检索结果-内蒙古大学图书馆

第六届全国分子束外延学术会议

作者：蒋最敏蒋伟荣施斌樊永良王迅复旦大学应用表面物理国家重点实验室(上海)

本文利用同步辐射光源对Si(001)衬底上自组织生长的单层和多层量子点的微结构进行了研究,利用掠入射X射线衍射结合常规X射线同时测量出量子点的组分和应变.

关键词： GeSi量子点微结构能带排列量子点组分量子点应变

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

用光学方法研究玻璃微珠电流变液颗粒间的相互作用

用光学方法研究玻璃微珠电流变液颗粒间的相互作用

引用

第三届全国电磁流变学术会议

作者：董翔陈哲怡张莉菲徐骏蒋永刚周鲁卫复旦大学应用表面物理国家重点实验室及物理系(上海)

运用一套适合研究颗粒间相互作用的双光镊系统,通过对颗粒聚集时间的测量,得出颗粒聚集时间和电场的平方成反比.这是第一次用电流变液颗粒在动态情况下直接验证电偶极子对间的相互作用.发展了一套使用高速CCD摄像机进行扩散波谱(DWS)测... 详细信息

运用一套适合研究颗粒间相互作用的双光镊系统,通过对颗粒聚集时间的测量,得出颗粒聚集时间和电场的平方成反比.这是第一次用电流变液颗粒在动态情况下直接验证电偶极子对间的相互作用.发展了一套使用高速CCD摄像机进行扩散波谱(DWS)测量的方法,首次实时测量具有颗粒结构的非各态历经体系的自相关函数,以研究电流变液机理,得到了玻璃微珠电流变液的结构响应时间和力的响应时间;测量了不同电场下体系相关函数的特征衰减时间随时间的变化.在不同电场下测量扩散系数可以反映出相互作用力与电场的平方成正比.

关键词：电流变液相互作用光镊扩散波谱玻璃微珠

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

掺铒硅基纳米发光薄膜的形成过程与性能研究　

引用

北京师范大学学报（自然科学版） 2001年第4期37卷 482-487页

作者：肖志松徐飞张通和程国安顾岚岚北京师范大学射线束技术与材料改性教育部重点实验室北京师范大学低能核物理研究所北京市辐射中心北京100875 复旦大学应用表面物理国家重点实验室上海200433 南昌大学材料科学与工程系

采用ＭＥＶＶＡ离子源强束流离子注入机，将稀土Ｅｒ离子注入单晶硅、Ｓｉ和Ｅｒ离子双注入单晶硅及热氧化硅，Ｅｒ在硅基薄膜中的掺杂原子分数可达１０％，即数密度约１０２１ｃｍ－３；注入态样品快速退火后有纳米晶Ｓｉ形成；７７ ... 详细信息

采用ＭＥＶＶＡ离子源强束流离子注入机，将稀土Ｅｒ离子注入单晶硅、Ｓｉ和Ｅｒ离子双注入单晶硅及热氧化硅，Ｅｒ在硅基薄膜中的掺杂原子分数可达１０％，即数密度约１０２１ｃｍ－３；注入态样品快速退火后有纳米晶Ｓｉ形成；７７Ｋ和室温时用４４１．６ｎｍ光激发有Ｅｒ３＋较强的１．５４μｍ特征光发射．探讨了在硅基材料中高浓度Ｅｒ掺杂薄膜中纳米结构的形成与Ｅｒ３＋的光致发光性能，

关键词：纳米硅离子注入光致发光铒掺杂

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

细菌视紫红质膜的光电荷转移动力学过程的研究

引用

光学学报 2001年第1期21卷 106-110页

作者：黄玉华赵有源欧阳晓平龚勤敢杨群陈凌冰李富铭张忠宾刘坚丁建东李庆国复旦大学物理系.光科学及工程系三束材料改性国家重点实验室上海200433 西北工业大学声学工程研究所西安710072 复旦大学高分子科学系上海200433 复旦大学生物与生物物理学系上海200433

实验测量了细菌视紫红质 (bR)分别经波长为 10 6 4nm、5 32nm和 35 5nm ,脉冲宽度为 10ns的三种不同的脉冲激光照射后产生的不同的光电压信号 ,着重用 5 32nm脉冲光激发样品 ,从变化的测量回路的阻抗所得到的不同光电信号情况 ,研究并... 详细信息

实验测量了细菌视紫红质 (bR)分别经波长为 10 6 4nm、5 32nm和 35 5nm ,脉冲宽度为 10ns的三种不同的脉冲激光照射后产生的不同的光电压信号 ,着重用 5 32nm脉冲光激发样品 ,从变化的测量回路的阻抗所得到的不同光电信号情况 ,研究并分析了细菌视紫红质的光电荷的产生和转移的微观机制。结果表明 ,其正负脉冲光电压信号是正负两种电荷移动的结果 ,而正电荷的产生比负电荷的产生需要克服更高的能量 ,同时 ,正负电荷既具有各自的转移特性又相互影响 ,如正电荷移动速度慢 ,负电荷移动速度快 ,负电荷对正电荷有牵引作用等 ,这些特性与电极和样品之间形成的界面效应有关。

