检索结果-内蒙古大学图书馆

物理学报 1996年第2期45卷 297-303页

作者：陈华杰张甫龙范洪雷阵溪滢黄大鸣俞鸣人侯晓远李谷波复旦大学应用表面物理国家重点实验室上海200433 四川工业学院物理实验室成都611744

用低温湿氧氧化方法对多孔硅进行后处理,获得了光致发光强度强、发光稳定的样品,顺磁共振谱表明这种样品表面的悬挂键密度较小,通过对样品红外光谱的测试和分析,指出SiH(O_3),SiH(SiO_2),SiH_2(O_2)结构的产生是实验中多孔硅稳定性提高... 详细信息

用低温湿氧氧化方法对多孔硅进行后处理,获得了光致发光强度强、发光稳定的样品,顺磁共振谱表明这种样品表面的悬挂键密度较小,通过对样品红外光谱的测试和分析,指出SiH(O_3),SiH(SiO_2),SiH_2(O_2)结构的产生是实验中多孔硅稳定性提高的原因.

关键词：氧化多孔硅发光稳定性低温湿氧

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GaAs表面S钝化方法：S气氛辉光放电法

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Journal of Semiconductors 1996年第6期17卷 476-480页

作者：陈溪滢曹华徐前江王杰朱炜曹先安张甫龙丁训民侯晓远陆明复旦大学应用表面物理国家重点实验室复旦大学李政道物理综合实验室复旦大学真空物理实验室

本文报道了一种新的ＧａＡｓ表面Ｓ钝化方法──Ｓ气氛辉光放电法．用光致发光光谱（ＰＬ）结合俄歇电子能谱（ＡＥＳ）和Ｘ射线光电子能谱（ＸＰＳ）研究了辉光放电Ｓ钝化的ＧａＡｓ（１００）表面．结果表明，与未处理的样品相比，用... 详细信息

本文报道了一种新的ＧａＡｓ表面Ｓ钝化方法──Ｓ气氛辉光放电法．用光致发光光谱（ＰＬ）结合俄歇电子能谱（ＡＥＳ）和Ｘ射线光电子能谱（ＸＰＳ）研究了辉光放电Ｓ钝化的ＧａＡｓ（１００）表面．结果表明，与未处理的样品相比，用该方法处理后的表面复合速率大大降低，ＰＬ强度提高了将近两个数量级，而且稳定．ＡＥＳ谱和ＸＰＳ谱测量结果表明用Ｓ气氛辉光放电的方法在ＧａＡｓ（１００）表面上形成了较厚的ＧａＳ薄膜．

关键词：砷化镓表面硫钝化法辉光放电法

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硅中δ掺杂的新进展

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物理 1996年第11期25卷 658-661页

作者：蒋最敏复旦大学物理系复旦大学应用表面物理国家重点实验室

掺杂Ｓｉ材料是一种新型半导体材料，它是利用杂质工程和能带工程的结合来调节半导体的性质的。它的许多物理性质为低维半导体系统的研究开辟了一个新领域，同时正是这些物理特性使得该材料在硅基光电子器件、电子器件研制中具有广阔的... 详细信息

掺杂Ｓｉ材料是一种新型半导体材料，它是利用杂质工程和能带工程的结合来调节半导体的性质的。它的许多物理性质为低维半导体系统的研究开辟了一个新领域，同时正是这些物理特性使得该材料在硅基光电子器件、电子器件研制中具有广阔的应用前景．文章介绍了硅中掺杂方面的研究新进展．

关键词： δ掺杂硅基材料分子束外延

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获得多孔硅蓝绿光发射的新方法

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物理学报 1996年第9期45卷 1586-1591页

作者：李谷波张甫龙范洪雷陈华杰俞鸣人侯晓远复旦大学应用表面物理国家重点实验室四川工业学院物理实验室

对多孔硅进行“胺液浸泡＋快速热氧化”处理，光致发光谱显示，经处理样品的发光峰值波长短到５００ｎｍ，而且在干燥空气中存放１６０ｄ后，发光强度变化很小．红外吸收谱表明，处理后的多孔硅的主要成分是硅和氧，胺液没有在发蓝绿光... 详细信息

