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第九届全国发光学术会议

作者：徐飞肖志松程国安曾宇昕张通和顾岚岚复旦大学应用表面物理国家重点实验室北京师范大学射线束技术与材料改性教育部重点实验室南昌大学材料科学与工程系南昌大学材料科学与工程系北京师范大学射线束技术与材料改性教育部重点实验室复旦大学应用表面物理国家重点实验室

稀土离子特别是Er在光通讯技术的发展中起了巨大的作用。Er从第一激发态I跃迁到基态I时发射能量为0.8 eV的光子,相应的波长为1.54μm。这是一个十分重要的通讯波长,此波长对于光纤通讯石英玻璃具有最小的光吸收。这些特性对硅基光集成... 详细信息

稀土离子特别是Er在光通讯技术的发展中起了巨大的作用。Er从第一激发态I跃迁到基态I时发射能量为0.8 eV的光子,相应的波长为1.54μm。这是一个十分重要的通讯波长,此波长对于光纤通讯石英玻璃具有最小的光吸收。这些特性对硅基光集成和光纤通讯的发展具有重要的意义。

关键词：富硅氧化硅铒掺杂光纤通讯红外光发射

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基于多孔硅分布Bragg反射镜的有机微腔的光学性质

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物理学报 2000年第10期49卷 2083-2088页

作者：吕明徐少辉张松涛何钧熊祖洪邓振波丁训民复旦大学应用表面物理国家重点实验室上海200433

报道了采用多孔硅多层膜作为Bragg反射镜的有机半导体光学微腔 .被测样品的光致发光谱半高宽可由无微腔下的 83nm窄化为有微腔时的 4nm ,非共振模得到有效的抑制 .同时共振峰强度的增强和峰位随出射角增大的“蓝移”

关键词：微腔多孔硅有机半导体 BRAGG反射镜光学性质

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掺铒硅多孔化后的光致发光特性

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物理学报 2000年第2期49卷 383-387页

作者：顾岚岚熊祖洪陈刚徐少辉复旦大学应用表面物理国家重点实验室上海200433

采用一种新的方法制备掺Er多孔硅.首先通过分子束外延法生长Er,O共掺的硅外延层,然后通过常规的电化学阳极腐蚀法将外延层制备成掺Er离子的纳米硅柱结构.由于实现了Er离子在多孔硅中沿深度方向的均匀分布,得到峰宽仅6nm的Er3+本征发光.... 详细信息

采用一种新的方法制备掺Er多孔硅.首先通过分子束外延法生长Er,O共掺的硅外延层,然后通过常规的电化学阳极腐蚀法将外延层制备成掺Er离子的纳米硅柱结构.由于实现了Er离子在多孔硅中沿深度方向的均匀分布,得到峰宽仅6nm的Er3+本征发光.同时,由于铒与氧共掺于硅柱内部,多孔硅不再需要通过高温后处理引入氧来实现铒的光学激活.实验还对多孔化前后,Er3+的发光强度作出直观的比较,讨论多孔硅可见光及红外光区域的发光对Er3+红外发射的影响.

关键词：掺铒硅多孔硅光致发光特性

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量子阱结构的表面势对导纳谱测试结果的影响

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物理学报 2000年第6期49卷 1136-1140页

作者：高琦张胜坤蒋最敏陆昉复旦大学应用表面物理国家重点实验室上海200433

分别对于不同覆盖层厚度的单量子阱结构的样品以及同一覆盖层厚度不同偏压下的量子阱样品进行导纳谱测试 ,由于覆盖层厚度的不同以及外加偏压的不同引起样品结构的电势分布发生变化 ,从而用导纳谱测量得到的量子阱的激活能也发生很大变... 详细信息

分别对于不同覆盖层厚度的单量子阱结构的样品以及同一覆盖层厚度不同偏压下的量子阱样品进行导纳谱测试 ,由于覆盖层厚度的不同以及外加偏压的不同引起样品结构的电势分布发生变化 ,从而用导纳谱测量得到的量子阱的激活能也发生很大变化 ,通过变偏压的导纳谱测试 ,可对测试结果做出正确的判断 .

关键词：量子阱结构表面势导纳谱测试

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Sb/Si(001)表面的半经验研究

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物理学报 2000年第9期49卷 1747-1755页

作者：何垚车静光复旦大学物理系应用表面物理国家重点实验室上海200433

用基于Chadi模型和格林函数方法的一种计算表面应力的半经验方法研究了Sb吸附在Si(0 0 1)衬底上的性质 .结果显示 ,Sb原子在Si(0 0 1)表面形成对称的dimer,其键长为 0 2 93nm ,表面以下层的弛豫很小 .Sb/Si(0 0 1) 2× 1表面沿着di... 详细信息

用基于Chadi模型和格林函数方法的一种计算表面应力的半经验方法研究了Sb吸附在Si(0 0 1)衬底上的性质 .结果显示 ,Sb原子在Si(0 0 1)表面形成对称的dimer,其键长为 0 2 93nm ,表面以下层的弛豫很小 .Sb/Si(0 0 1) 2× 1表面沿着dimer方向的张应力为 1 0eV/ (1× 1cell) ,而沿垂直于dimer方向的压应力为 - 1 1eV/ (1× 1cell) .Sb/Si(0 0 1)表面应力的主要贡献来自于最上面三层表面 .

