检索结果-内蒙古大学图书馆

复旦学报（自然科学版） 1999年第4期38卷 405-409页

作者：李宝军复旦大学应用表面物理国家重点实验室

研究了一种适用于光纤通信的Ｓｉ基ＧｅＳｉ集成光波导定向耦合器．基于耦合模理论，对其功率传输特性进行了分析，得到了定向耦合器的耦合间距和耦合长度．其结果表明，在所得到的最佳耦合长度处，这种耦合器可将光从其输入波导一... 详细信息

研究了一种适用于光纤通信的Ｓｉ基ＧｅＳｉ集成光波导定向耦合器．基于耦合模理论，对其功率传输特性进行了分析，得到了定向耦合器的耦合间距和耦合长度．其结果表明，在所得到的最佳耦合长度处，这种耦合器可将光从其输入波导一端１００％地耦合至另一波导并输出．同时得到，当耦合器的耦合长度为１００％耦合长度的一半时，可作为３ｄ

关键词：定向耦合器光波导集成光学锗硅合金硅

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复旦大学应用表面物理国家重点实验室简介

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自然科学进展 1999年第1期 99-100页

复旦大学应用表面物理国家重点实验室是按国家计委的建设计划,于1990年开始筹建1992年12月建成并通过国家验收正式对外开放.目前该实验室已成为我国最主要的从事表面物理研究的基地之一.

关键词：国家重点实验室复旦表面物理分子束外延方法超高真空电子能谱仪分析仪器

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Si(100)衬底上部分弛豫外延薄层Ge膜的应变研究

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Journal of Semiconductors 1999年第7期20卷 554-558页

作者：裴成文秦捷刘晓晗胡冬枝张翔九黄大鸣蒋最敏复旦大学应用表面物理国家重点实验室

利用表面活化剂Ｓｂ在Ｓｉ（１００）衬底上分子束外延生长了不同厚度的Ｇｅ膜，同步辐射Ｘ射线衍射测量表明Ｇｅ膜为部分应变膜，其应变随厚度增大而减小．相应的喇曼光谱中的Ｇｅ－Ｇｅ振动峰位随应变不同而变化，与应变的关系和文献... 详细信息

利用表面活化剂Ｓｂ在Ｓｉ（１００）衬底上分子束外延生长了不同厚度的Ｇｅ膜，同步辐射Ｘ射线衍射测量表明Ｇｅ膜为部分应变膜，其应变随厚度增大而减小．相应的喇曼光谱中的Ｇｅ－Ｇｅ振动峰位随应变不同而变化，与应变的关系和文献上认为的线性关系在较大应变处有很大的偏离，本文对此进行了分析和讨论．

关键词：硅外延生长锗实验

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ZnCdSe/ZnSe单量子阱中的双激子发光谱

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Journal of Semiconductors 1999年第6期20卷 492-496页

作者：魏彦锋黄大鸣王兴军俞根才诸长生王迅复旦大学应用表面物理国家重点实验室

在分子束外延生长的ＺｎＣｄＳｅ／ＺｎＳｅ单量子阱结构中，观察到了双激子发光谱．采用不同宽度的量子阱，得出了双激子束缚能与量子阱宽度的依赖关系．研究了双激子发光谱与激发光波长和激发功率的关系．发现在阱内激发的条件下，自... 详细信息

在分子束外延生长的ＺｎＣｄＳｅ／ＺｎＳｅ单量子阱结构中，观察到了双激子发光谱．采用不同宽度的量子阱，得出了双激子束缚能与量子阱宽度的依赖关系．研究了双激子发光谱与激发光波长和激发功率的关系．发现在阱内激发的条件下，自由激子更容易由于相互作用而形成双激子，在～１ｍＷ／ｃｍ２的激发功率密度下即可观察到明显的双激子发光．

