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作者

  • 97 篇 蒋最敏
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检索条件"机构=复旦大学应用表面物理国家重点实验室上海200433"
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多孔硅的电致发光研究
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Journal of Semiconductors 1993年 第3期14卷 139-142页
作者： 张甫龙 郝平海 史刚 侯晓远 丁训民 黄大鸣 王迅 复旦大学应用表面物理国家重点实验室 上海200433
本文研究了多孔硅的电致发光现象。在多孔硅上淀积了半透明金膜后,当正向偏压加到15V、电流密度100mA/cm^2时,观察到了稳定的电致可见光发射现象。伏安曲线的测量表明它有明显的类似二极管的整流特性。
来源： 评论
碱金属原子与W,Pt表面的电荷交换
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物理学报 1993年 第9期42卷 1410-1415页
作者： 金春林 黎忠 臧德鸿 叶慧 汤家镛 杨福家 复旦大学物理二系三束材料改性国家重点实验室 上海200433
本工作利用热能碱金属原子与炽热W,Pt表面的相互作用,研究了碱金属原子与金属表面的电荷交换,以及金属表面吸附原子后表面功函数的变化。
来源： 评论
一种新的亚稳态Mn的制备和结构研究
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Journal of Semiconductors 1993年 第11期14卷 718-722,T001页
作者： 朱兴国 张明 徐敏 董国胜 金晓峰 复旦大学应用表面物理国家重点实验室
本文利用反射式高能电子衍射,对于Mn在GaAs(001)清洁表面上的分子束外延进行了研究,第一次从实验上直接观察到Mn的一种新的亚稳态,即γ-Mn(面心立方结构)。实验还发现,在靠近GaAs界面处的外延层中,晶格常数在平面内约有5％的膨胀,这一... 详细信息
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T型量子器件的理论研究
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复旦学报（自然科学版） 1993年 第4期32卷 450-455页
作者： 陈宇新 徐光照 蒋平 复旦大学应用表面物理国家重点实验室
对两种T型电子波导器件即遥控栅量子晶体管和中间栅量子晶体管进行了理论研究.通过求解电子波函数分析了器件的输运性质,证明了器件中栅极对电导的调制效应,即器件的晶体管功能.同时,对多模效应的研究表明,多模的相关会减弱器件的干涉效... 详细信息
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多孔硅发光研究的最新进展──纳米尺寸硅的发光和电子特性国际讨论会介绍
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物理 1993年 第7期22卷 406-411页
作者： 王迅 复旦大学应用表面物理国家重点实验室 上海200433
这是作者参加１９９３年２月在美国召开的有关多孔硅发光的国际会议后写的总结．它深入浅出地介绍了会议的全貌，概括了多孔硅发光及有关性质的研究现状和进展，有助于广大读者了解物理学中这一热点、领域的进展和现状．本刊热切希望参... 详细信息
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多孔硅材料和光电器件
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半导体光电 1993年 第2期14卷 109-114页
作者： 俞鸣人 侯晓远 复旦大学应用表面物理国家重点实验室
介绍了多孔硅的形成方法及其机理。对国内外有关该材料在固体发光方面的研究现状和进展及其在光电器件上的应用作了讨论。
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WO_3薄膜的显色性和敏感性研究
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功能材料 1993年 第4期24卷 314-318页
作者： 陈祥君 邵丙铣 郑庆平 宗祥福 复旦大学应用表面物理国家重点实验室 上海200433
本文利用反应离子束溅射技术制备WO_3薄膜,在衬底温度为室温时,溅射制备的薄膜经电子束(?)时,说明它是无定形的。在电化学过程中,氢离子注入WO_3薄膜,使薄膜显示出蓝色,薄膜的电阻率随之降低.这种显色性和敏感性使WO_3薄膜在显示器件和p... 详细信息
来源： 评论
γ相亚稳态Mn的制备和研究
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物理 1993年 第10期22卷 636-637页
作者： 董国胜 张明 金晓峰 复旦大学应用表面物理国家重点实验室
来源： 评论
Mn/GaAs(100)界面的形成和化学反应的研究
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物理学报 1993年 第8期42卷 1333-1339页
作者： 张明 董国胜 李喆深 徐敏 金晓峰 王迅 朱兴国 复旦大学应用表面物理国家重点实验室 上海200433 浙江工学院物理教研室 杭州310032
利用低能电子衍射(LEED)、X射线光电子能谱(XPS)、电子能量损失谱(EELS)、紫外光电子能谱(UPS),对室温下Mn在GaAs(100)4×1表面的淀积过程进行了研究。研究结果表明,当锰的覆盖度θ≥0.25nm时,LEED图案完全消失,表明Mn没有生长成单... 详细信息
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用光电子能谱研究 Si/GaP(Ⅲ)异质界面的价带不连续性
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物理学报 1993年 第10期42卷 1654-1660页
作者： 黄春晖 陈平 王迅 福州大学物理系 福州350002 复旦大学表面物理国家重点实验室 上海200433
介绍在改装的ADES-400型光电子能谱仪上,用Si电子束蒸发的方法生长Si/GaP(Ⅲ)界面的过程,并用光电子能谱原位地分析测量不同条件下生长的Si/GaP(Ⅲ)异质界面的形成状况和价带不连续值△E_v。讨论了△E_v与界面状况和原子能级变化的相互... 详细信息
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