对多孔硅进行“胺液浸泡＋快速热氧化”处理，光致发光谱显示，经处理样品的发光峰值波长短到５００ｎｍ，而且在干燥空气中存放１６０ｄ后，发光强度变化很小．红外吸收谱表明，处理后的多孔硅的主要成分是硅和氧，胺液没有在发蓝绿光的样品中留下残迹．电子自旋共振谱表明，这种蓝绿光样品有相当低的悬挂键密度．这些结果揭示，量子限制效应和表面态在多孔硅蓝绿光发射中起着关键性的作用．这种制备发蓝绿光样品的方法简单易行，成功率可达７０％．

关键词：多孔蛙发光射蓝光绿光

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Si_（1－x）Ge_x／Si定向耦合器的研制

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红外与毫米波学报 1996年第1期15卷 33-37页

作者：高勇李国正刘恩科赵策洲刘西钉张翔九卢学坤王迅西安交通大学电子工程系上海复旦大学应用表面物理国家重点实验室

在运用ＳｉＧｅ脊形波导单模条件和有效折射率法分析ＳｉＧｅ／Ｓｉ定向耦合器结构参数的基础上，采用分子束外延和各向异性腐蚀技术制备出Ｓｉ１－ｘＧｅｘ／Ｓｉ（ｘ＝０．０５）单模定向耦合器．在波长为１．３μｍ时，平均串音小于... 详细信息

在运用ＳｉＧｅ脊形波导单模条件和有效折射率法分析ＳｉＧｅ／Ｓｉ定向耦合器结构参数的基础上，采用分子束外延和各向异性腐蚀技术制备出Ｓｉ１－ｘＧｅｘ／Ｓｉ（ｘ＝０．０５）单模定向耦合器．在波长为１．３μｍ时，平均串音小于－１８．１ｄＢ，输出功率耦合效率达到９８．１％

关键词：光波导定向耦合器硅锗材料

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Co-Al/Cu多层膜中层间耦合和磁电阻的振荡

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科学通报 1996年第18期41卷 1657-1660页

作者：周仕明陈良尧朱伟荣王昱郑卫民王亚栋郑玉祥金庆原钱佑华董国胜金晓峰夏慧李政道物理学综合实验室复旦大学物理系上海200433 表面物理国家重点实验室复旦大学物理系上海200433 北京有色金属研究总院北京100080

近年来研究表明,由磁性金属和非磁性材料交替沉积而成的多层膜或超晶格结构中,相邻磁层间磁矩通过非磁层的耦合,可以出现相互平行排列的铁磁态、反平行排列的反铁磁态,或互相垂直的90°耦合。当磁性多层膜中出现反铁磁耦合时,样品... 详细信息

近年来研究表明,由磁性金属和非磁性材料交替沉积而成的多层膜或超晶格结构中,相邻磁层间磁矩通过非磁层的耦合,可以出现相互平行排列的铁磁态、反平行排列的反铁磁态,或互相垂直的90°耦合。当磁性多层膜中出现反铁磁耦合时,样品饱和时的磁阻R(S)小于零场时的电阻R(O),出现了所谓的巨磁电阻(giant magneto-resistance)效应,这一效应由于在磁头材料和磁敏感器件上具有广泛的用途而备受人们的关注。

关键词：磁性多层膜层间耦合磁电阻效应铝铜

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同步辐射X射线衍射研究Si中δ掺杂(Sb)结构

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科学通报 1996年第4期41卷 312-314页

作者：修立松姜晓明郑文莉卢学坤蒋最敏张翔九王迅中国科学院高能物理研究所北京l00039 复旦大学应用表面物理国家重点实验室上海200433

半导体中掺杂是控制半导体的光电性能的手段,杂质在半导体中的浓度和分布等结构参数与材料的物理性质直接相关。随着分子束外延等材料生长技术的发展,新型的半导体材料如超晶格已经广泛地吸引了人们的注意。δ掺杂是近年来国际上出现的... 详细信息

