检索结果-内蒙古大学图书馆

物理 2000年第3期29卷 178-181页

作者：钱冬董国胜金晓峰复旦大学应用表面物理国家重点实验室上海200433

介绍一种新近发展起来的，利用光学非线性效应来进行磁学测量的实验方法———磁诱导的光学二次谐波．该方法不仅对于表面的对称性及磁性结构具有极高的探测灵敏度，更重要的是它还是现在极少数可对多层薄膜的界面进行研究的技术，这为... 详细信息

介绍一种新近发展起来的，利用光学非线性效应来进行磁学测量的实验方法———磁诱导的光学二次谐波．该方法不仅对于表面的对称性及磁性结构具有极高的探测灵敏度，更重要的是它还是现在极少数可对多层薄膜的界面进行研究的技术，这为当今非常活跃的磁性单层、多层膜的研究工作提供了一个强有力的手段．

关键词：非线性磁诱导二次谐波光学薄膜

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PtMn/Co多层膜的磁光特性研究

引用

物理学报 2000年第10期49卷 2059-2065页

作者：梁冰青陈熹周勋刘洪王海唐云俊王荫君王松有陈良尧中国科学院物理研究所磁学国家重点实验室和凝聚态物理中心北京100080 贵州师范大学物理系贵阳550001 首都师范大学物理系北京100037 复旦大学物理系上海200433

采用磁控溅射法制备了一系列的Mn掺杂的PtMn/Co多层膜 .通过测量得到的磁光常数和光学常数 ,计算介电张量的对角元和非对角元 ,得到在掺杂较大时 ,克尔角的变化是由于介电张量的非对角元引起的 ;在掺杂量较小时 ,克尔角的变化是由介电... 详细信息

采用磁控溅射法制备了一系列的Mn掺杂的PtMn/Co多层膜 .通过测量得到的磁光常数和光学常数 ,计算介电张量的对角元和非对角元 ,得到在掺杂较大时 ,克尔角的变化是由于介电张量的非对角元引起的 ;在掺杂量较小时 ,克尔角的变化是由介电张量的对角元和非对角元以及光学常数的变化引起的 .

关键词：多层膜磁光效应克尔效应

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LB膜中聚集体的类型及其荧光特性研究

引用

发光学报 2000年第1期21卷 48-52页

作者：王文军徐建华刘秀姜永强王恭明陆兴泽蔡志岗杨佩青周建英复旦大学物理系三束改性国家重点实验室上海200433 中山大学超快速激光光谱学国家重点实验室广东广州510275

采用稳态和时间分辨荧光研究了不同类型的 LB多层膜中分子聚集特性。在半花菁 /花生酸交替膜中 ,花生酸层的隔离使得半花菁分子之间的相互作用主要发生在同一层中 ,形成 H聚集体 ,荧光光谱蓝移 ;在纯半花菁 Y型和 Z型膜中 ,较强的层间... 详细信息

采用稳态和时间分辨荧光研究了不同类型的 LB多层膜中分子聚集特性。在半花菁 /花生酸交替膜中 ,花生酸层的隔离使得半花菁分子之间的相互作用主要发生在同一层中 ,形成 H聚集体 ,荧光光谱蓝移 ;在纯半花菁 Y型和 Z型膜中 ,较强的层间相互作用使分子形成 J聚集体 ,导致荧光光谱发生显著红移。

关键词： LB膜多层膜聚集体时间分辨荧光

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GeSi/SiMach-Zehnder干涉型调制器的研制

引用

光电子．激光 2000年第1期11卷 14-16页

作者：李宝军万建军李国正刘恩科胡冬枝裴成文秦捷蒋最敏王迅复旦大学应用表面物理国家重点实验室上海200433 西安交通大学微电子工程系西安710049

基于 Ge Si合金的等离子体色散效应 ,研制了一种 Mach- Zehnder干涉型调制器 ,通过对其损耗和调制特性的测试得到 :调制器对 1 .3μm光的插入损耗为 6 .5 d B,最大调制深度达 86 % ,相应的 π相移调制电压为 0 .9V,关断电流和调制区的... 详细信息

基于 Ge Si合金的等离子体色散效应 ,研制了一种 Mach- Zehnder干涉型调制器 ,通过对其损耗和调制特性的测试得到 :调制器对 1 .3μm光的插入损耗为 6 .5 d B,最大调制深度达 86 % ,相应的 π相移调制电压为 0 .9V,关断电流和调制区的注入电流密度分别为 40 m A和 0 .97k A/ cm2 。

关键词：调制器光波导硅化锗合金干涉型

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电场对高分子中极化子激子的影响

引用

物理学进展 2000年第3期20卷 243-250页

作者：傅柔励孙鑫中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室上海200083 复旦大学物理系上海200433

介绍了近年来有关外电场对高分子中极化子激子影响的研究工作。它们包括 :研究方法 ,外电场注入的或光激发引起的电子和空穴会在高分子中形成极化子激子 ,弱或中等强度电场使极化子激子极化 ,强电场解离极化子激子 ,发现高分子中极化子... 详细信息

介绍了近年来有关外电场对高分子中极化子激子影响的研究工作。它们包括 :研究方法 ,外电场注入的或光激发引起的电子和空穴会在高分子中形成极化子激子 ,弱或中等强度电场使极化子激子极化 ,强电场解离极化子激子 ,发现高分子中极化子双激子具有反向极化新性质 ,探讨反向极化这个新的物理现象的物理起因、意义及可能的应用。

关键词：高分子极化子激子电场反向极化计算机模拟

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掺DCM的Alq<,3>光致发光研究

掺DCM的Alq<,3>光致发光研究

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第二届全国有机分子及聚合物发光与激光学术会议

作者：钟高余何钧吕明张松涛复旦大学应用表面物理国家重点实验室(上海)

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