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主题

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作者

  • 97 篇 蒋最敏
  • 94 篇 王迅
  • 68 篇 侯晓远
  • 45 篇 丁训民
  • 34 篇 樊永良
  • 32 篇 黄大鸣
  • 30 篇 徐飞
  • 28 篇 张翔九
  • 28 篇 吴义政
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  • 23 篇 金晓峰
  • 23 篇 王杰
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  • 19 篇 刘晓晗
  • 18 篇 盛篪
  • 17 篇 李富铭

语言

  • 819 篇 中文
  • 8 篇 英文
检索条件"机构=复旦大学应用表面物理国家重点实验室上海200433"
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SiGe／Si应变层超晶格异质界面热稳定性的光散射研究
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光散射学报 1995年 第2期7卷 113-114页
作者： 刘晓晗 黄大鸣 蒋最敏 复旦大学物理系和应用表面物理国家重点实验室
ＳｉＧｅ／Ｓｉ应变层超晶格异质界面热稳定性的光散射研究刘晓晗，黄大鸣，蒋最敏（复旦大学物理系和应用表面物理国家重点实验室上海２００４３３）ＲａｍａｎＳｔｕｄｙｏｎＴｈｅＩｎｔｅｒｆａｃｅＳｔａｂｉｌｉｔｙｏｆＳｕＧＥ... 详细信息
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外延Zn1－xMgxSe半导体合金的拉曼散射谱研究
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光散射学报 1995年 第Z1期 96+98-96+98页
作者： 黄大鸣，王杰，刘晓晗，王东红，靳彩霞，郑玉祥 复旦大学物理系和应用表面物理国家重点实验室
外延Ｚｎ＿（１－ｘ）Ｍｇ＿ｘＳｅ半导体合金的拉曼散射谱研究黄大鸣，王杰，刘晓晗，王东红，靳彩霞，郑玉祥（复旦大学物理系和应用表面物理国家重点实验室上海２００４３３）ＲａｍａｎＳｔｕｄｙｏｎＺｎ＿（１－ｘ）Ｍｇ＿ｘＳｅ... 详细信息
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外延Zn_（1－x）Mg_xSe半导体合金的拉曼散射谱研究
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光散射学报 1995年 第2期7卷 96-96,98页
作者： 黄大鸣 王杰 刘晓晗 王东红 靳彩霞 郑玉祥 复旦大学物理系和应用表面物理国家重点实验室
外延Ｚｎ＿（１－ｘ）Ｍｇ＿ｘＳｅ半导体合金的拉曼散射谱研究黄大鸣，王杰，刘晓晗，王东红，靳彩霞，郑玉祥（复旦大学物理系和应用表面物理国家重点实验室上海２００４３３）ＲａｍａｎＳｔｕｄｙｏｎＺｎ＿（１－ｘ）Ｍｇ＿ｘＳｅ... 详细信息
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硫钝化GaAs异质结双极型晶体管取得明显效果
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真空科学与技术学报 1995年 第1期 35-35页
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团簇研究的一些进展
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自然科学进展（国家重点实验室通讯） 1995年 第4期5卷 403-409页
作者： 王广厚 倪国权 李郁芬 施朝淑 固体微结构物理国家重点实验室 南京大学物理系南京210093 中国科学院上海光学精密机械研究所 中国科学院量子光学联合开放实验室上海201800 复旦大学物理系 上海200433 中国科学技术大学物理系 国家同步辐射实验室合肥230029
由若干原子或分子组成的集合体,简称团簇,即cluSter。虽然缺乏对于团簇的精确定义,一般可以这样说,团簇是由几个到几万个原子或分子组成的稳定或近于稳定的集合体。数百个原子组成的团簇,其直径已在亚纳米或已进入纳米量级;上千个或成... 详细信息
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多孔硅发光稳定性的改进
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物理学报 1994年 第3期43卷 499-504页
作者： 张甫龙 侯晓远 杨敏 黄大鸣 王迅 复旦大学应用表面物理国家重点实验室
采用在热ＨＮＯ，中对多孔度较低的多孔硅样品进行氧化的方法，我们获得了稳定性和均匀性都较好的多孔硅样品。这是一种不同于快速热氧化且更方便易行的方法。另外还用ＳＥＭ和ＦＴＩＲ对其特性进行了研究。
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空间限制与应变对发光多孔硅喇曼光谱的影响
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物理学报 1994年 第3期43卷 494-498页
作者： 杨敏 黄大鸣 郝平海 张甫龙 侯晓远 王迅 复旦大学应用表面物理国家重点实验室
发光多孔硅的喇曼光谱在５２０ｃｍ￣（－１）附近呈现一锐峰，峰位的红移随多孔度的增大而增大采用微晶模型拟合喇曼谱的线形，发现除了光学声子的空间限制效应，硅单晶的应变对峰位的移动也有显著贡献。通过谱形的拟合估算了硅微粒的... 详细信息
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硅锗分子束外延层表面形貌的扫描隧道显微镜研究
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Journal of Semiconductors 1994年 第6期15卷 409-415页
作者： 周铁城 蔡群 朱昂如 董树忠 盛篪 俞鸣人 张翔龙 王迅 复旦大学应用表面物理国家重点实验室
本文用扫描隧道显微镜（ＳＴＭ）在大气环境中对硅分子束外延生长的一系列样品表面进行了形貌研究．在实空间观测到硅衬底上异质外延生长锗的初期表面形成锗岛，在检测外延生长层表面质量方面对反射式高能电子衍射（ＫＨＥＥＤ）和扫描... 详细信息
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GaN异质外延的离子化氮源方法
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物理学报 1994年 第7期43卷 1123-1128页
作者： 贺仲卿 丁训民 侯晓远 王迅 沈孝良 复旦大学应用表面物理国家重点实验室和李政道物理学综合实验室 复旦大学分析测试中心
用电离Ｎ＿２产生的离子束作为外延生长氮化物的Ｎ源已获得成功，在ＧａＡｓ（１００）衬底上长出了具有立方结晶的ＧａＮ薄膜，其（２００）ｘ射线衍射峰宽仅２３’。并用高分辨率电子能量损失谱测到立方ＧａＮ的表面光学声子出现在损... 详细信息
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离子溅射在GaP极性表面引起的损伤及其消除
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Journal of Semiconductors 1994年 第11期15卷 790-794页
作者： 卢学坤 侯晓远 丁训民 王迅 复旦大学应用表面物理国家重点实验室
离子束处理在器件工艺和材料表征技术中有着广泛的应用．本文采用低能电子衍射、Ｘ光电子能谱和角分辨紫外光电子能谱对ＧａＰ极性表面经Ａｒ离子溅射后的损伤情况进行了研究．主要探讨表面损伤及其消除、表面能带弯曲等问题．
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