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采用第一性原理的线性缀加平面波(LAPW)的理论计算方法,对Pe_xMn_(1-x)(x=1,0.75,0.5,0.25,0)合金体系的电子结构与磁性进行了理论研究,并与实验进行了比较。结果表明,bcc结构的Fe_(0.75)Mn_(0.25)合金为铁磁性,而fcc结构的Fe_(0.5)Mn_(... 详细信息

采用第一性原理的线性缀加平面波(LAPW)的理论计算方法,对Pe_xMn_(1-x)(x=1,0.75,0.5,0.25,0)合金体系的电子结构与磁性进行了理论研究,并与实验进行了比较。结果表明,bcc结构的Fe_(0.75)Mn_(0.25)合金为铁磁性,而fcc结构的Fe_(0.5)Mn_(0.5)和Fe_(0.25)Mn_(0.75)合金为反铁磁性,而且在铁磁性区域,理论计算磁矩的大小与实验值符合得很好。

关键词：线性缀加平面波电子结构磁性铁锰合金磁矩

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有机小分子发光材料与聚合物发光材料在大气存放条件下的稳定性对比研究

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发光学报 2000年第3期21卷 247-252页

作者：徐正廖良生李振声李述汤 Inbase karan M Woo E P Wu W W 复旦大学应用表面物理国家重点实验室香港城市大学超金刚石与先进薄膜研究中心 Central&New Businesses R&D The Dow Chemical CompanyMidlandMichigen48674USA

分别采用紫外光电子能谱 (UPS)、X光电子能谱 (XPS)、原子力显微镜 (AFM )、以及光致发光光谱(PL)等方法对在大气存放条件下的 8 羟基喹啉铝 (Alq)薄膜和聚 ( 9,9 二辛烷基芴 ) (PFO)薄膜的电子结构、表面形貌以及发光特性进行了对比研... 详细信息

分别采用紫外光电子能谱 (UPS)、X光电子能谱 (XPS)、原子力显微镜 (AFM )、以及光致发光光谱(PL)等方法对在大气存放条件下的 8 羟基喹啉铝 (Alq)薄膜和聚 ( 9,9 二辛烷基芴 ) (PFO)薄膜的电子结构、表面形貌以及发光特性进行了对比研究。研究结果表明 ,PFO的电子结构、表面形貌以及发光特性受外界气氛影响极小 ,是一种非常稳定的聚合物发光材料。这为聚合物发光器件的稳定性提供了有利的条件。

关键词：有机发光材料稳定性电子结构大气存放条件

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同步辐射X射线驻波实验技术研究半导体超薄异质外延层

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北京同步辐射装置年报 2000年第1期 184-189页

作者：姜晓明施斌等中国科学院高能物理研究所，北京100039 复旦大学应用表面物理国家重点实验室，上海200433

利用双晶单色器和精密二圆衍射仪，在北京同步辐射装置建立了同步辐射X射线驻波实验技术，并用这一实验技术结合X射线衍射方法，研究了Si晶体中外延生长的超薄Ge原子层的微结构。实验结果表明，由于Ge原子的偏析，在Si晶体样品中形成了... 详细信息

利用双晶单色器和精密二圆衍射仪，在北京同步辐射装置建立了同步辐射X射线驻波实验技术，并用这一实验技术结合X射线衍射方法，研究了Si晶体中外延生长的超薄Ge原子层的微结构。实验结果表明，由于Ge原子的偏析，在Si晶体样品中形成了共格生长的GexSi1-x合金层，浓度平均值为X=0．13；650℃退火会使Ge原子向表面扩散，Si晶体中的合金层消失，在晶体表面形成接近纯Ge的单原子层。

关键词：同步辐射 X射线驻波实验技术半导体超薄异质外延层硅晶体外延生长超薄锗厚子层结构

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NSRL在半导体表面和界面的同步辐射研究进展

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自然科学进展（国家重点实验室通讯） 2000年第2期10卷 102-111页

作者：徐彭寿陆尔东张发培徐世红张新夷赵特秀方容川金晓峰中国科学技术大学国家同步辐射实验室合肥230029 中国科学技术大学物理系合肥230026 复旦大学应用表面物理国家重点实验室上海200433

综述了国家同步辐射实验室在半导体表面和界面的同步辐射光电子能谱研究。其中包括碱金属在半导体表面的吸附及其对半导体表面氧化和氮化的催化作用;稀土金属在半导体表面的吸附及其界面形成;Ⅲ-Ⅴ族半导体表面的钝化及其与金属界面研究... 详细信息

