检索结果-内蒙古大学图书馆

双层结构8-羟基喹啉铝电致发光的有效载流子形成过程

引用

复旦学报（自然科学版） 1998年第6期37卷 731-736页

作者：徐笑春汪燕陈永东钱巍李晟陈青淙黄京根陶凤岗劳浦东褚君浩复旦大学上海200433 中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室上海200433

报道了分子掺杂聚合物作为空穴传输层、8-羟基喹啉铝作为发光层的有机分子／聚合物双层结构的电致发光．着重指出在稳定发光之前有一个有效载流子形成过程．

关键词：电致发光有效载流子羟基喹啉铝双层结构

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

用导纳谱研究锗量子点的能级结构

引用

自然科学进展（国家重点实验室通讯） 1998年第4期8卷 496-501页

作者：张胜坤朱海军蒋最敏胡冬枝徐阿妹林峰陆昉复旦大学表面物理国家重点实验室上海200433

提出变偏压的导纳谱可用来研究量子点的能级结构以及其中载流子的库仑相互作用。对Ge/Si量子点结构进行了变偏压的导纳谱测试,探测到了5个空穴的填充过程,其中2个填入类s态的基态,束缚能约为432meV,3个填入类p态的第一激发态,束缚能约为... 详细信息

提出变偏压的导纳谱可用来研究量子点的能级结构以及其中载流子的库仑相互作用。对Ge/Si量子点结构进行了变偏压的导纳谱测试,探测到了5个空穴的填充过程,其中2个填入类s态的基态,束缚能约为432meV,3个填入类p态的第一激发态,束缚能约为338meV。Ge量子点获1个空穴所需要克服的库仑势能约为30meV。

关键词：量子点导纳谱锗能级结构

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

硅基SiN_xO_y∶C^+薄膜的光致发光

引用

Journal of Semiconductors 1998年第3期19卷 172-176页

作者：廖良生刘小兵熊祖洪何钧侯晓远复旦大学应用表面物理国家重点实验室李政道物理学综合实验室长沙电力学院物理系

采用等离子体增强化学气相淀积法在单晶硅片表面淀积一层厚约１２０ｎｍ的ＳｉＮｘＯｙ薄膜，并在薄膜中注入Ｃ＋，注入能量为３５ｋｅＶ，剂量为５×１０１６ｃｍ－２．注Ｃ＋样品在４４１．６ｎｍ的蓝光激发下，可以产生峰值约为... 详细信息

采用等离子体增强化学气相淀积法在单晶硅片表面淀积一层厚约１２０ｎｍ的ＳｉＮｘＯｙ薄膜，并在薄膜中注入Ｃ＋，注入能量为３５ｋｅＶ，剂量为５×１０１６ｃｍ－２．注Ｃ＋样品在４４１．６ｎｍ的蓝光激发下，可以产生峰值约为５５０ｎｍ的光致发光．样品经６００℃退火后，发光强度达到最大．

关键词：硅基发光材料光致发光二氧化硅

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

一种简便有效的多孔硅后处理新方法

引用

Journal of Semiconductors 1998年第6期19卷 458-462页

作者：熊祖洪刘小兵廖良生袁帅何钧周翔曹先安丁训民侯晓远复旦大学应用表面物理国家重点实验室李政道物理学综合实验室长沙电力学院物理系

本文报道了一种简便有效的多孔硅（ＰＳ）后处理新方法，即在（ＮＨ４）２Ｓ／Ｃ２Ｈ５ＯＨ溶液中浸泡ＰＳ，并用紫外光辐照激发．后处理ＰＳ的光致发光（ＰＬ）强度约为未经处理的５倍；样品处理后的ＰＬ峰值９０ｍｉｎ内随激光连续激... 详细信息

本文报道了一种简便有效的多孔硅（ＰＳ）后处理新方法，即在（ＮＨ４）２Ｓ／Ｃ２Ｈ５ＯＨ溶液中浸泡ＰＳ，并用紫外光辐照激发．后处理ＰＳ的光致发光（ＰＬ）强度约为未经处理的５倍；样品处理后的ＰＬ峰值９０ｍｉｎ内随激光连续激发时，在大气中呈现先指数衰减后线性增长，在真空（约１Ｐａ）中却呈现一直衰减到一个稳定值的新特点．通过样品的傅里叶变换红外吸收（ＦＴＩＲ）谱的测试与分析，表明后处理在样品表面产生了ＳｉＨ（Ｏ３）。