关键词：细菌视紫红质光电压信号电荷转移动力学生物膜

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

PtMn/Co多层薄膜结构及磁光克尔效应的研究

引用

光学学报 2001年第9期21卷 1144-1147页

作者：周勋梁冰青王海唐云俊樊金华龚伦训王荫君陈良尧中国科学院物理研究所磁学国家重点实验室北京100080 贵州师范大学物理系贵阳550001 复旦大学物理系上海200433

用磁控溅射法制备了不同Mn含量的PtMn/Co多层膜 ,通过大、小角X射线衍射谱对该多层膜进行结构分析 ,研究了该多层膜的层状结构同磁光克尔效应的关系 ;通过测定该多层膜在不同杂质浓度下的克尔谱、椭偏率谱及克尔回线 ,发现克尔角随Mn含... 详细信息

用磁控溅射法制备了不同Mn含量的PtMn/Co多层膜 ,通过大、小角X射线衍射谱对该多层膜进行结构分析 ,研究了该多层膜的层状结构同磁光克尔效应的关系 ;通过测定该多层膜在不同杂质浓度下的克尔谱、椭偏率谱及克尔回线 ,发现克尔角随Mn含量增加的变化规律。

关键词：磁光特性 X射线衍射克尔效应 PtMn/Co 多层膜结构产生机制

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

X射线驻波方法研究半导体超薄异质外延层

引用

Beijing Synchrotron Radiation Facility 2001年第2期 198-204,页

作者：姜晓明贾全杰胡天斗黄宇营郑文莉何伟冼鼎昌施斌蒋最敏王复旦大学应用表面物理国家重点实验室，上海200433 中国科学院高能物理研究所，北京100039

利用双晶单色器和精密二圆衍射仪，在北京同步辐射装置建立了同步辐射X射线驻波实验技术，并用这一实验技术结合X射线衍射方法，研究了Si晶体中外延生长的起薄Ge原于层的微结构。实验结果表明，由于Ge原予的偏析，在Si晶体样品中形成了... 详细信息

利用双晶单色器和精密二圆衍射仪，在北京同步辐射装置建立了同步辐射X射线驻波实验技术，并用这一实验技术结合X射线衍射方法，研究了Si晶体中外延生长的起薄Ge原于层的微结构。实验结果表明，由于Ge原予的偏析，在Si晶体样品中形成了共格生长的GexSi1-x合金层，浓度平均值为x≈0.13；650℃退大会使Ge原予向表面扩散，Si晶体中的合金层消失，在晶体表面形成接近纯Ge的单原于层。

关键词： X射线驻波方法半导体超薄异质外延层硅晶体外延生长 Ge 锗

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

Ge薄层异质结构的同步辐射X射线反射法研究

引用

Beijing Synchrotron Radiation Facility 2001年第2期 187-193,页

作者：郑文莉贾全杰姜晓明蒋最敏复旦大学应用表面物理国家重点实验室，上海200433 中国科学院高能物理研究所北京100039

用X射线反射方法研究了分子束外延技术生长的Si中Ge薄层异质结构的Ge原子分布特性．根据X射线反射理论及Parratt数值计算方法对实验反射曲线的模拟，得到不同厚度的Ge薄层异质结构样品中Ge原子的深度分布为非对称指数形式：在靠近样品... 详细信息

用X射线反射方法研究了分子束外延技术生长的Si中Ge薄层异质结构的Ge原子分布特性．根据X射线反射理论及Parratt数值计算方法对实验反射曲线的模拟，得到不同厚度的Ge薄层异质结构样品中Ge原子的深度分布为非对称指数形式：在靠近样品表面一侧的衰减长度为8埃，而在靠近样品衬底一侧的衰减长度为3埃，且分布形式与Ge原子层的厚度无关。讨论了不同结构参数(Ge原子薄层的深度、Ce原子分布范围、样品表面粗糙度、样品表面氧化层厚度等)对样品低角反射曲线的影响．

关键词：同步辐射X射线反射法薄层异质结构锗 Ge 半导体材料表面偏析分子束外延晶体薄膜生长

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

直流电场诱导LB膜中分子重新取向研究

引用

光子学报 2001年第6期30卷 699-703页

作者：韩奎吴玉喜张学龙张国营陆兴泽王文澄中国矿业大学理学院物理科学与技术系江苏徐州221008 复旦大学物理系三束材料改性国家重点实验室与激光物理研究室上海200433