关键词：表面应力异质生长锑/硅半径验法

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ZnSe薄膜的激子光谱

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Journal of Semiconductors 2000年第12期21卷 1177-1182页

作者：盛传祥王兴军俞根才黄大鸣复旦大学应用表面物理国家重点实验室上海200433

采用分子束外延 (MBE)技术 ,在 Ga As(1 0 0 )衬底上生长了厚度从 0 .0 4 5到 1 .4μm的 Zn Se薄膜 .X射线衍射谱证实 ,随着薄膜厚度的增加 ,应变逐步弛豫 .测量了低温下样品的反射谱和光致发光谱 ,观察到轻重空穴的能级在不同应变下的... 详细信息

采用分子束外延 (MBE)技术 ,在 Ga As(1 0 0 )衬底上生长了厚度从 0 .0 4 5到 1 .4μm的 Zn Se薄膜 .X射线衍射谱证实 ,随着薄膜厚度的增加 ,应变逐步弛豫 .测量了低温下样品的反射谱和光致发光谱 ,观察到轻重空穴的能级在不同应变下的分裂、移动和反转 ,以及激子极化激元 (Po-lariton)对反射谱的影响 .也观察到束缚激子发光随着薄膜厚度的变化规律 :束缚在中性受主杂质上的束缚激子发光 (I1峰 )随着薄膜厚度的增加逐渐变弱直至消失 ,而束缚在中性施主杂质上的束缚激子发光 (I2 峰 )则随着厚度增加逐渐增强 .

关键词： ZnSe 光致发光砷化镓激子光谱

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β-GaS钝化的GaAs表面的光电子能谱

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Journal of Semiconductors 2000年第11期21卷 1080-1085页

作者：董阳王康林丁训民来冰曹先安侯晓远复旦大学应用表面物理国家重点实验室上海200433

在 Ga As表面淀积β- Ga S是一种可行的 Ga As表面钝化方法 .用光电子能谱研究了超薄Ga S淀积后的 Ga As表面 ,分析了表面成分 .并发现 Ga S的淀积能使 Ga As原有的表面能带弯曲减小 0 .4e V,这意味着表面费米能级钉扎在一定程度上得到... 详细信息

在 Ga As表面淀积β- Ga S是一种可行的 Ga As表面钝化方法 .用光电子能谱研究了超薄Ga S淀积后的 Ga As表面 ,分析了表面成分 .并发现 Ga S的淀积能使 Ga As原有的表面能带弯曲减小 0 .4e V,这意味着表面费米能级钉扎在一定程度上得到消除 .给出了一个半定量的理论模型 ,来解释 Ga

关键词： GaAs表面光电子能谱 β-GaS钝化砷化镓

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反射干涉光谱法测量固体薄膜的光学常数和厚度

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光谱学与光谱分析 2000年第3期20卷 283-285页

作者：杨鹏徐志凌徐雷复旦大学物理系三束材料改性国家重点实验室上海200433

本文报道一种简单的方法 ,从平面介质薄膜的反射干涉光谱来计算薄膜的光学常数和厚度。当一束光照射在基板上的介质膜上时 ,由于膜上下界面反射光的相干 ,会使反射光谱的曲线有一定的波动。我们对反射相干光谱进行理论分析 ,给出计算公... 详细信息

本文报道一种简单的方法 ,从平面介质薄膜的反射干涉光谱来计算薄膜的光学常数和厚度。当一束光照射在基板上的介质膜上时 ,由于膜上下界面反射光的相干 ,会使反射光谱的曲线有一定的波动。我们对反射相干光谱进行理论分析 ,给出计算公式 ,从测量曲线中的实验值得出薄膜的光学常数 n、k以及厚度等参数。此种方法简单可行 ,而且易于编程处理。

关键词：薄膜反射干涉光谱折射率厚度

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束缚电荷对玻璃材料二阶光学非线性的影响

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物理学报 2000年第8期49卷 1503-1506页

作者：徐志凌杨鹏刘丽英侯占佳徐雷王文澄三束材料改性国家重点实验室复旦大学物理系上海200433

对电场极化后薄膜材料与体材料二阶光学非线性的比较研究表明 ,二者具有相同的极化和弛豫特性 .分析了束缚电荷的形成及其对二阶光学非线性的影响 ,定性地从理论上指出。

关键词：玻璃极化束缚电荷二阶光学非线性

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硼原子对Si(100)衬底上Ge量子点生长的影响

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Journal of Semiconductors 2000年第8期21卷 765-769页

作者：周星飞施斌蒋伟荣胡冬枝樊永良龚大卫张翔九蒋最敏复旦大学应用表面物理国家重点实验室上海200433

研究了硼原子对 Si( 1 0 0 )衬底上 Ge量子点自组织生长的影响 .硼原子的数量由 0单原子层变到 0 .3单原子层 .原子力显微镜的观察表明 ,硼原子不仅对量子点的大小 ,而且对其尺寸均匀性及密度都有很大影响 .当硼原子的数量为 0 .2单原... 详细信息

研究了硼原子对 Si( 1 0 0 )衬底上 Ge量子点自组织生长的影响 .硼原子的数量由 0单原子层变到 0 .3单原子层 .原子力显微镜的观察表明 ,硼原子不仅对量子点的大小 ,而且对其尺寸均匀性及密度都有很大影响 .当硼原子的数量为 0 .2单原子层时 ,获得了底部直径为 60± 5nm,面密度为 6× 1 0 9cm- 2 ,且均匀性很好的 Ge量子点 .另外 ,还简单讨论了硼原子对 Ge量子点自组织生长影响的机制 .

关键词：量子点生长硅衬底硼原子锗

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