检索结果-内蒙古大学图书馆

化合物半导体会议述评

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国际学术动态 1996年第3期 20-22页

作者：王迅复旦大学应用表面物理国家重点实验室

第22届国际化合物半导体会议于1995年8月28日至9月2日在韩国济州岛举行。这个会议的前身为"国际砷化镓及有关化合物会议",自1993年起改为现名。

关键词：化合物半导体移位技术激光器锌铯化合物 GaN 氮化镓

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美国物理学会3月会议概况

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国际学术动态 1996年第6期 37-37,32页

作者：张开明复旦大学应用表面物理国家重点实验室

美国物理学会1996年3月年会于18日至22日在美国密苏里州的圣路易斯市举行。会议共收到论文摘要4400篇,有575篇邀请报告。凝聚态物理是其重要部分,材料物理也占有很大比例。还包括计算物理,生物物理,化学物理,高分子物理,激光物理,流体... 详细信息

美国物理学会1996年3月年会于18日至22日在美国密苏里州的圣路易斯市举行。会议共收到论文摘要4400篇,有575篇邀请报告。凝聚态物理是其重要部分,材料物理也占有很大比例。还包括计算物理,生物物理,化学物理,高分子物理,激光物理,流体动力学,工业应用物理,物理学史,以及物理学教学等。在凝聚态物理中,高温超导的理论和实验研究占有较多部分,约有30个分组专门讨论高温超导的有关问题。富氏烯的研究约有6个专门的分组。

关键词：美国物理学会学术会议

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X射线光电子能谱仪研究与应用

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国际学术动态 1996年第3期 30-30,35页

作者：王迅复旦大学应用表面物理国家重点实验室

1995澳洲—亚洲X射线光电子能谱(XPS)会议于11月14—17日在澳大利亚悉尼召开。会议的组织者为新威尔士大学化学系的Robert Lamb和墨尔本La Trobe大学物理系的John Liesegang,与会者80人。

关键词： X射线光电子能谱仪应用 XPS技术

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第5届国际半导体界面形成会议概况

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国际学术动态 1996年第2期 49-50页

作者：丁训民复旦大学应用表面物理国家重点实验室

第5届国际半导体界面形成会议(ICFSI-5)于1995年6月26日至30日在美国普林斯顿大学举行。与会代表200多人,会上交流论文近200篇。从国内(大陆)赴会的学者有谢希德教授和笔者。半导体界面形成会议是一个专门讨论与半导体表面和界面研究有... 详细信息

第5届国际半导体界面形成会议(ICFSI-5)于1995年6月26日至30日在美国普林斯顿大学举行。与会代表200多人,会上交流论文近200篇。从国内(大陆)赴会的学者有谢希德教授和笔者。半导体界面形成会议是一个专门讨论与半导体表面和界面研究有关的学术问题的国际系列会议。本届会议是该系列会议第一次在美国举行,因而几乎所有本领域内的美国权威学者都带着各自最新的研究成果参加了会议。

关键词：半导体国际会议界面形成会议

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稀磁半导体Zn_（1－x）Mn_xSe外延薄膜与超晶格的光学特性研究

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Journal of Semiconductors 1996年第8期17卷 573-577页

作者：陈晞王学忠刘继周陈辰嘉王杰凌震王迅王淑梅吕少哲北京大学物理系复旦大学应用表面物理国家重点实验室中国科学院长春物理研究所激发态物理开放实验室

用分子束外延生长了不同组分ｘ的Ｚｎ１－ｘＭｎｘＳｅ外延膜和Ｚｎ１－ｘＭｎｘＳｅ／ＺｎＳｅ超晶格．由于Ｚｎ１－ｘＭｎｘＳｅ的能隙Ｅｇ随组分变化在低组分区形成弓形，且弓形的范围随温度变化的反常特性，首次在光致发光谱（ＰＬ... 详细信息

