检索结果-内蒙古大学图书馆

实现Ⅱ-Ⅵ族半导体蓝色激光器的新途径

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物理 1997年第8期26卷 459-462页

作者：靳彩霞王迅复旦大学应用表面物理国家重点实验室

介绍了一种以Ｂｅ的Ⅵ族化合物ＢｅＭｇＺｎＳｅ与ＺｎＳｅ组成的量子阱发光二极管的结构、性能和特点。

关键词： Ⅱ-Ⅵ化合物蓝色半导体激光器铍

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瞄准信息电子技术的物理学研究

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世界科学 1997年第10期 6-7页

作者：王迅复旦大学应用表面物理国家重点实验室

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Ⅱ-Ⅵ族化合物研究现状

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国际学术动态 1997年第12期 39-42页

作者：黄大鸣复旦大学应用表面物理国家重点实验室

第8届国际Ⅱ-Ⅵ族化合物会议于1997年8月25日至29日在法国Grenoble举行。参加会议的有来自26个国家的415名代表。会议收到论文摘要501篇,录用311篇。被录用的部分论文将在国际《晶体生长杂志》(Journal of Crystal Growth)的专集上发表... 详细信息

第8届国际Ⅱ-Ⅵ族化合物会议于1997年8月25日至29日在法国Grenoble举行。参加会议的有来自26个国家的415名代表。会议收到论文摘要501篇,录用311篇。被录用的部分论文将在国际《晶体生长杂志》(Journal of Crystal Growth)的专集上发表。会议交流了Ⅱ-Ⅵ化合物(主要为半导体)材料、物理和器件研究领域进展情况,内容涉及半导体蓝绿激光器件,Be-基化合物及其异质结构,激子及其复合体的光学性质,纳米结构(即量子点)和微腔(Microcavity)的光学性质,表面和界面,窄禁带半导体,稀磁半导体,红外和γ射线探测器,掺杂,材料的生长及表征等。

关键词： Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体研究

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非晶Ni_(88)P_(12)合金薄膜的AFM和STM研究

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电子显微学报 1997年第6期16卷 739-741页

作者：杨建树蔡群董树忠李和兴邓景发孙洁林李民乾复旦大学应用表面物理国家重点实验室复旦大学化学系中科院上海原子核所分析开放实验室

本文报导利用ＳＴＭ（ＳｃａｎｎｉｎｇＴｕｎｎｅｌｉｎｇＭｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）和ＡＦＭ（ＡｔｏｍｉｃＦｏｒｃｅＭｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）对化学淀积的非晶及高温晶化后的Ｎｉ８８Ｐ１２合金薄膜表面的形貌进行了研究，观察到非晶合... 详细信息

本文报导利用ＳＴＭ（ＳｃａｎｎｉｎｇＴｕｎｎｅｌｉｎｇＭｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）和ＡＦＭ（ＡｔｏｍｉｃＦｏｒｃｅＭｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）对化学淀积的非晶及高温晶化后的Ｎｉ８８Ｐ１２合金薄膜表面的形貌进行了研究，观察到非晶合金膜是由纳米大小的微粒聚成微米大小的颗粒构成的，晶化后颗粒长大变为晶粒。

关键词：非晶态合金薄膜 AFM STM

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热氧化SiO_2薄膜注C^+后的光致发光

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自然科学进展（国家重点实验室通讯） 1997年第5期7卷 625-628页

作者：廖良生侯晓远复旦大学应用表面物理国家重点实验室复旦大学李政道物理学综合实验室上海200433

硅是最重要的半导体材料。为了实现硅基光电子集成,硅基发光材料的研究正日益受到重视。近年来,人们开始把硅表面上的热氧化SiO_2薄膜作为一种发光材料来加以研究。这是因为它的制备与现行硅平面工艺完全兼容,并且在硅集成电路中作为介... 详细信息

硅是最重要的半导体材料。为了实现硅基光电子集成,硅基发光材料的研究正日益受到重视。近年来,人们开始把硅表面上的热氧化SiO_2薄膜作为一种发光材料来加以研究。这是因为它的制备与现行硅平面工艺完全兼容,并且在硅集成电路中作为介质膜和掩蔽膜已有广泛应用。一旦能用SiO_2薄膜制作有源发光器件,那么硅基光电子集成就比较容易实现。制作SiO_2薄膜发光材料的主要思想是采用不同方法在SiO_2薄膜中嵌入纳米半导体晶粒。

