检索结果-内蒙古大学图书馆

光学学报 1998年第12期18卷 1681-1685页

作者：吴迎娟潘永乐陈凌冰赵有源沈元华李富铭沈淑引黄德音复旦大学物理系三束材料改性国家重点实验室中国科学院北京感光化学研究所上海交通大学应用化学系

报道了Ａｌ／ＶＯＰｃ／ＩＴＯ夹心结构在稳态连续光照射下的光电压作用谱。稳态光电压作用谱不仅依赖于照射光的波长，而且依赖于ＶＯＰｃ（钒氧酞菁）多晶薄膜的堆积方式。对ＶＯＰｃ在相Ｉ、相Ｉ、及α型三种堆积方式下的稳态光电压... 详细信息

报道了Ａｌ／ＶＯＰｃ／ＩＴＯ夹心结构在稳态连续光照射下的光电压作用谱。稳态光电压作用谱不仅依赖于照射光的波长，而且依赖于ＶＯＰｃ（钒氧酞菁）多晶薄膜的堆积方式。对ＶＯＰｃ在相Ｉ、相Ｉ、及α型三种堆积方式下的稳态光电压波长响应进行了研究，并对其内在机制作了初步探讨。

关键词：钒氧酞菁多晶薄膜稳态光电压波长响应

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巨磁阻氧化物Pr_(0.67)Sr_(0.33)MnO_3的激光烧蚀产物研究

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自然科学进展（国家重点实验室通讯） 1998年第5期8卷 627-630页

作者：党海军唐永新刘先年秦启宗熊光成复旦大学激光化学研究所上海200433 北京大学介观物理国家重点实验室北京100871

采用角分辨和时间分辨四极质谱技术研究了巨磁阻氧化物Pr_(0.67)Sr_(0.33)MnO_3在355nm激光辐照下烧蚀产物的质量,速度和空间角分布,除了金属Pr,Sr和Mn的离子和中性产物之外,还测得它们的一氧化物。上述金属离子具有高平动能达7.4±... 详细信息

采用角分辨和时间分辨四极质谱技术研究了巨磁阻氧化物Pr_(0.67)Sr_(0.33)MnO_3在355nm激光辐照下烧蚀产物的质量,速度和空间角分布,除了金属Pr,Sr和Mn的离子和中性产物之外,还测得它们的一氧化物。上述金属离子具有高平动能达7.4±0.5eV。Pr^+,Sr^+和Mn^+离子的角分布很陡,可由cos^nθ函数(n=5或9)拟合。它们的生成机理主要属于非热的光激发和解离过程。

关键词：激光烧蚀时间分辨质谱巨磁阻氧化物锰氧化物

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湖北兴山白果园黑色页岩型银钒矿床金属元素的有机/无机结合状态

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地质学报 1998年第3期 287-287页

作者：庄汉平卢家烂傅家谟刘金钟邹德刚任炽刚田伟之 102413 200433 上海中国原子能科学研究院 510640 中国科学院广州地球化学研究所有机地球化学国家重点实验室北京复旦大学物理二系

干酪根是沉积岩中最主要的有机质。在数量上干酪根占沉积有机质总量的90％以上,对于古老的黑色页岩这个数值可能更高一些。因此,干酪根中金属元素的结合状态基本上反映了沉积岩中金属元素的有机结合状态。本文采用干酪根纯化、质子探针... 详细信息

干酪根是沉积岩中最主要的有机质。在数量上干酪根占沉积有机质总量的90％以上,对于古老的黑色页岩这个数值可能更高一些。因此,干酪根中金属元素的结合状态基本上反映了沉积岩中金属元素的有机结合状态。本文采用干酪根纯化、质子探针和中子活化的分析方法,研究了湖北兴山白果园黑色页岩型银钒矿床中金属元素的有机/无机结合状态。同全岩相比,干酪根中金属元素的富集具有如下特征:①Au是在干酪根中富集系数最大的元素,比原岩富集了16～18倍.富集系数>10的还有Ta,Se和Hg,表明黑色页岩中的干酪根有强烈富集Au、Ta、Se、Hg的能力。②Ga、Ag、Zn、As、Cu、Sb趋向于在干酪根中富集,而且具有比较相近的富集系数（3.86～2.12）,这与它们在黑色页岩中常常共生是吻合的,这些元素的富集与有机质有关。③Fe的富集系数<1,趋向于以无机形式存在,Mn、Cr与Fe比较类似。④V的富集系数<1,趋向于在无机矿物中富集,这与V置换伊利石中Al;和重晶石中的Ba;是一致的。⑤Hf有强烈的在有机质中聚集的趋势(富集系数平均

