检索结果-内蒙古大学图书馆

物理学报 1992年第6期41卷 1036-1043页

作者：董国胜陆春明李喆深王迅复旦大学应用表面物理国家重点实验室上海200433

本文用俄歇电子能谱、X射线光电子能谱和紫外光电子能谱对用硫化铵溶液处理的InSb表面进行研究。结果表明,硫处理以后在样品表面生成。一层厚度约8A的硫化物钝化层,它对防止表面的氧化和碳沾污有明显的钝化作用。钝化层中,破原子既与锑... 详细信息

本文用俄歇电子能谱、X射线光电子能谱和紫外光电子能谱对用硫化铵溶液处理的InSb表面进行研究。结果表明,硫处理以后在样品表面生成。一层厚度约8A的硫化物钝化层,它对防止表面的氧化和碳沾污有明显的钝化作用。钝化层中,破原子既与锑原子成键,引起Sb3d芯能级发生1.9eV的化学位移;又与铟原子成键,引起In4d芯能级发生0.6—0.7eV的化学位移。350℃的真空退火使锑的硫化物发生分解。500℃退火没能使铟的硫化物完全分解,仍有一部分硫原子以铟的硫化物形式留在样品表面。

关键词：表面硫处理钝化层锑化甸

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

Si(100)表面电子态的总电流谱研究

引用

物理学报 1992年第6期41卷 992-998页

作者：王向东胡际璜葛毓青戴道宣复旦大学应用表面物理国家重点实验室上海200433

用自制的总电流谱仪研究了Si(100)2×1清洁表面以及H原子饱和吸附后的Si(100)1×1-2H双氢化相表面的电子态。在清洁表面上测得的空电子态位于价带顶以上0.7eV处,而占有电子态则在价带顶以下0.25,8.4和近12eV处。在双氢化相表面... 详细信息

用自制的总电流谱仪研究了Si(100)2×1清洁表面以及H原子饱和吸附后的Si(100)1×1-2H双氢化相表面的电子态。在清洁表面上测得的空电子态位于价带顶以上0.7eV处,而占有电子态则在价带顶以下0.25,8.4和近12eV处。在双氢化相表面上还观测到处于价带顶以下两个诱导表面态。

关键词：硅表面电子态总电流谱

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

第21届国际半导体物理会议在北京举行

引用

固体电子学研究与进展 1992年第4期 383-384页

作者：蒋平复旦大学应用表面物理国家重点实验室上海 200433

1992年8月10日至14日,在北京国贸中心中国大饭店举行了第21届国际半导体物理会议(ICPS-21)。从1950年开始,国际半导体物理会议每两年举行一次,是全世界半导体物理领域最高水平的学术会议。本届会议由我国半导体物理学家谢希德教授担任... 详细信息

1992年8月10日至14日,在北京国贸中心中国大饭店举行了第21届国际半导体物理会议(ICPS-21)。从1950年开始,国际半导体物理会议每两年举行一次,是全世界半导体物理领域最高水平的学术会议。本届会议由我国半导体物理学家谢希德教授担任主席。由于她本人和国内外许多知名科学家几年来的不懈努力,终于使这一国际学术界的盛会得以首次在中国举行。

关键词：会议半导体物理北京扫描隧道显微术电子显微术电工材料

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

热壁外延ZnSe/GaAs薄膜生长机理的研究

引用

Journal of Semiconductors 1992年第2期13卷 90-94页

作者：王杰李喆深蔡群陆春明沈军王迅复旦大学应用表面物理国家重点实验室上海200433

本文用四极质谱(QMS)、X射线光电子谱(XPS)、俄歇电子能谱(AES)等手段,对单一源热壁外延(HWB)ZnSe/GaAs 薄膜的生长机理作了一些研究.这些研究主要包括 ZnSe源的蒸发情况以及在不同衬底温度条件下,外延薄膜的化学配比状态.