用分子束外延生长了不同组分ｘ的Ｚｎ１－ｘＭｎｘＳｅ外延膜和Ｚｎ１－ｘＭｎｘＳｅ／ＺｎＳｅ超晶格．由于Ｚｎ１－ｘＭｎｘＳｅ的能隙Ｅｇ随组分变化在低组分区形成弓形，且弓形的范围随温度变化的反常特性，首次在光致发光谱（ＰＬ）中观测到当温度升高时，Ｚｎ１－ｘＭｎｘＳｅ／Ｚｎｓｅ超晶格中由ＺｎＳｅ为阱、Ｚｎ１－ｘＳｅ为垒转换成Ｚｎ１－ｘＳｅ为阱，ＺｎＳｅ为垒．瞬态光致发光结果表明，Ｚｎ１－ｘＭｎｘＳｅ／ＺｎＳｅ超晶格中Ｍｎ＋＋离子的激发态弛豫时间远大于Ｚｎ１＝ｘＭｎｘＳｅ外延模中Ｍｎ＋＋离子的弛豫时间，这可能是由于超晶格中界面效应引起Ｍｎ＋＋离子间交换相互作用改变所致．

关键词：稀磁半导体 ZnMnSe薄膜外延生长超晶格

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SiGe／Si应变层超晶格的结构和光散射特性

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光散射学报 1996年第2期8卷 63-81页

作者：黄大鸣刘晓晗蒋最敏张翔九复旦大学物理系和应用表面物理国家重点实验室

ＳｉＧｅ／Ｓｉ应变层超晶格是一种亚稳态结构。在高温下，原子互扩散导致异质界面展宽；同时，由晶格失配引起的应变会发生弛豫。这两种现象都将导致超晶格结构的变化。本文证明，利用拉曼散射光谱可以定量地反映这一变化。（１）我们... 详细信息

ＳｉＧｅ／Ｓｉ应变层超晶格是一种亚稳态结构。在高温下，原子互扩散导致异质界面展宽；同时，由晶格失配引起的应变会发生弛豫。这两种现象都将导致超晶格结构的变化。本文证明，利用拉曼散射光谱可以定量地反映这一变化。（１）我们首先把界面陡峭超晶格中折叠纵声学（ＦＬＡ）声子的色散关系和散射强度的理论计算推广到界面展宽的情形。然后，我们分析了测量得到的在不同温度下退火的超晶格样品的ＦＬＡ声子散射谱。通过测量谱和计算结果的比较，得到了不同退火温度下异质界面的展宽或扩散长度。我们也从理论上证实并且在实验上观察到：ＬＦＡ声子在超晶格布里渊区边界的能带分裂随异质界面的展宽而减小。（２）我们定量地分析了ＳｉＧｅ／Ｓｉ超晶格中光学声子的散射谱随退火温度的变化。考虑到原子互扩散引起的合金组份变化以及应变弛豫两大因素，我们发现，对上述合金型ＳｉＧｅ／Ｓｉ超晶格，在８００℃下退火１０分钟，超晶格中由于原子互扩散引起的界面展宽是非常严重的。相比之下，晶格弛豫的大小与材料的生长条件有关。对较低温度（４００℃）下生长的超晶格，晶格弛豫量并不大，仅为１６％。这一结果也得到了Ｘ－射线衍射谱的支持。

关键词： SiGe/Si超晶格拉曼散射结构稳定性

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Zn_（1－x）Mg_xS_ySe_（1－y）四元半导体合金的拉曼散射光谱研究

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光散射学报 1996年第1期8卷 1-5页

作者：王东红黄大鸣靳彩霞刘晓晗凌震王杰复旦大学物理系和应用表面物理国家重点实验室

用分子束外延方法在ＧａＡｓ（１００）衬底上生长了Ｚｎ１－ｘＭｇｘＳｙＳｅ１－ｙ四元半导体合金薄膜．用Ｘ－射线衍射方法确定了外延层的结构和晶格常数．测量了这些样品在平行和垂直两种不同几何配置下的拉曼散射光谱并对其特性做... 详细信息