关键词：湖北兴山沉积岩黑色页岩型银钒矿床干酪根结合状态金属元素果园

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近周期超晶格中的声学声子及其光散射特性

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物理学报 1997年第9期46卷 1863-1872页

作者：刘晓晗黄大鸣王兴军张春红朱海军蒋最敏王迅复旦大学物理系应用表面物理国家重点实验室

利用转移矩阵方法计算了近周期超晶格体系（包括有限周期数的超晶格、耦合超晶格、层厚起伏和层厚渐变的超晶格）中声学声子的喇曼散射谱．结果表明上述近周期超晶格的光散射特性与理想严格周期的体系和完全无序的体系都不相同，呈现出... 详细信息

利用转移矩阵方法计算了近周期超晶格体系（包括有限周期数的超晶格、耦合超晶格、层厚起伏和层厚渐变的超晶格）中声学声子的喇曼散射谱．结果表明上述近周期超晶格的光散射特性与理想严格周期的体系和完全无序的体系都不相同，呈现出许多独特的性质．对有限周期数的超晶格，由于边界的存在，喇曼谱中除了理想超晶格中存在的折叠声学声子峰（主峰）外，还会出现一系列等间距分布的卫星峰．对耦合超晶格体系，理想超晶格中存在的主峰将出现分裂．对层厚起伏变化的超晶格，主峰呈现非对称展宽，展宽主要出现在高波数端．计算结果和实验测得的谱线作了比较，特征是一致的．利用转移矩阵方法计算了近周期超晶格体系（包括有限周期数的超晶格、耦合超晶格、层厚起伏和层厚渐变的超晶格）中声学声子的喇曼散射谱．结果表明上述近周期超晶格的光散射特性与理想严格周期的体系和完全无序的体系都不相同，呈现出许多独特的性质．对有限周期数的超晶格，由于边界的存在，喇曼谱中除了理想超晶格中存在的折叠声学声子峰（主峰）外，还会出现一系列等间距分布的卫星峰．对耦合超晶格体系，理想超晶格中存在的主峰将出现分裂．对层厚起伏变化的超晶格，主峰呈现非对称展宽，展宽主要出现在高波数端．计算结果和实验?

关键词：近周期超晶格声学声子光散射半导体

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非晶Ni_(88)P_(12)合金薄膜的表面形貌特征与晶化行为的研究

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物理学报 1997年第3期46卷 490-499页

作者：杨建树李和兴复旦大学应用表面物理国家重点实验室复旦大学化学系

采用化学镀的方法在３６３Ｋ和ｐ型Ｓｉ（１００）衬底上制得非晶Ｎｉ８８Ｐ１２合金薄膜．利用Ｘ射线衍射、Ｘ射线光电子能谱、扫描隧道显微镜和原子力显微镜对非晶合金薄膜及其经处理后形成的氧化态、还原态和晶态的结构、组分和表面... 详细信息

采用化学镀的方法在３６３Ｋ和ｐ型Ｓｉ（１００）衬底上制得非晶Ｎｉ８８Ｐ１２合金薄膜．利用Ｘ射线衍射、Ｘ射线光电子能谱、扫描隧道显微镜和原子力显微镜对非晶合金薄膜及其经处理后形成的氧化态、还原态和晶态的结构、组分和表面的形貌特征作了研究，并对它的晶化行为作了初步探讨．结果表明，非晶合金薄膜是由纳米级微粒聚集成微米级颗粒组成；在低于晶化温度条件下经氧化和还原处理后的薄膜表面晶化；在晶化过程中，合金薄膜的非晶纳米微粒转变为微晶后长大成晶粒，其表面结构光滑平坦。

关键词：非晶合金薄膜表面形貌晶化

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微波放电法生长GaS薄膜的性质

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物理学报 1997年第4期46卷 826-832页

作者：陈溪滢曹先安丁训民侯晓远陈良尧赵国庆复旦大学应用表面物理国家重点实验室复旦大学半导体物理实验室复旦大学物理二系

报道了微波放电法在ＧａＡｓ表面与Ａｌ金属片上生长ＧａＳ薄膜．用俄歇电子能谱（ＡＥＳ）和卢瑟福背散射能谱（ＲＢＳ）分析了薄膜的成分，Ｘ射线衍射测试了薄膜的结构．结果表明，微波放电法生长的ＧａＳ薄膜是属于六方晶系的多晶材... 详细信息

报道了微波放电法在ＧａＡｓ表面与Ａｌ金属片上生长ＧａＳ薄膜．用俄歇电子能谱（ＡＥＳ）和卢瑟福背散射能谱（ＲＢＳ）分析了薄膜的成分，Ｘ射线衍射测试了薄膜的结构．结果表明，微波放电法生长的ＧａＳ薄膜是属于六方晶系的多晶材料．此外。