关键词：多孔硅发光器件全硅基光电子集成

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

镶嵌在SiO_2薄膜中的纳米InSb颗粒的制备

引用

科学通报 1998年第13期43卷 1389-1393页

作者：朱开贵石建中魏彦峰张立德中国科学院固体物理研究所合肥230031 复旦大学表面物理国家重点实验室上海200433

用射频磁控测射的方法制备了镶嵌在SiO2 薄膜中的纳米InSb颗粒 .透射电子显微镜观察表明 ,纳米InSb颗粒均匀地镶嵌在SiO2 介质中 .通过控制热处理的条件 ,可以得到具有不同颗粒尺寸的InSb纳米颗粒 .InSb颗粒的尺寸与热处理温度和时间成... 详细信息

用射频磁控测射的方法制备了镶嵌在SiO2 薄膜中的纳米InSb颗粒 .透射电子显微镜观察表明 ,纳米InSb颗粒均匀地镶嵌在SiO2 介质中 .通过控制热处理的条件 ,可以得到具有不同颗粒尺寸的InSb纳米颗粒 .InSb颗粒的尺寸与热处理温度和时间成正比 ,但是并不满足t1/3 的关系 .另外 ,还通过X射线衍射以及X射线光电子能谱对InSb SiO2

关键词：磁控溅射二氧化硅薄膜锑化铟纳米颗粒

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

GaAs(100)面上气相淀积生长GaS钝化膜

引用

自然科学进展（国家重点实验室通讯） 1998年第5期8卷 619-622页

作者：曹先安胡海天丁训民陈溪滢袁泽亮李哲深侯晓远复旦大学应用表面物理国家重点实验室上海200433

用加热分解α-G_2S_3的方法在GaAs(100)表面上气相沉积了准单晶的GaS钝化膜。俄歇电子能谱深度分布测量表明,长成的膜与衬底间界面清晰。用紫外光电子能谱和低能电子能量损失谱结合的方法得到了完整的GaS/GaAs异质结能带结构图,即价带偏... 详细信息

用加热分解α-G_2S_3的方法在GaAs(100)表面上气相沉积了准单晶的GaS钝化膜。俄歇电子能谱深度分布测量表明,长成的膜与衬底间界面清晰。用紫外光电子能谱和低能电子能量损失谱结合的方法得到了完整的GaS/GaAs异质结能带结构图,即价带偏移1.5eV,导带偏移0.3eV,界面附近存在0.4eV的能带弯曲。气相淀积方法简单实用,有希望发展成为GaAs器件制作的有用工艺。

关键词：气相淀积准单晶砷化镓钝化膜硫化镓

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

自组织生长锗硅量子点及其特性

引用

物理 1998年第6期27卷 365-370页

作者：秦捷蒋最敏王迅复旦大学应用表面物理国家重点实验室

半导体量子点的研究是当今物理学研究的热点之一．文章阐述了锗硅量子点自组织生长方法的基本原理和技术，并介绍了所制备的量子点材料的形貌结构、光学特性、电学特性及今后的发展方向．

关键词：自组织生长锗硅量子点半导体量子点

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

GaAs(001)衬底上MnTe与相关超晶格的晶格生长和光谱特性

引用

Journal of Semiconductors 1998年第2期19卷 92-96页

作者：凌震靳彩霞俞根才王杰沈孝良张保平复旦大学应用表面物理国家重点实验室复旦大学测试中心仙台物理化学研究所光动力学研究中心

在ＧａＡｓ（００１）衬底上，用分子束外延方法生长ＭｎＴｅ薄膜和ＭｎＴｅ／ＺｎＴｅ等超晶格，发现在ＭｎＴｅ外延层中可能出现的ｂｃｃ晶畴，在超晶格中得到抑制，而且ＭｎＴｅ薄膜或超晶格中的ＭｎＴｅ层都不是严格的闪锌矿结构．... 详细信息