关键词：热壁外延薄膜外延生长 ZnSe/GaAs

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

多孔硅量子约束效应导致的红外多光子激发荧光

引用

Journal of Semiconductors 1992年第12期13卷 773-776页

作者：王健蒋红兵王文澄郑家骠张甫龙郝平海侯晓远王迅复旦大学三束材料改性国家重点实验室上海200433 复旦大学应用表面物理国家重点实验室上海200433

采用超短脉冲近红外光(1.06μm)激发,首先在多孔硅表面观察到了较强的可见区荧光产生.荧光强度与激发光强度的三次方关系表明,有效的荧光产生起源于三阶非线性光学效应的增强.对多孔度低的样品观察不到这种荧光发射.通过与多孔硅的紫外... 详细信息

采用超短脉冲近红外光(1.06μm)激发,首先在多孔硅表面观察到了较强的可见区荧光产生.荧光强度与激发光强度的三次方关系表明,有效的荧光产生起源于三阶非线性光学效应的增强.对多孔度低的样品观察不到这种荧光发射.通过与多孔硅的紫外光(355 nm)激发谱的比较,我们把这种有效的多光子激发过程归结为来源于多孔硅的量子约束效应.

关键词：多孔硅光子激发荧光

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

硅的可见光发射──通向全硅光电子集成之途

引用

物理 1992年第6期12卷 341-343页

作者：王迅侯晓远郝平海复旦大学应用表面物理国家重点实验室上海200433

由于Ｓｉ是一种禁带宽度只有１．１ｅＶ的间接带隙材料，其发光效率极低，因此长期以来Ｓｉ被认为是一种不可能用于制作可见光区光电器件的材料．但近一两年才出现的多孔硅光致发光现象，对人们的这种传统概念产生了巨大的冲击，一股多... 详细信息

由于Ｓｉ是一种禁带宽度只有１．１ｅＶ的间接带隙材料，其发光效率极低，因此长期以来Ｓｉ被认为是一种不可能用于制作可见光区光电器件的材料．但近一两年才出现的多孔硅光致发光现象，对人们的这种传统概念产生了巨大的冲击，一股多孔硅的研究热潮也正在兴起．本文将结合作者在多孔硅方面的工作，对多孔硅光致发光现象的研究背景、现状和潜在的应用作了较详细的介绍．

关键词：硅可见光发射多孔硅

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

半导体激光器的新突破——蓝绿激光二极管

引用

物理 1992年第8期21卷 483-487页

作者：王杰王迅复旦大学应用表面物理国家重点实验室上海200433

本文介绍最近国外在研制半导体可见光激光器方面的一项重大进展，即人们首次用ＺｎＳｅ材料在蓝绿光波段（４９０ｎｍ）实现了激射，这是目前用半导体激光器可以获得的最短的激光波长．由于在ＺｎＳｅ外延膜的生长和激光器的制备过程中... 详细信息

本文介绍最近国外在研制半导体可见光激光器方面的一项重大进展，即人们首次用ＺｎＳｅ材料在蓝绿光波段（４９０ｎｍ）实现了激射，这是目前用半导体激光器可以获得的最短的激光波长．由于在ＺｎＳｅ外延膜的生长和激光器的制备过程中仍存在一些问题，激光器的特性尚不理想，仅在７７Ｋ下脉冲工作，但它终究已经开辟了通向制造实用器件的道路．本文概要介绍了制作这一激光器的困难、解决途径和现状．

关键词：激光器半导体蓝绿光二极管

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

分子束外延中的掺硼工艺

引用

Journal of Semiconductors 1992年第10期13卷 642-645页

作者：杨小平蒋维栋樊永良盛篪俞鸣人李炳宗复旦大学应用表面物理国家重点实验室上海200433 复旦大学电子工程系

我们在硅分子束外延中利用共蒸发B_2O_3的方法在硅中进行硼掺杂,掺杂浓度可控制在4×10^(17)cm^(-3)至4.2×10^(19)cm^(-3)之间,这说明不需要利用离子注入或高温掺杂炉,也可以在硅外延层中实现有效的P型硼掺杂.我们还对掺杂外... 详细信息

我们在硅分子束外延中利用共蒸发B_2O_3的方法在硅中进行硼掺杂,掺杂浓度可控制在4×10^(17)cm^(-3)至4.2×10^(19)cm^(-3)之间,这说明不需要利用离子注入或高温掺杂炉,也可以在硅外延层中实现有效的P型硼掺杂.我们还对掺杂外延层的质量进行了初步分析:外延层剖面均匀、没有明显的偏析现象;当硅源速率在 2A/s时,外延层中氧含量与衬底相同.