关键词：半导体量子阱双激子发光谱分子束外延生长

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激光烧蚀硅酸盐材料产生氧化硅氧化铝复合团簇

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化学学报 1999年第7期57卷 790-796页

作者：徐灿赵利钱士雄李郁芬龙英才复旦大学物理系三束材料改性国家重点实验室复旦大学分部上海200433 复旦大学化学系上海200433

采用飞行时间质谱技术,用308um准分子激光烧蚀不同硅铝比的ZSM-5沸石,产生了氧化硅氧化铝复合团簇.在负离子通道测得含铝的新团簇系列[(SiO_2)_(n-1)(AlO_2)]^-和[(SiO_2)_nOAl]^-,讨论了这些系列的丰度分布和样品硅铝比之间的关系.由于... 详细信息

采用飞行时间质谱技术,用308um准分子激光烧蚀不同硅铝比的ZSM-5沸石,产生了氧化硅氧化铝复合团簇.在负离子通道测得含铝的新团簇系列[(SiO_2)_(n-1)(AlO_2)]^-和[(SiO_2)_nOAl]^-,讨论了这些系列的丰度分布和样品硅铝比之间的关系.由于AlO_2有较高电负性,激光烧蚀产生的团簇负离子系列[(SiO_2)_(n-1)(AlO_2)]^-具有以AlO_2为生长核心的生长机理.

关键词：激光烧蚀团簇沸石氧化硅氧化铝复合团簇

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高分子中双激子态对外电场的线性响应

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物理学报 1999年第11期48卷 2110-2115页

作者：赵二海姜浩吴长勤徐晓华孙鑫复旦大学物理系上海200433 中国科学院红外物理国家重点实验室上海200083

在外电场中，非简并基态共轭高分子中的双激子具有反向极化的奇异特性．利用响应函数求得高分子链的双激子态在任意频率下的动态极化率 χ（ ω），并通过求 ω→０极限，给出双激子态的静态极化率 χ，证实了 χ确实为负值．并与激... 详细信息

在外电场中，非简并基态共轭高分子中的双激子具有反向极化的奇异特性．利用响应函数求得高分子链的双激子态在任意频率下的动态极化率 χ（ ω），并通过求 ω→０极限，给出双激子态的静态极化率 χ，证实了 χ确实为负值．并与激子态和基态作了比较，分析了分子负极化率的起因．考察了响应函数在低频时的行为，指出激子和双激子的激发浓度增大会导致材料折射率ｎ（ ω）向不同方向变化．

关键词：外电场高分子双激子态线性响应

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多层多孔硅的SPM研究

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电子显微学报 1999年第1期18卷 72-75页

作者：胡舜涛杨建树袁帅蔡群董树忠侯晓远复旦大学应用表面物理国家重点实验室

多层多孔硅是采用交替变化脉冲腐蚀电流密度的方法制成的多孔度周期性变化的多孔硅结构，我们用ＡＦＭ对多层多孔硅结构的侧向解理的截面进行观测，得到了不同多孔度层及其界面处的图像。发现不同周期中相同条件下腐蚀得到的多孔硅层，... 详细信息

多层多孔硅是采用交替变化脉冲腐蚀电流密度的方法制成的多孔度周期性变化的多孔硅结构，我们用ＡＦＭ对多层多孔硅结构的侧向解理的截面进行观测，得到了不同多孔度层及其界面处的图像。发现不同周期中相同条件下腐蚀得到的多孔硅层，其层厚随周期的不同而不同，从而限制了多孔硅发光峰半宽的缩小。对多层多孔硅的电化学腐蚀机理作了初步的探讨。

关键词：原子力显微镜多层多孔硅多层结构 SPM

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聚合物中光激发在电场作用下的转化

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物理学报 1999年第12期48卷 2327-2333页