关键词：离子注入热氧化二氧化硅薄膜光致发光

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SiGe/Si多重超晶格的声学声子光散射谱

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光散射学报 1997年第Z1期 179-181页

作者：黄大鸣刘晓晗王兴军朱海军蒋最敏复旦大学物理系和应用表面物理国家重点实验室

ＳｉＧｅ／Ｓｉ多重超晶格的声学声子光散射谱黄大鸣刘晓晗王兴军朱海军蒋最敏（复旦大学物理系和应用表面物理国家重点实验室上海２００４３３）ＬｉｇｈｔＳｃａｔｅｒｉｎｇｆｒｏｍＡｃｏｕｓｔｉｃＰｈｏｎｏｎｓｉｎＭｕｌｔｉｐ... 详细信息

ＳｉＧｅ／Ｓｉ多重超晶格的声学声子光散射谱黄大鸣刘晓晗王兴军朱海军蒋最敏（复旦大学物理系和应用表面物理国家重点实验室上海２００４３３）ＬｉｇｈｔＳｃａｔｅｒｉｎｇｆｒｏｍＡｃｏｕｓｔｉｃＰｈｏｎｏｎｓｉｎＭｕｌｔｉｐｌｅＳｉＧｅ／ＳｉＳｕｐｅｒｌａｔ...

关键词：超晶格结构声子准粒子 SiGe/Si 散射谱声学

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半导体人工晶体与光电子器件

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世界科学 1997年第10期 23-24+27页

作者：黄大鸣复旦大学物理系和应用表面物理国家重点实验室

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SiGe/Si多重超晶格的声学声子光散射谱

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光散射学报 1997年第2期9卷 209-211页

作者：黄大鸣刘晓晗王兴军朱海军蒋最敏复旦大学物理系和应用表面物理国家重点实验室

关键词：硅铕/硅超晶格声学声子光散射谱

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多孔硅的微结构与发光特性研究

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物理学报 1997年第8期46卷 1543-1551页

作者：刘小兵孙洁林袁帅廖良生何钧缪熙月范洪雷徐磊李民乾侯晓远复旦大学应用表面物理国家重点实验室和李政道物理学综合实验室长沙电力学院物理系中国科学院上海原子核研究所核分析中心

利用原子力显微镜（ＡＦＭ）和光致荧光（ＰＬ）光谱对一系列直流腐蚀和脉冲腐蚀的多孔硅的微结构及发光特性进行了对比研究．表面和侧面的ＡＦＭ结果表明，多孔硅表面呈“小山”状，有许多小的、突出的硅颗粒．在相同的腐蚀条件（等效... 详细信息

利用原子力显微镜（ＡＦＭ）和光致荧光（ＰＬ）光谱对一系列直流腐蚀和脉冲腐蚀的多孔硅的微结构及发光特性进行了对比研究．表面和侧面的ＡＦＭ结果表明，多孔硅表面呈“小山”状，有许多小的、突出的硅颗粒．在相同的腐蚀条件（等效）下，脉冲腐蚀的样品表面Ｓｉ颗粒更加尖锐、突出，侧面的线状结构更明显，多孔硅层更厚．对应的ＰＬ谱，脉冲腐蚀的样品发光更强．

关键词： PL光谱多孔硅微结构发光特性 AFM

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光生电压谱方法对ZnSe/GaAs异质结导带偏移的研究

光生电压谱方法对ZnSe/GaAs异质结导带偏移的研究

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1996年中国青年学者物理学讨论会

作者：谌达宇王建宝靳彩霞陆昉孙恒慧复旦大学应用表面物理国家重点实验室李政道综合物理实验室复旦大学应用表面物理国家重点实验室李政道综合物理实验室复旦大学应用表面物理国家重点实验室李政道综合物理实验室复旦大学应用表面物理国家重点实验室李政道综合物理实验室复旦大学应用表面物理国家重点实验室李政道综合物理实验室

对宽禁带Ⅱ-Ⅵ族半导体异质结、量子阱和超晶格材料的研究是人们感兴趣的课题。由于 ZnSe/GaAs 异质结导带偏移较小,目前对其能带排列的研究存在不同的结果。本文采用的样品 A 是用分子束外延技术将厚度为100nm 的 ZnSe 薄膜生长在 n ... 详细信息

对宽禁带Ⅱ-Ⅵ族半导体异质结、量子阱和超晶格材料的研究是人们感兴趣的课题。由于 ZnSe/GaAs 异质结导带偏移较小,目前对其能带排列的研究存在不同的结果。本文采用的样品 A 是用分子束外延技术将厚度为100nm 的 ZnSe 薄膜生长在 n 型浓度为2×10cm的 GaAs 衬

关键词：异质结光子能量光生电压 ZnSe/GaAs

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