综述了国家同步辐射实验室在半导体表面和界面的同步辐射光电子能谱研究。其中包括碱金属在半导体表面的吸附及其对半导体表面氧化和氮化的催化作用;稀土金属在半导体表面的吸附及其界面形成;Ⅲ-Ⅴ族半导体表面的钝化及其与金属界面研究;半导体表面的磁性超薄膜研究;与Ⅱ—Ⅵ族半导体有关的异质结能带排列。

关键词：半导体表面界面同步辐射光电子能谱 NSRL

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同步辐射X射线掠入射衍射实验技术及应用

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同步辐射装置用户科技论文集 2000年第1期 424-429页

作者：姜晓明蒋最敏等中国科学院高能物理研究所，北京100039 复旦大学应有和表面物理国家重点实验室，上海200433

利用北京同步辐射装置漫散射实验站的五圆衍射仪，建立了掠入射X射线衍射实验方法。对Si表面生长的Ge/Si量子点及其在Si表层产生的应变进行了成功测量，表明此方法可以有效地提取表面层的微弱信号。实验结果表明，Ge/Si量子点的形成除了... 详细信息

利用北京同步辐射装置漫散射实验站的五圆衍射仪，建立了掠入射X射线衍射实验方法。对Si表面生长的Ge/Si量子点及其在Si表层产生的应变进行了成功测量，表明此方法可以有效地提取表面层的微弱信号。实验结果表明，Ge/Si量子点的形成除了在Si衬底表层形成了晶格具有横向膨胀应变的区域之外，还在Si衬底中形成了具有横向压缩应变的区域。

关键词：同步辐射 X射线实验技术应用掠入射衍射表层结构量子点材料成分分布

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获得多孔硅蓝绿光发射的新方法

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四川工业学院学报 2000年第2期19卷 132-135页

作者：李谷波张甫龙范洪雷陈华杰俞鸣人侯晓远四川工业学院电子信息与电气工程系物理中心实验室四川成都610039 复旦大学应用表面物理国家重点实验室上海200433

对多孔硅进行“胺液浸泡 +快速热氧化”处理 ,光致发光谱显示 ,经处理样品的发光峰值波长短到 5 0 0nm ,而且在干燥空气中存放 160d后 ,发光强度变化很小。红外吸收谱表明 ,处理后的多孔硅的主要成分是硅和氧 ,胺液没有在发蓝绿光的样... 详细信息

对多孔硅进行“胺液浸泡 +快速热氧化”处理 ,光致发光谱显示 ,经处理样品的发光峰值波长短到 5 0 0nm ,而且在干燥空气中存放 160d后 ,发光强度变化很小。红外吸收谱表明 ,处理后的多孔硅的主要成分是硅和氧 ,胺液没有在发蓝绿光的样品中留下残迹 ,电子自旋共振谱表明 ,这种蓝绿光样品有相当低的悬挂键密度。这些结果揭示 ,量子限制效应和表面态在多孔硅蓝绿光发射中起着关键性的作用。这种制备发蓝绿光样品的方法简单易行 ,成功率可达 70 %。

关键词：多孔硅光发射快速热氧化蓝光发射绿光发射

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高粱总DNA导入春小麦稳定后代高分子量麦谷蛋白亚基的变化

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西北植物学报 2000年第6期20卷 979-983页

作者：王晓娟李兴林王亚馥兰州大学干旱农业生态国家重点实验室复旦大学生物多样性科学研究所上海200433 中国科学院近代物理研究所

通过花粉管通道法将高粱总 DNA导入春麦甘麦 8号、陇春 1 3号和陇春 1 0号 ,经过多代选择获得了 5个稳定的后代。在高分子量麦谷蛋白亚基分析中 ,甘麦 8号后代 891 44的高分子量麦谷蛋白亚基发生突变 ,较其受体多了 5+1 0亚基 ,而少了 2... 详细信息

通过花粉管通道法将高粱总 DNA导入春麦甘麦 8号、陇春 1 3号和陇春 1 0号 ,经过多代选择获得了 5个稳定的后代。在高分子量麦谷蛋白亚基分析中 ,甘麦 8号后代 891 44的高分子量麦谷蛋白亚基发生突变 ,较其受体多了 5+1 0亚基 ,而少了 2 +1 2亚基 ;其它几个转基因后代与其受体比较 ,高分子量麦谷蛋白亚基组成未发生变化 ;但是 ,各亚基的相对含量有较大变化。高分子量麦谷蛋白亚基的组成和各亚基含量的变化直接影响小麦品质。本研究对外源总 DNA花粉管通道法导入小麦在改良小麦品质方面的作用进行了讨论。

关键词：花粉管通道法高粱DNA 高分子量麦谷蛋白亚基

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