作者：姜浩徐晓华孙鑫傅柔励褚君浩李政道物理学综合实验室复旦大学物理系上海200433 红外物理国家重点实验室中国科学院上海技术物理研究所上海200083

用动力学方法模拟了在聚合物中观察到的“场诱导电荷产生”现象，给出了聚合物链上键结构和电荷分布随时间的演变过程。

关键词：场诱导电荷聚合物光激发激子极化子

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温度引起的ZnSe/Zn_(0.84)Mn_(0.16)Se超晶格中势阱层和势垒层的反转

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Journal of Semiconductors 1999年第11期20卷 945-951页

作者：李国华朱作明刘南竹韩和相汪兆平王杰王迅中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室北京100083 复旦大学应用表面物理国家重点实验室上海200433

测量了ＺｎＳｅ，Ｚｎ０．８４Ｍｎ０．１６Ｓｅ合金和ＺｎＳｅ／Ｚｎ０．８４Ｍｎ０．１６Ｓｅ超晶格的１０～３００Ｋ的变温光致发光谱．发现ＺｎＳｅ的带隙在１０Ｋ时比Ｚｎ０．８４Ｍｎ０．１６Ｓｅ合金的带隙小，而在３００... 详细信息

测量了ＺｎＳｅ，Ｚｎ０．８４Ｍｎ０．１６Ｓｅ合金和ＺｎＳｅ／Ｚｎ０．８４Ｍｎ０．１６Ｓｅ超晶格的１０～３００Ｋ的变温光致发光谱．发现ＺｎＳｅ的带隙在１０Ｋ时比Ｚｎ０．８４Ｍｎ０．１６Ｓｅ合金的带隙小，而在３００Ｋ时比合金的带隙大．预计ＺｎＳｅ／Ｚｎ０．８４Ｍｎ０．１６Ｓｅ超晶格中在１３０Ｋ附近会发生势阱层和势垒层的反转．在ＺｎＳｅ／Ｚｎ０．８４Ｍｎ０．１６Ｓｅ超晶格中观测到了这种反转但发生在８０Ｋ附近．超晶格中Ｚｎ０．８４Ｍｎ０．１６Ｓｅ层的应变可能是反转温度变低的原因．

关键词：半导体材料超晶格势阱层势垒层温度 ZnSe

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Co/Cu_(92)Mn_8/Co结构中的低场巨磁电阻研究

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物理学报 1999年第S1期48卷 144-150页

作者：王辉曹嵘郑卫民金庆原夏宇兴李富铭祝向荣沈鸿烈金晓峰复旦大学物理系三束材料改性国家重点实验室上海200433 上海交通大学应用物理系中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室中国科学院上海冶金研究所信息功能材料国家重点实验室复旦大学应用表面物理国家重点实验室

对三明治结构的Ｃｏ／Ｃｕ／Ｃｏ和Ｃｏ／Ｃｕ９２Ｍｎ８／Ｃｏ系列的巨磁电阻效应进行了研究，发现两者的巨磁电阻均随中介层厚度作周期性振荡，但是接近反相．作为与Ｃｏ／Ｃｕ／Ｃｏ系统的比较，发现若在Ｃｕ基中稀释Ｍｎ原子... 详细信息

对三明治结构的Ｃｏ／Ｃｕ／Ｃｏ和Ｃｏ／Ｃｕ９２Ｍｎ８／Ｃｏ系列的巨磁电阻效应进行了研究，发现两者的巨磁电阻均随中介层厚度作周期性振荡，但是接近反相．作为与Ｃｏ／Ｃｕ／Ｃｏ系统的比较，发现若在Ｃｕ基中稀释Ｍｎ原子，巨磁电阻随外磁场变化的曲线会有非常大的改变，同时饱和场或开关场也有较大的下降，这意味着有可能为Ｃｏ／Ｃｕ金属多层膜的巨磁电阻的实用化研究开辟出一条新的思路．

关键词：巨磁电阻合金膜国家重点实验室 Co/Cu 金属多层膜开关场矫顽力交换耦合缓冲层第一峰值

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