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语言

  • 98 篇 中文
检索条件"机构=复旦大学微电子学系专用集成电路与系统国家重点实验室"
98 条 记 录,以下是1-10 订阅
排序:
ZrO_2在Si(100)-2×1表面原子层淀积反应机理的密度泛函理论研究
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化学学报 2006年 第11期64卷 1133-1139页
作者: 任杰 陈玮 卢红亮 徐敏 张卫 复旦大学微电子学系专用集成电路与系统国家重点实验室
用密度泛函方法研究了ZrO2在羟基预处理的Si(100)-2×1表面原子层淀积(ALD)初始反应过程的反应机理,ZrO2的ALD过程包括两个前体反应物ZrCl4和H2O交替的半反应.两个半反应都经历一个相似的吸附中间体反应路径.比较单羟基Si表面反应... 详细信息
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湿法腐蚀硅片并生长氧化锌纳米棒作为太阳能电池减反层研究
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无机材料学报 2013年 第4期28卷 420-424页
作者: 王韬 屈新萍 复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室 微电子学系上海200433
在硅基太阳能电池表面制备减反层可以有效降低硅表面的反射率,提高吸收率,从而提高硅基太阳能电池的光电转换效率。本研究利用四甲基氢氧化铵(Tetramethyl Ammonium Hydroxide TMAH)溶液对(100)单晶硅进行各向异性腐蚀,在表面腐蚀出金... 详细信息
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氢元素对铟镓锌氧化物薄膜晶体管性能的影响
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物理学报 2018年 第9期67卷 22-29页
作者: 邵龑 丁士进 复旦大学微电子学院 专用集成电路与系统国家重点实验室上海200433
对国际上有关铟镓锌氧化物薄膜晶体管中氢元素的来源、存在形式、表征方法以及对器件性能的影响进行了综述.氢元素是铟镓锌氧化物薄膜晶体管中最为常见的杂质元素,能以正离子和负离子两种形式存在于薄膜晶体管的沟道中,并对器件性能和... 详细信息
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超薄氧化铝层的电场调制效应(英文)
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红外与毫米波学报 2018年 第6期37卷 693-698页
作者: 徐大朋 程佩红 陈琳 张卫 复旦大学微电子学院专用集成电路与系统国家重点实验室 上海200433
研究了基于高k介质材料的阻变存储器的写入/擦除(SET/RESET)特性和物理机制.研究发现基于NbAlO材料的阻变存储器SET/RESET电压具有较大波动性,通过结构优化,在Al_2O_3/NbAlO/Al_2O_3纳米薄片堆垛结构器件中获得高度稳定性的可重复的阻... 详细信息
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基于Ni电极和ZrO_2/SiO_2/ZrO_2介质的MIM电容的导电机理研究
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物理学报 2017年 第8期66卷 287-294页
作者: 刘骐萱 王永平 刘文军 丁士进 复旦大学微电子学院专用集成电路与系统国家重点实验室 上海200433
研究了基于Ni电极和原子层淀积的ZrO_2/SiO_2/ZrO_2对称叠层介质金属-绝缘体-金属(MIM)电容的电学性能.当叠层介质的厚度固定在14nm时,随着SiO_2层厚度从0增加到2nm,所得电容密度从13.1 fF/μm^2逐渐减小到9.3fF/μm^2,耗散因子从0.025... 详细信息
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改进的门单元多输入跳变电流源模型
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计算机辅助设计与图形学学报 2012年 第11期24卷 1513-1520页
作者: 钱晨曦 陶俊 曾璇 复旦大学微电子学系专用集成电路与系统国家重点实验室 上海201203
电压信号的非线性问题和多输入跳变现象给时序分析带来了严重挑战.为更好地解决此问题,文中设计电路对门单元输入端和内部节点间的密勒电容进行了验证,从器件结构上分析了其来源,并通过引入该电容改进了已有多输入跳变电流源模型,以获... 详细信息
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深亚微米CMOS运算放大器的综合
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计算机辅助设计与图形学学报 2004年 第12期16卷 1631-1639页
作者: 易婷 洪志良 复旦大学微电子学系专用集成电路与系统国家重点实验室 上海200433
利用一种计算电路直流工作点的技术 ,并采用基于BSIM 3v3MOS模型的MOS管评估器来提高基于公式法进行电路综合的精度 ;同时提出一种综合策略 ,使得综合后得出的运算放大器在工艺波动和工作条件 (如电源电压和温度 )变化时 ,仍能满足性能... 详细信息
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低电压满电源幅度CMOS运算放大器设计
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固体电子学研究与进展 2004年 第3期24卷 373-380页
作者: 徐栋麟 林越 杨柯 程旭 任俊彦 许俊 复旦大学微电子学系专用集成电路与系统国家重点实验室 上海200433
回顾了在标准 CMOS工艺下 ,满幅度运放设计的各个发展阶段 ,结合笔者实际设计和测试的相关电路 ,较为详细地评述了它们的设计方法和各自的优缺点 ,着重阐述了低工作电压设计思想和如何做到输入级跨导的满幅度范围内恒定 ,使读者清楚了... 详细信息
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一种14位、1.4MS/s、多位量化的级联型Σ△调制器
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固体电子学研究与进展 2005年 第1期25卷 65-71页
作者: 方杰 易婷 迮德东 郑宇驰 洪志良 复旦大学微电子学系专用集成电路与系统国家重点实验室 上海200433
在 0 .6μm CMOS工艺条件下设计了一种适合 DECT(Digital Enhanced Cordless Telephone)标准的 1 .4MS/s Nyquist转换速率、1 4位分辨率模数转换器的ΣΔ调制器。该调制器采用了多位量化的级联型 (2 -1 -1 4b)结构 ,通过 Cadence Spectr... 详细信息
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深亚微米CMOS模拟单元电路综合系统
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计算机辅助设计与图形学学报 2005年 第9期17卷 2046-2052页
作者: 易婷 洪志良 复旦大学微电子学系专用集成电路与系统国家重点实验室 上海200433
介绍了一个基于公式的深亚微米CMOS模拟单元电路综合系统.通过较准确地计算电路的直流工作点和MOS管的小信号参数,以及由电路拓扑结构自动生成电路性能公式对已有的基于公式的方法进行了改进;同时考虑了电路的可制造性问题,使得综合出... 详细信息
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