检索结果-内蒙古大学图书馆

物理学报 1993年第9期42卷 1515-1521页

作者：于志刚李列明孙鑫复旦大学物理系上海技术物理研究所上海200433 复旦大学红外物理国家重点实验室上海200083

研究了电子-电子相互作用与电子-声子相互作用的竞争对MX络合物基态及三次谐波产生系数(THG)的影响。根据哈伯德模型,当电子-电子相互作用强度U不超过2t_0(t_0是最近邻的M原子d_z2和x原子Pz轨道间的跳跃能)时,可用Hartree-Fock(HF)近似... 详细信息

研究了电子-电子相互作用与电子-声子相互作用的竞争对MX络合物基态及三次谐波产生系数(THG)的影响。根据哈伯德模型,当电子-电子相互作用强度U不超过2t_0(t_0是最近邻的M原子d_z2和x原子Pz轨道间的跳跃能)时,可用Hartree-Fock(HF)近似来研究体系的状态,结果发现随着U的增大,体系会从电荷密度波(CDW)变为自旋密度波(SDW),相交点发生在U～1.2t_0,且是一级相变。在相变点能隙最小,THG很大。并据此对寻找非线性光学材料提出建议。

关键词： MX络合物谐波非线性材料光学

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硅锗量子阱埋沟场效应晶体管

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现代物理知识 1993年第6期 10-11页

作者：胡际璜王迅复旦大学应用表面物理国家重点实验室复旦大学应用表面物理国家重点实验室上海200433

现代科学技术的发展、自动化程度的提高、计算机应用的普及,需要越来越多的高速大规模、超大规模集成电路.金属/氧化物/半导体场效应晶体管(MOSFET) 由于其工艺简单、产额高、功耗低、抗干扰能力强、输入阻抗高、易于大规模集成,在大规... 详细信息

现代科学技术的发展、自动化程度的提高、计算机应用的普及,需要越来越多的高速大规模、超大规模集成电路.金属/氧化物/半导体场效应晶体管(MOSFET) 由于其工艺简单、产额高、功耗低、抗干扰能力强、输入阻抗高、易于大规模集成,在大规模集成电路领域内很受人们青睐.尤其是互补型金属/氧化物/半导体场效应晶体管(CMOS)电路,可在单电流下工作,且工作电压范围广、噪声容限大、集成度高.几乎有取代双极型晶体管集成电路的趋势.然而,CMOS电路的速度因受ρ沟MOS中空穴迁移率的限制,不如双极型器件的快,使它的应用受到一定的限制.如能提高它的工作速度,则可使MOS电路具有更强的生命力.

关键词：空穴迁移率量子杂质散射子阶热载流子载流子(半导体) MOSFET 栅介质介质材料埋沟半导体场效应晶体管载流子迁移率

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多孔硅研究的新进展——蓝光发射

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自然科学进展（国家重点实验室通讯） 1993年第3期3卷 279-281页

作者：王为史刚张甫龙郝平海黄大鸣侯晓远王迅复旦大学应用表面物理国家重点实验室上海 200433

近年来,人们发现室温下多孔硅能够发射可见光,这使得全硅光电子集成有可能得以实现.由于这一诱人的应用前景以及多孔硅发射可见光的机理研究本身具有极大的物理意义,因而使多孔硅的发光研究成为近年来一大热点. 然而迄今为止,人们所获... 详细信息

近年来,人们发现室温下多孔硅能够发射可见光,这使得全硅光电子集成有可能得以实现.由于这一诱人的应用前景以及多孔硅发射可见光的机理研究本身具有极大的物理意义,因而使多孔硅的发光研究成为近年来一大热点. 然而迄今为止,人们所获得的多孔硅发光波长一般在600-800nm之间,最短的也在530nm附近,也就是只能制得发射红、橙、黄、绿光的多孔硅,而无法获得蓝光发射.这对于多孔硅的实际应用和机理研究都是一个重大障碍.在实用方面,蓝色作为彩色的三基色之一,在任何彩色显示中都不可缺少;而在理论方面。

关键词：多孔硅光致发光荧光显微硅

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步入“能带工程”的硅器件

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科学 1993年第4期45卷 49-52页

作者：张翔九复旦大学应用表面物理国家重点实验室

Si 与 Ge 是二种重要的半导体材料。早在50年代初期,由于化合物半导体材料的发展,人们就已开始生长与研究 SiGe 半导体,但由于技术上的困难,没有能研制出品质优良的材料,因而在很长一段时间内。SiGe 一直未能受到人们的重视。直到70年... 详细信息

Si 与 Ge 是二种重要的半导体材料。早在50年代初期,由于化合物半导体材料的发展,人们就已开始生长与研究 SiGe 半导体,但由于技术上的困难,没有能研制出品质优良的材料,因而在很长一段时间内。SiGe 一直未能受到人们的重视。直到70年代中期,卡斯珀(E.

关键词：硅半导体材料生长法

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单电子学到来了吗

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科学 1993年第3期45卷 48-51页

作者：蒋平复旦大学应用表面物理国家重点实验室

科学史上不乏这样的例子,由于种种原因,个别学者发现的科学现象在当时并未引起大家的重视。多年以后,当一个新的科学浪潮涌来的时候,人们才意识到浪涌的源头正是当年被冷落的发现。微结构中的库仑阻塞和单电子隧穿效应就是最近的一个典... 详细信息

科学史上不乏这样的例子,由于种种原因,个别学者发现的科学现象在当时并未引起大家的重视。多年以后,当一个新的科学浪潮涌来的时候,人们才意识到浪涌的源头正是当年被冷落的发现。微结构中的库仑阻塞和单电子隧穿效应就是最近的一个典型。80年代中期以来,库仑阻塞效应已成为凝聚态物理研究的重要方向,90年代更形成热潮。并于1991年3月在法国召开首届专题性国际会议。基于这一重要物理效应所发展的新型器件将来在电子学中可能有灿烂的应用前景。

关键词：单电子学隧穿库仑阻塞

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库仑阻塞、单电子相关隧穿与单电子晶体管

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现代物理知识 1993年第2期 38-40页

作者：蒋平复旦大学应用表面物理国家重点实验室

越来越多的人相信,发展新一代在原理上全新的电子器件是下一世纪电子工业的希望所在.在这一方面,近年来已有一个又一个的量子器件原型见诸报道;还有更多的设想和建议不断被提出来,引起人们浓厚的兴趣.现在,又有一种新型小尺寸器件——... 详细信息

越来越多的人相信,发展新一代在原理上全新的电子器件是下一世纪电子工业的希望所在.在这一方面,近年来已有一个又一个的量子器件原型见诸报道;还有更多的设想和建议不断被提出来,引起人们浓厚的兴趣.现在,又有一种新型小尺寸器件——单电子晶体管在在向我们招手.根据这种器件的发展前景,有人甚至提出了单电子学这一崭新的学科.单电子晶体管是与库仑阻塞这一著名的物理现象联系在一起的.

关键词：单电子晶体管导体电容器电子学电器电学库仑阻塞单电子隧穿

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中性孤子的关联函数