品经1000°C退火处理形成NdSi相钕硅化合物。测试了样品的光致荧光谱,在254nm（～5.0eV）光激发下获得了紫蓝光区（410～430nm）和红光区（746nm）荧光发射,随着退火温度的升高,荧光强度增大。746nm红光光谱显示了Nd3+特征光发射跃迁（4F7/2,4S3/2→4I9/2）,讨论了注入层结构与荧光发射的相关性。

关键词：硅基薄膜离子注入 Nd^3+ 结构光致发光钕(Ⅲ) MEVVA 金属蒸气真空弧离子源

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

利用非周期PPLN晶体改善半导体激光束质量

引用

中国激光 2002年第6期29卷 485-488页

作者：林飞王韬钱列加中国科学院上海光学精密机械研究所高功率激光物理国家实验室上海201800 复旦大学光科学与工程系先进光子学材料与器件国家重点实验室上海200433

研究了倾斜非周期PPLN中二次谐波感受到的空间相移 ,结果表明可用来补偿入射基波的任意空间位相畸变。将其应用在横向位相畸变的半导体激光束的质量改善上。

关键词：非周期PPLN 空间相移光束质量半导体激光束效率

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

建议与咨询留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

时间限定

文献类型

馆藏选择

核心期刊

语言

文献类型

帮助

文字说明：

检索规则说明：

检索范例：

分类表

所选分类

限定检索结果

文献类型

馆藏范围

日期分布

学科分类号

主题

机构

作者

语言

请选择保存的检索档案：

请选择收藏分类：

通借通还

建议与咨询 留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

时间限定

文献类型

馆藏选择

核心期刊

语言

文献类型

帮助

文字说明：

检索规则说明：

检索范例：

分类表

所选分类

限定检索结果

文献类型

馆藏范围

日期分布

学科分类号

主题

机构

作者

语言

请选择保存的检索档案： 新增检索档案 确定 取消

请选择收藏分类： 新增自定义分类 确定 取消

通借通还

建议与咨询留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

请选择保存的检索档案：

请选择收藏分类：