半导体中掺杂是控制半导体的光电性能的手段,杂质在半导体中的浓度和分布等结构参数与材料的物理性质直接相关。随着分子束外延等材料生长技术的发展,新型的半导体材料如超晶格已经广泛地吸引了人们的注意。δ掺杂是近年来国际上出现的又一种新的结构,它可减少二维电子(空穴)气系统中的杂质离子散射,在科学和技术应用上都有重要意义。 δ掺杂样品中的杂质离子仅分布在几个纳米的尺度内,一些常用的结构成分分析方法难以进行检测。如Rutherford背散射(RBS)、中能离子散射(MEIS)只对浓度原子百分比大于10^(-2)％杂质敏感,而二次离子质谱(SIMS)的空间分辨一般为3μm左右。X射线是检测物质结构的有效方法,常规光源的强度不足以测量到足够的衍射振荡来分析δ掺杂的结构。同步辐射光源是高亮度的X射线光源,它已成功地用来测量δ掺杂的结构。北京同步辐射装置漫散射实验站所用光源来自4W1C光束线,X光经一块压弯的三角形硅单晶单色化并水平聚焦后,再由一块全反射柱面镜进行垂直聚焦和滤去高次谐波,在样品处得到光斑大小为0.3mm×0.5mm、垂直发散度为0.1m rad的单色光。本实验中,三角弯晶为Si(111),所得的单色光波长为0.154nm。衍射平面在垂直方向,以利用同步光的水平偏振和垂直发散度小的特点。

关键词： X射线衍射同步辐射 δ掺杂硅半导体

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固体表面原子级裁剪

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科学 1996年第6期48卷 36-39页

作者：蒋平复旦大学应用表面物理国家重点实验室教授上海200433

当代科学技术的发展离不开各种材料,包括金属、半导体和绝缘体。由于材料性质各异,用它们制成的器件或物品各有不同用途,从而使世界物质文明水准发展到今天的高度。比如以硅为材料的计算机芯片的广泛使用已极大地改变了人们工作方式、... 详细信息

当代科学技术的发展离不开各种材料,包括金属、半导体和绝缘体。由于材料性质各异,用它们制成的器件或物品各有不同用途,从而使世界物质文明水准发展到今天的高度。比如以硅为材料的计算机芯片的广泛使用已极大地改变了人们工作方式、生活习惯乃至国民经济的组成。有人认为我们正进入'硅芯片'时代,足以与石器时代、青铜时代等相提并论。

关键词：扫描隧道显微术表面原子搬迁量子围栏

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材料科学的前沿

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国际学术动态 1996年第4期 62-64,71页

作者：王迅复旦大学应用表面物理国家重点实验室

美国材料学会1994年秋季会议11月28日至12月2日在波士顿召开。与会者多达4000余人,报告论文3100多篇。"材料科学前沿"专题有几个邀请报告,题目是:脉冲激光淀积,燃料电池的商业化,外延生长中奇特奥妙的二维结构,氯化碳固体:金... 详细信息

美国材料学会1994年秋季会议11月28日至12月2日在波士顿召开。与会者多达4000余人,报告论文3100多篇。"材料科学前沿"专题有几个邀请报告,题目是:脉冲激光淀积,燃料电池的商业化,外延生长中奇特奥妙的二维结构,氯化碳固体:金刚石的替代物?Ⅱ-Ⅳ族蓝绿激光二极管的发展,同位素工程的半导体,微电机系统中的薄膜材料和工艺。

关键词：材料科学美国

来源：评论

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第23届国际半导体物理会议述评

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国际学术动态 1996年第6期 33-36页

作者：王迅复旦大学应用表面物理国家重点实验室

第23届国际半导体物理会议于1996年7月22—26日在德国柏林举行。本次会议是历来规模最大的一次。共收到论文近1900篇,被录用865篇。参会者超过1200人。有9篇大会报告,分别是:①***,量子霍尔效应的新进展;②***,氮基Ⅲ—Ⅴ族蓝/绿发光二... 详细信息

第23届国际半导体物理会议于1996年7月22—26日在德国柏林举行。本次会议是历来规模最大的一次。共收到论文近1900篇,被录用865篇。参会者超过1200人。有9篇大会报告,分别是:①***,量子霍尔效应的新进展;②***,氮基Ⅲ—Ⅴ族蓝/绿发光二极管和激光器;③***,量子点的有序阵列;④***,人工原子的介观物理;⑤***,塑料光电子器件;⑥***,量子阱、线、点和混沌围场的磁隧穿;⑦***,半导体表面的原子和纳米级加工;⑧***,低维系统中的介观输运;⑨***,硅超大规模集成电路到2010年的挑战。

关键词：半导体物理学术会议国际会议

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