在ＧａＡｓ（００１）衬底上，用分子束外延方法生长ＭｎＴｅ薄膜和ＭｎＴｅ／ＺｎＴｅ等超晶格，发现在ＭｎＴｅ外延层中可能出现的ｂｃｃ晶畴，在超晶格中得到抑制，而且ＭｎＴｅ薄膜或超晶格中的ＭｎＴｅ层都不是严格的闪锌矿结构．通过比较２Ｋ下ＭｎＴｅ／ＺｎＴｅ和Ｚｎ０．８４Ｍｎ０．１６Ｔｅ／ＺｎＴｅ的低温光致发光谱和反射谱，发现ＭｎＴｅ／ＺｎＴｅ的由应力造成的红移更大，半宽也增大。

关键词：砷化镓晶格生长外延生长

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

Zn_(1-x)Mn_(x)/ZnSe应变超晶格分子束外延生长及光学特性研究

引用

光学学报 1998年第5期18卷 635-640页

作者：靳彩霞史向华柯炼张保平凌晨余更才王杰候晓远复旦大学应用表面物理国家重点实验室长沙电力学院物理系日本仙台理化研究所光物性研究中心

用分子束外延方法在ＧａＡｓ（１００）衬底上成功生长了高质量的Ｚｎ１－ｘＭｎｘＳｅ／ＺｎＳｅ（ｘ＝０．１６）超晶格结构，用Ｘ射线衍射和低温光致发光（ＰＬ）对其结构、应变分布以及光学性能进行了研究。结果表明，２Ｋ温度下，... 详细信息

用分子束外延方法在ＧａＡｓ（１００）衬底上成功生长了高质量的Ｚｎ１－ｘＭｎｘＳｅ／ＺｎＳｅ（ｘ＝０．１６）超晶格结构，用Ｘ射线衍射和低温光致发光（ＰＬ）对其结构、应变分布以及光学性能进行了研究。结果表明，２Ｋ温度下，Ｚｎ１－ｘＭｎｘＳｅ／ＺｎＳｅ超晶格的光致发光中主发光峰对应于ＺｎＳｅ阱中基态电子和基态轻空穴之间的自由激子跃迁，而且其峰位相对于ＺｎＳｅ薄膜材料的自由激子峰有明显移动。其中，当超晶格的总厚度大于其临界厚度时，自由激子峰位向低能方向红移２ｍｅＶ；当超晶格总厚度小于其临界厚度时，自由激子峰位向高能方向蓝移６ｍｅＶ。理论上分析计算了由应变和量子限制效应引起的自由激子的峰位移动，理论和实验符合很好。

关键词： Zn1-xMnxSe/ZnSe超晶格 X射线衍射谱光致发光性质

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

自组织生长锗量子点的库仑荷电效应

引用

物理 1998年第11期27卷 643-645页

作者：张胜坤蒋最敏王迅复旦大学应用表面物理国家重点实验室

将导纳谱应用于半导体ＧｅＳｉ量子点的研究，观察到了典型直径为１３ｎｍ的Ｇｅ量子点的库仑荷电效应及其分立能级结构．

关键词：量子点导纳谱库仑荷电效应自组织生长半导体

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

建议与咨询留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

时间限定

文献类型

馆藏选择

核心期刊

语言

文献类型

帮助

文字说明：

检索规则说明：

检索范例：

分类表

所选分类

限定检索结果

文献类型

馆藏范围

日期分布

学科分类号

主题

机构

作者

语言

请选择保存的检索档案：

请选择收藏分类：

通借通还

建议与咨询 留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

时间限定

文献类型

馆藏选择

核心期刊

语言

文献类型

帮助

文字说明：

检索规则说明：

检索范例：

分类表

所选分类

限定检索结果

文献类型

馆藏范围

日期分布

学科分类号

主题

机构

作者

语言

请选择保存的检索档案： 新增检索档案 确定 取消

请选择收藏分类： 新增自定义分类 确定 取消

通借通还

建议与咨询留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

请选择保存的检索档案：

请选择收藏分类：