关键词：硫化镓薄膜生长微波放电法半导体

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p型Ge_xSi_(1-x)/Si多量子阱的红外吸收及其分析

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物理学报 1997年第4期46卷 740-746页

作者：俞敏峰杨宇沈文忠朱海军龚大卫盛篪王迅复旦大学应用表面物理国家重点实验室中国科学院上海冶金研究所中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室复旦大学表面物理国家重点实验室

通过测量ＧｅＳｉ多量子阱的红外谱，同时观察到了相应于量子阱内重空穴基态ＨＨ０到重空穴激发态ＨＨ１、轻空穴激发态ＬＨ１和自旋分裂带ＳＯ及连续态间的跃迁吸收．测量了ＧｅＳｉ多量子阱探测器的正入射光电流谱，看到了明显的光响... 详细信息

通过测量ＧｅＳｉ多量子阱的红外谱，同时观察到了相应于量子阱内重空穴基态ＨＨ０到重空穴激发态ＨＨ１、轻空穴激发态ＬＨ１和自旋分裂带ＳＯ及连续态间的跃迁吸收．测量了ＧｅＳｉ多量子阱探测器的正入射光电流谱，看到了明显的光响应峰．理论计算中计及了轻、重和自旋分裂带间的耦合及能带的非抛物性，并自洽考虑了哈特里势和交换相关势．与实验结果比较，认为带之间的耦合，使子带间的跃迁情况变得复杂。

关键词：多量子阱 GeSi 红外吸收

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Si(001)上MBE异质生长Ge中表面活化剂Sb的作用的研究

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Journal of Semiconductors 1997年第10期18卷 725-730页

作者：徐阿妹朱海军毛明春蒋最敏卢学坤胡际璜张翔九复旦大学应用表面物理国家重点实验室上海200433

本文利用RHEED、X射线双晶衍射及TEM等技术，研究了在Si（001）衬底上，用晶化了的无定形Ge层做缓冲层MBE生长Ge时，引入表面活化剂Sb所产生的影响．研究表明，Sb的引入将会使Si（001）衬底上无定形Ge膜的晶化温度显著提高，并在一定的... 详细信息

本文利用RHEED、X射线双晶衍射及TEM等技术，研究了在Si（001）衬底上，用晶化了的无定形Ge层做缓冲层MBE生长Ge时，引入表面活化剂Sb所产生的影响．研究表明，Sb的引入将会使Si（001）衬底上无定形Ge膜的晶化温度显著提高，并在一定的生长条件下，破坏Ge外延层的结晶性．

关键词：半导体砷化镓硅 MBE异质生长表面活化剂

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W(110)面二维氧化的低能电子显微镜研究

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物理学报 1997年第6期46卷 1048-1054页

作者：蔡群 MSAltman 复旦大学应用表面物理国家重点实验室香港科技大学物理系

应用低能电子显微术对Ｗ（１１０）面二维氧化结构进行了初步研究．随着氧暴露量的增加，低能电子衍射图样由清洁表面（１×１）结构转变成ｐ（２×１），再变为带有复杂衍射卫星点的ｐ（２×２）结构．利用低能电子显微术... 详细信息

应用低能电子显微术对Ｗ（１１０）面二维氧化结构进行了初步研究．随着氧暴露量的增加，低能电子衍射图样由清洁表面（１×１）结构转变成ｐ（２×１），再变为带有复杂衍射卫星点的ｐ（２×２）结构．利用低能电子显微术的暗场像模式，对（００）束附近的分数衍射斑点进行了放大成像，发现表面由两种对比度相差很大的区域组成，它们就是具有不同方位取向的氧超结构畴区．两种畴区的分布与衬底表面缺陷特别是表面台阶有一定的关系。

关键词：低能电子显微镜单晶 W(110) 二维氧化结构

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Si中Ge量子点的光致发光

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Journal of Semiconductors 1997年第12期18卷 939-941页

作者：胡冬枝朱海军蒋最敏黄大鸣张翔九王迅复旦大学应用表面物理国家重点实验室上海200433

生长温度500℃下，在Si（001）衬底上分子束外延自组织生长锗量子点．700℃退火20分钟后观察到其光致发光．原子力显微镜（AFM）和横截面试样透镜（XTEM）方法用于观察鼻子点的大小和密度．利用喇曼光谱观察不同温度退火引起的Ge与Si之... 详细信息

生长温度500℃下，在Si（001）衬底上分子束外延自组织生长锗量子点．700℃退火20分钟后观察到其光致发光．原子力显微镜（AFM）和横截面试样透镜（XTEM）方法用于观察鼻子点的大小和密度．利用喇曼光谱观察不同温度退火引起的Ge与Si之间的互扩散．

关键词：硅锗量子点光致发光

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