检索结果-内蒙古大学图书馆

科学 1992年第5期 58-58页

作者：侯晓远复旦大学应用表面物理国家重点实验室

多孔硅可见光发射现象是近一两年半导体物理学界的重大发现。1992年初,美国物理学会从1991年凝聚态物理和材料物理的80多项进展中选出七大进展,多孔硅可见光发射就是其中之一。多孔硅发光现象一出现,国际上一些权威刊物纷纷登载多孔硅... 详细信息

多孔硅可见光发射现象是近一两年半导体物理学界的重大发现。1992年初,美国物理学会从1991年凝聚态物理和材料物理的80多项进展中选出七大进展,多孔硅可见光发射就是其中之一。多孔硅发光现象一出现,国际上一些权威刊物纷纷登载多孔硅的介绍文章,如英国《物理世界》先后有两期分别以"打开通向硅基光电子学之门"和"硅基光电子学走到尽头了吗?"为题报道和介绍这方面的进展情况。1991年4月,在美国材料学会的春季会议上,只有两篇有关多孔硅的文章,而在12月初的秋季会议上,多孔硅的研究报道增加到约60篇;今年举行的许多国际会议都有关于多孔硅的研

关键词：多孔硅文章会议硅表面

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激光光声振动谱研究表面吸附

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红外与毫米波学报 1991年第4期10卷 247-251页

作者：胡长武朱昂如复旦大学应用表面物理国家重点实验室上海200433

报道在超真空系统中利用激光光声振动谱研究表面吸附的实验结果。通过振动谱在高背景气压下的可逆物理吸附及位相甄别法研究NH_3分子双层吸附生长机理等实例,展示出激光光声谱是一种较理想的表面吸附研究手段。

关键词：激光光声光谱表面吸附分子振动

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GaAs(100)面硫钝化的HREELS与XPS研究

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Journal of Semiconductors 1991年第12期12卷 737-742页

作者：朱建红候晓远丁训民金晓峰陈平复旦大学应用表面物理国家重点实验室上海200433

用高分辨电子能量损失谱(HREELS)结合XPS研究了硫钝化的GaAs(100)面.HREELS的结果与XPS一致,证明钝化后GaAs(100)面的自然氧化物被完全除去,样品表面形成了一层主要由As-S键构成的钝化层.钝化样品表面的沾污主要是H_2O与碳氢化合物.在... 详细信息

用高分辨电子能量损失谱(HREELS)结合XPS研究了硫钝化的GaAs(100)面.HREELS的结果与XPS一致,证明钝化后GaAs(100)面的自然氧化物被完全除去,样品表面形成了一层主要由As-S键构成的钝化层.钝化样品表面的沾污主要是H_2O与碳氢化合物.在钝化前增加样品在浓HC1中浸泡的处理,能使沾污物在真空退火后被彻底除去.

关键词： GaAs 硫纯化 HREELS XPS 氧化物

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Ge_xSi_(1-x)/Si应变层超晶格的折迭纵声学声子

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Journal of Semiconductors 1991年第7期12卷 448-451页

作者：张树霖金鹰秦国刚盛篪周国良周铁成北京大学物理系北京100871 复旦大学应用表面物理国家重点实验室上海200433

用喇曼光谱研究了Ge_xSi_(1-x)/Si(x=0.5)应变层超晶格的折迭纵声学声子.在Ge_xSi_(1-x)和Si的层厚分别为50和250A的样品中,我们首次观察到了多达9级的折迭纵声学声子模.与理论计算比较,鉴认了不同波矢值的声学声子模.理论与实验结果间... 详细信息

用喇曼光谱研究了Ge_xSi_(1-x)/Si(x=0.5)应变层超晶格的折迭纵声学声子.在Ge_xSi_(1-x)和Si的层厚分别为50和250A的样品中,我们首次观察到了多达9级的折迭纵声学声子模.与理论计算比较,鉴认了不同波矢值的声学声子模.理论与实验结果间符合得相当的好.它表明 Rytov模型对长周期 Ge_xSi_(1-x)/Si 超晶格可以较好地得到应用.

