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    • 2 篇 教育学
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机构

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作者

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  • 94 篇 王迅
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  • 820 篇 中文
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检索条件"机构=复旦大学应用表面物理国家重点实验室上海200433"
828 条 记 录,以下是631-640 订阅
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硅-二氧化硅超晶格——探索硅基发光材料的一条新途径
收藏 引用
物理 1998年 第8期27卷 467-471页
作者: 林峰 盛篪 龚大卫 王迅 复旦大学应用表面物理国家重点实验室
理论上认为,由于Si/SiO2超晶格中硅层(阱层)的电子和空穴都受到极强的量子限制效应,硅层能带有可能从体硅的间接带隙转变为直接带隙,从而发光效率大大提高.实验上,在非晶Si/SiO2超晶格中观察到在可见光波段的温... 详细信息
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Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体器件的硫钝化
收藏 引用
物理 1998年 第6期27卷 349-353页
作者: 袁泽亮 侯晓远 王迅 复旦大学应用表面物理国家重点实验室
Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体的表面钝化是一个长期未能完满解决的问题.80年代后期出现的硫钝化技术给钝化研究注入了活力.文章对有关硫钝化技术使Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体器件性能得到的改善以及所存在的问题进行了综述.
来源: 评论
硅分子束外延会议述评
收藏 引用
国际学术动态 1998年 第3期 54-57页
作者: 王迅 复旦大学应用表面物理国家重点实验室
来源: 评论
半导体蓝绿激光器研制取得突破性进展
收藏 引用
物理 1998年 第4期 57-58页
半导体蓝绿激光器研制取得突破性进展1GaN蓝色半导体激光器寿命达10000h1997年10月27日在日本德岛举行的第二届国际氮化物半导体会议上,在半导体蓝绿激光器领域中,举世闻名的日亚化学工业株式会社(NichiaC... 详细信息
来源: 评论
脉冲激光沉积Ta_2O_5薄膜的Al/Ta_2O_5/n-Si结构的C-V和DLTS研究
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自然科学进展(国家重点实验室通讯) 1998年 第3期8卷 364-370页
作者: 张胜坤 付正文 柯炼 秦启宗 陆昉 王迅 复旦大学应用表面物理国家重点实验室 上海200433 复旦大学激光化学研究所 上海200433
Ta_2O_5是一种性能优良的绝缘体材料,相对于传统MOS工艺中的SiO_2,Si_3N_4而言,它具有很高的介电常数(ε_(Ta_2O_5)=25,ε_(SiO_2)=4,ε(Si_3N_4)=7),高阻抗,低内应力,及耐高压等优点。因此,它在未来的Si集成电路工艺中具有潜在的应用... 详细信息
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高性能Si_(1-x)Ge_x/Si异质结内光电子发射红外探测器
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自然科学进展(国家重点实验室通讯) 1998年 第2期8卷 175-180页
作者: 毛明春 张翔九 胡际璜 蒋最敏 朱海军 孙燕青 王迅 盛伯苓 复旦大学应用表面物理国家重点实验室 上海200433 上海无线电七厂 上海200081
利用Si分子束外延技术,及硅平面器件工艺,制作了工作温度大于液氮温度的SiGe/Si异质结内光电子发射红外探测器。探测器的黑体探测率在77K时达到1.2×10^(10)cm·Hz^(1/2)/W。文中对SiGe/Si异质结的电流电压特性,反向饱和电流与... 详细信息
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O_2气中激光烧蚀Ta_2O_5产物离子的氧化反应
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物理化学学报 1998年 第11期14卷 961-964页
作者: 辜振宁 王雪峰 秦启宗 陈宏 郑兰荪 复旦大学激光化学研究所 上海200433 厦门大学化学系固体表面物理化学国家重点实验室 厦门361005
The mass spectra of both positive and negative charged Ta-containing ions from laser ablatiou of Ta2O5 were measured using a time-of-flight mass spectrometer. Formation of iomc Ta-containing oxides such as TaO and TaO... 详细信息
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自组织生长的锗量子点及其光致发光特性
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自然科学进展(国家重点实验室通讯) 1998年 第1期8卷 122-125页
作者: 朱海军 蒋最敏 徐阿妹 毛明春 胡冬枝 黄大鸣 陆昉 胡长武 粕谷厚生 复旦大学应用表面物理国家重点实验室 上海200433 日本东北大学金属材料研究所
Si和Ge低维体系材料由于其优越的光电特性,已经广泛地受到人们的重视,尤其是零维体系(量子点).理论预言,量子点尺寸减少到几个纳米时,它的能带结构可以从间接带隙转变为准直接带隙,相应的辐射复合跃迁几率大大增加.制备Ge及GeSi量子点... 详细信息
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同步辐射X射线反射技术及其在测量δ掺杂晶体中原子表层深度分布的应用
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同步辐射装置用户科技论文集 1998年 第1期 214-219页
作者: 贾全杰 蒋最敏 中国科学院高能物理研究所,北京100039 复旦大学应用表面物理国家重点实验室,上海200433
X射线低角反射实验技术是测定固体材料表层中杂质原子深度分布的有效手段。利用同步辐射X射线反射技术和近年来发展的由反射实验数据逆向求解原子深度分布的分层逼近法,研究了不同温度下分子束外延生长的δ掺杂(Sb)Si晶体样品,成功... 详细信息
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同步辐射X射线反射技术及其在测量δ掺杂晶体中原子表层深度分布的应用
收藏 引用
理化检验(物理分册) 1998年 第8期34卷 3-8页
作者: 贾全杰 姜晓明 蒋最敏 中国科学院高能物理研究所 北京100039 复旦大学应用表面物理国家重点实验室 上海200433
X射线低角反射实验技术是测定固体材料表层中杂质原子深度分布的有效手段.利用同步辐射X射线反射技术和近年来发展的由反射实验数据逆向求解原子深度分布的分层逼近法,研究了不同温度下分子束外延生长的δ掺杂(Sb)Si晶体样品,成功地测... 详细信息
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