关键词：分子束外延掺硼工艺掺杂

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

衬底温度对热壁外延ZnSe薄膜质量的影响

引用

物理学报 1992年第8期41卷 1308-1314页

作者：吕宏强王杰沈军刘咏王迅王昌平王建宝李晨沈孝良复旦大学应用表面物理国家重点实验室上海200433 复旦大学物理系上海200433 复旦大学分析测试中心上海200433

用热壁外延法在不同衬底温度条件下生长一系列ZnSe薄膜,并通过X射线衍射、喇曼散射以及光致发光技术对ZnSe薄膜质量作了研究。实验结果表明,随着衬底温度下降,ZnSe薄膜质量逐渐变差;当衬底温度低于300℃时,(100)ZnSe薄膜中有(111)孪晶出... 详细信息

用热壁外延法在不同衬底温度条件下生长一系列ZnSe薄膜,并通过X射线衍射、喇曼散射以及光致发光技术对ZnSe薄膜质量作了研究。实验结果表明,随着衬底温度下降,ZnSe薄膜质量逐渐变差;当衬底温度低于300℃时,(100)ZnSe薄膜中有(111)孪晶出现;但同时发现衬底温度大于375℃时,衬底Ga原子对ZnSe外延层扩散严重。

关键词：硒化锌薄膜热壁外延法衬底温度

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

NH_3在Cu及其氧化表面物理吸附的光声振动谱研究

引用

物理学报 1992年第7期41卷 1119-1124页

作者：胡长武俞立民徐颖朱昂如王兆永复旦大学应用表面物理国家重点实验室上海200433 香港浸会学院物理系

本工作采用激光光声谱对85K多晶Cu表面上NH_3分子的物理吸附进行了研究。通过监测NH_3分子伞形振动模(ν_2),发现在清洁和预吸附O的Cu表面上,相同物理吸附态NH_3分子振动谱的峰位频率和峰的半高宽度(FWHM)随覆盖度表现出不同的变化规律... 详细信息

本工作采用激光光声谱对85K多晶Cu表面上NH_3分子的物理吸附进行了研究。通过监测NH_3分子伞形振动模(ν_2),发现在清洁和预吸附O的Cu表面上,相同物理吸附态NH_3分子振动谱的峰位频率和峰的半高宽度(FWHM)随覆盖度表现出不同的变化规律,对应着不同的物理吸附机理。实验结果同时表明高分辨率的光声谱在研究弱吸附体系细致结构和细微作用方面的潜力。

关键词：铜表面氨分子物理吸附光声谱

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

建议与咨询留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

时间限定

文献类型

馆藏选择

核心期刊

语言

文献类型

帮助

文字说明：

检索规则说明：

检索范例：

分类表

所选分类

限定检索结果

文献类型

馆藏范围

日期分布

学科分类号

主题

机构

作者

语言

请选择保存的检索档案：

请选择收藏分类：

通借通还

建议与咨询 留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

时间限定

文献类型

馆藏选择

核心期刊

语言

文献类型

帮助

文字说明：

检索规则说明：

检索范例：

分类表

所选分类

限定检索结果

文献类型

馆藏范围

日期分布

学科分类号

主题

机构

作者

语言

请选择保存的检索档案： 新增检索档案 确定 取消

请选择收藏分类： 新增自定义分类 确定 取消

通借通还

建议与咨询留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

请选择保存的检索档案：

请选择收藏分类：