关键词： GeSi/Si 应变层超晶格声学声子

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前驱态吸附动力学的模型研究

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自然科学进展（国家重点实验室通讯） 1991年第4期1卷 365-367页

作者：胡长武俞立明朱昂如复旦大学应用表面物理国家重点实验室上海200433

气相分子在固体表面的吸附行为是多相催化和分子束外延生长等重要技术的基础.研究的手段通常是研究分子的粘附系数S与覆盖度θ的函数关系.对简单的化学吸附S(θ)=S_0(1—θ),而对简单的物理吸附S(θ)=常数.目前具有吸附前驱态的多重吸... 详细信息

气相分子在固体表面的吸附行为是多相催化和分子束外延生长等重要技术的基础.研究的手段通常是研究分子的粘附系数S与覆盖度θ的函数关系.对简单的化学吸附S(θ)=S_0(1—θ),而对简单的物理吸附S(θ)=常数.目前具有吸附前驱态的多重吸附动力学行为日益引起广泛的兴趣,这是一种气相分子先滞留在已吸附分子层上,并通过随机扩散运动到未吸附表面以实现吸附的过程.本文报道用准静态的平衡吸附研究NH_3在Cu表面的物理吸附行为.通过对粘附系数的分析可分别获得直接吸附与前驱态吸附动力学曲线。

关键词：表面物理吸附动力学前驱态

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Ge_xSi_(1-x)/Si(100)应变超晶格高分辨电镜研究

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自然科学进展（国家重点实验室通讯） 1991年第6期1卷 502-506页

作者：余是东李齐王路春魏明冯端俞鸣人周国良褚一鸣南京大学固体微结构物理实验室南京210008 复旦大学应用表面物理国家重点实验室上海200433 中国科学院半导体研究所北京100083

本文用高分辨电镜(HREM)技术研究了在较高温度下生长的Ge_(0.2)Si_(0.8)/Si(100)和Ge_(0.4)Si_(0.6)/Si(100)应变超晶格中截面高分辨象。结果表明,晶格失配造成超晶格中较薄的子层,即合金层中弹性应变,在Ge_(0.2)Si_(0.8)/Si(100)应变... 详细信息

本文用高分辨电镜(HREM)技术研究了在较高温度下生长的Ge_(0.2)Si_(0.8)/Si(100)和Ge_(0.4)Si_(0.6)/Si(100)应变超晶格中截面高分辨象。结果表明,晶格失配造成超晶格中较薄的子层,即合金层中弹性应变,在Ge_(0.2)Si_(0.8)/Si(100)应变超晶格中,合金层弹性应变与四方畸变结果相近,在Ge_(0.4)Si_(0.6)/Si(100)应变超晶格中,合金层弹性应变不均匀,使{111}晶面取向局部偏离无法观察到完整清晰的晶格象.Ge_(0.2)Si_(0.8)/Si(100)应变超晶格计算模拟与观察结果比较发现,超晶格界面附近存在互扩散.

关键词： GexSi1-x/Si HREM 应变超晶体

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Ge_x Si_(1-x)/Si超晶格中纵声学声子的喇曼散射强度研究

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光散射学报 1991年第1期3卷 14-18页

作者：金鹰候永田秦国刚张树霖周国良俞鸣人北京大学人工微结构和介观物理国家重点实验室北京大学物理系北京100871 复旦大学表面物理实验室上海200433

本文用光弹理论,在全面考虑了超晶格中两种材料的声速,质量密度和光弹常数存在差别的基础上,计算了Ge_xSi_(1-x)/Si超晶格中折迭纵声学声子的喇曼散射强度,在高达50cm^(-1)的频率范围内,理论值和实验符合得很好。

关键词：超晶格折迭声学声子喇曼散射

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