用旋转二次谐波产生方法研究了半花菁 /花生酸 Y型交替 LB多层膜中由外加法向直流电场诱导的分子的重新取向 .外加法向直流电场能够有效地改变 L B膜中光学活性半花菁分子的取向 ,迫使其长轴转向电场的方向 .随着极化电场的增大 ,分子... 详细信息

用旋转二次谐波产生方法研究了半花菁 /花生酸 Y型交替 LB多层膜中由外加法向直流电场诱导的分子的重新取向 .外加法向直流电场能够有效地改变 L B膜中光学活性半花菁分子的取向 ,迫使其长轴转向电场的方向 .随着极化电场的增大 ,分子在基板平面内的各向异性逐渐减小 ,而二次谐波强度的增量则随外加电场的增大而呈现平方增长的规律 .在室温下 ,用 1 .3× 1 0 6 V/ m的电场极化 1 0 min,可以使半花菁 L

关键词： Langmuir-Blodgett多层膜二次谐波产生电场极化半花菁分子取向

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

ECR等离子体辅助反应脉冲激光沉积氮化碳薄膜

ECR等离子体辅助反应脉冲激光沉积氮化碳薄膜

引用

第四届中国功能材料及其应用学术会议

作者：施维凌浩孙剑章企吴嘉达应质峰丁训民李富铭复旦大学光科学与工程系三束材料改性国家重点实验室复旦大学物理系应用表面物理国家重点实验室

利用电子回旋共振等离子体辅助反应脉冲激光沉积的方法制备了氮化碳薄膜。成分分析显示,制备的薄膜主要由C和N两种元素组成,其中N的含量可高于50%,且膜层均匀.同时X射线光电子能谱(XPS),傅立叶变换红外谱(FTIR)以及喇曼光谱(Raman)分析... 详细信息

利用电子回旋共振等离子体辅助反应脉冲激光沉积的方法制备了氮化碳薄膜。成分分析显示,制备的薄膜主要由C和N两种元素组成,其中N的含量可高于50%,且膜层均匀.同时X射线光电子能谱(XPS),傅立叶变换红外谱(FTIR)以及喇曼光谱(Raman)分析都表明,膜层中除了部分C-C键外,N主要与sp

关键词：氮化碳脉冲激光沉积 ECR等离子体

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

SiO_x调制的三元硅化物(Co_(1-x)Ni_x)Si_2外延

引用

Journal of Semiconductors 2001年第10期22卷 1269-1273页

作者：韩永召李炳宗茹国平屈新萍曹永峰徐蓓蕾蒋玉龙王连卫张荣耀朱剑豪复旦大学电子工程系上海200433 中国科学院上海冶金研究所功能材料国家重点实验室上海200050 香港中文大学电子工程和材料科学与技术研究中心香港城市大学物理和材料科学系

报道了通过 Co/ Ni/ Si Ox/ Si(10 0 )体系固相反应 ,实现三元硅化物 (Co1 - x Nix) Si2 薄膜外延生长及薄膜特性的表征 .测试结果表明 ,中间氧化硅层对原子扩散起到阻挡作用 .XRD和 RBS图谱显示 ,有中间层的样品所形成的硅化物膜和硅... 详细信息

报道了通过 Co/ Ni/ Si Ox/ Si(10 0 )体系固相反应 ,实现三元硅化物 (Co1 - x Nix) Si2 薄膜外延生长及薄膜特性的表征 .测试结果表明 ,中间氧化硅层对原子扩散起到阻挡作用 .XRD和 RBS图谱显示 ,有中间层的样品所形成的硅化物膜和硅衬底有良好的外延关系 .而 Co/ Ni/ Si(10 0 )体系 ,则形成多晶硅化物膜 ,和硅衬底没有外延关系 .外延三元硅化物 (Co1 - x Nix) Si2 膜的晶格常数介于 Co Si2 和 Ni Si2 之间 ,从而可以降低生成膜的应力 .薄膜的厚度约为110 nm;最小沟道产额 (χmin)为 2 2 % .外延三元硅化物膜的电阻率约为 17μΩ· cm ;高温稳定性达 10 0 0℃ ,与 Co

关键词：三元硅化物固相反应外延

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

建议与咨询留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

时间限定

文献类型

馆藏选择

核心期刊

语言

文献类型

帮助

文字说明：

检索规则说明：

检索范例：

分类表

所选分类

限定检索结果

文献类型

馆藏范围

日期分布

学科分类号

主题

机构

作者

语言

请选择保存的检索档案：

请选择收藏分类：

通借通还

建议与咨询 留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

时间限定

文献类型

馆藏选择

核心期刊

语言

文献类型

帮助

文字说明：

检索规则说明：

检索范例：

分类表

所选分类

限定检索结果

文献类型

馆藏范围

日期分布

学科分类号

主题

机构

作者

语言

请选择保存的检索档案： 新增检索档案 确定 取消

请选择收藏分类： 新增自定义分类 确定 取消

通借通还

建议与咨询留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

请选择保存的检索档案：

请选择收藏分类：