用分子束外延方法在ＧａＡｓ（１００）衬底上生长了Ｚｎ１－ｘＭｇｘＳｙＳｅ１－ｙ四元半导体合金薄膜．用Ｘ－射线衍射方法确定了外延层的结构和晶格常数．测量了这些样品在平行和垂直两种不同几何配置下的拉曼散射光谱并对其特性做了研究。从实验上观察到了四类不同的晶格振动模：类ＺｎＳｅ的ＴＯ和ＬＯ模以及类ＺｎＳ和类ＭｇＳ的ＬＯ模，实验发现：在ＺｎＳｅ和ＺｎＳＳｅ中加入Ｍｇ使得类ＺｎＳｅ的ＴＯ和ＬＯ模的振动频率下降；同时，也使类ＺｎＳ模的频率随Ｓ的增加率减小。

关键词：四元半导体合金拉曼散射光谱 ZnMgSSe 分子束外延

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分散有ZnS:Mn^(2+)纳米微粒的玻璃的制备和光学性质

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科学通报 1996年第17期41卷 1569-1571页

作者：陈一民刘俊业赵家龙靳春明侯尚公黄世华虞家琪向卫东张军杰王中才张希清中国科学院长春物理研究所激发态物理开放研究实验室长春130021 中国科学院长春光学精密机械研究所长春130022 复旦大学应用表面物理国家重点实验室上海200433

近年来半导体纳米微粒的光物理性质引起了人们越来越大的研究兴趣。半导体微晶随着其尺寸的变小能够表现出光物理性质上的量子尺寸效应。以往人们研究涉及较多的是半导体微晶的本征特性及其与周围介质的作用。自从Bhargava等报道了化学... 详细信息

近年来半导体纳米微粒的光物理性质引起了人们越来越大的研究兴趣。半导体微晶随着其尺寸的变小能够表现出光物理性质上的量子尺寸效应。以往人们研究涉及较多的是半导体微晶的本征特性及其与周围介质的作用。自从Bhargava等报道了化学反应合成的ZnS:Mn^(2+)纳米微粒的光学性质,掺杂半导体纳米微粒发光性质的研究受到了极大的重视。掺杂纳米微粒有可能成为新的一类发光材料。

关键词：纳米材料光学性质硫化锌锰离子微晶玻璃

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钠在沸石笼子中的构型及电子结构的理论研究

钠在沸石笼子中的构型及电子结构的理论研究

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'96中国材料研讨会

作者：孙强叶令大学表面物理国家重点实验室及复旦大学物理系(上海)

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亚稳态γ-Mn与GaAs(100)界面的形成:扩散和化学反应

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物理学报 1995年第1期44卷 115-121页

作者：张明董国胜徐敏陈艳金晓峰朱兴国复旦大学李政道物理综合实验室和应用表面物理国家重点实验室上海200433 浙江大学基础部

利用低能电子衍射、电子能量损失谱和X射线电子能谱,对亚稳态了γ-Mn在清洁、有序的GaAs(100)表面的淀积过程进行了研究.研究结果表明,淀积初期锰的生长是层状的.在生长过程中界面发生互混井伴随着Mn与衬底间的化学反应.我们用一简单的... 详细信息

利用低能电子衍射、电子能量损失谱和X射线电子能谱,对亚稳态了γ-Mn在清洁、有序的GaAs(100)表面的淀积过程进行了研究.研究结果表明,淀积初期锰的生长是层状的.在生长过程中界面发生互混井伴随着Mn与衬底间的化学反应.我们用一简单的模型对上述过程进行了理论计算,得到的结果与实验基本吻合.这对于进一步理解亚稳态γ-Mn的形成机理具有重要意义.

关键词：亚稳态γ-Mn GaAs(100) 界面扩散化学反应

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