检索结果-内蒙古大学图书馆

计算机辅助设计与图形学学报 2012年第6期24卷 721-727页

作者：李亨陶俊曾璇复旦大学微电子学系专用集成电路与系统国家重点实验室上海201203

为了兼顾模拟集成电路设计优化的求解精度和计算效率,提出一种基于正项式模型修正技术的几何规划优化方法.首先将模拟集成电路的设计目标与约束简化为正项式模型,然后在采用几何规划方法迭代优化的过程中利用晶体管级SPICE仿真不断修正... 详细信息

为了兼顾模拟集成电路设计优化的求解精度和计算效率,提出一种基于正项式模型修正技术的几何规划优化方法.首先将模拟集成电路的设计目标与约束简化为正项式模型,然后在采用几何规划方法迭代优化的过程中利用晶体管级SPICE仿真不断修正这一正项式模型.实例表明,与传统基于公式的优化方法和基于仿真的优化方法相比,该方法能够在尽量保证计算效率和全局最优解的前提下使优化精度满足晶体管级SPICE仿真的要求.

关键词：电路优化几何规划模型修正运算放大器

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基于二维材料及其范德瓦尔斯异质结的光电探测器

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物理化学学报 2019年第10期35卷 1058-1077页

作者：李家意丁一张卫周鹏复旦大学微电子学院专用集成电路和系统国家重点实验室

近些年来,石墨烯、黑磷和过渡金属二硫化物以及其他二维材料受到了越来越多的关注。凭借其独特的结构和优异的电学、光学特性,这些二维材料在光电器件中得到了广泛应用,具有良好的发展潜力。本文概述了二维材料在光电探测器领域的最新... 详细信息

近些年来,石墨烯、黑磷和过渡金属二硫化物以及其他二维材料受到了越来越多的关注。凭借其独特的结构和优异的电学、光学特性,这些二维材料在光电器件中得到了广泛应用,具有良好的发展潜力。本文概述了二维材料在光电探测器领域的最新研究进展,介绍了一些常见的二维材料及其制备方法,阐述了光电探测器件的基本原理和评价参数,以及回顾了二维材料及其异质结构在光电探测器中的应用,最后总结了该领域仍然面临的挑战并对其未来的发展方向进行了展望。

关键词：光电探测二维材料异质结过渡金属二硫化物机械剥离

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一种全差分的高速CMOS运算跨导放大器(OTA)的优化设计

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计算机辅助设计与图形学学报 2004年第12期16卷 1640-1644页

作者：迮德东易婷方杰洪志良复旦大学微电子学系专用集成电路与系统国家重点实验室上海200433

全差分高速CMOS运算跨导放大器由一个折叠级联输入级和一个共源输出增益级构成 ,并采用Cascode补偿技术在对运算跨导放大器的性能做了详细的分析后 ,设计出一个采用单纯形优化算法的优化程序 ,它能够快速地设计出满足指标的运算跨... 详细信息

全差分高速CMOS运算跨导放大器由一个折叠级联输入级和一个共源输出增益级构成 ,并采用Cascode补偿技术在对运算跨导放大器的性能做了详细的分析后 ,设计出一个采用单纯形优化算法的优化程序 ,它能够快速地设计出满足指标的运算跨导放大器

关键词：运算跨导放大器(OTA) 折叠-级联放大器代价函数单纯形算法

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La_(0.5)Sr_(0.5)CoO_3的化学溶液淀积法制备与表征及其应用

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固体电子学研究与进展 2005年第2期25卷 280-284页

作者：钟宇王晓光林殷茵黄维宁汤庭鳌复旦大学微电子学系专用集成电路与系统国家重点实验室上海200433

采用化学溶液淀积法制备了具有纯钙钛矿结构和良好导电性能的La_(0.5)Sr_(0.5)CoO_3(LSCO)薄膜。LSCO的电阻率随着退火温度的升高、退火时间的增长和厚度增加而减小。650°C退火可以得到7mΩ·cm的电阻率。分别在LSCO和Pt衬底... 详细信息

采用化学溶液淀积法制备了具有纯钙钛矿结构和良好导电性能的La_(0.5)Sr_(0.5)CoO_3(LSCO)薄膜。LSCO的电阻率随着退火温度的升高、退火时间的增长和厚度增加而减小。650°C退火可以得到7mΩ·cm的电阻率。分别在LSCO和Pt衬底上制备了Bi_4Ti_3O_(12)(BTO)薄膜,分析结果表明,使用LSCO衬底对BTO的析晶有影响,击穿电压、铁电特性均有较大改善。

关键词：镧锶钴氧钛酸铋化学溶液淀积铁电薄膜

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用于蓝牙接收机基带处理的高精度ΣΔ调制器

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系统工程与电子技术 2005年第11期27卷 1966-1970页

作者：邹睿洪志良复旦大学微电子学系专用集成电路与系统国家重点实验室上海200433

设计了一种适用于蓝牙接收机基带频道选择的高精度ΣΔ调制器。根据功耗、稳定性以及电路实现等方面综合考虑,调制器采用了两级四阶2-2结构,采样时钟为32 MHz,过采样比为32。分析了实际电路的各项非理想因素对ΣΔ调制器性能的影响,采... 详细信息

设计了一种适用于蓝牙接收机基带频道选择的高精度ΣΔ调制器。根据功耗、稳定性以及电路实现等方面综合考虑,调制器采用了两级四阶2-2结构,采样时钟为32 MHz,过采样比为32。分析了实际电路的各项非理想因素对ΣΔ调制器性能的影响,采用栅压自举的采样开关、CMOS两级OTA组成的全差分开关电容电路实现。调制器电路基于0.35μm CMOS工艺实现,电源电压3.3 V、D/A参考电平±0.8 V。在1 MHz的Nyquist转换速率下SNR为86 dB,SNDR达到81 dB。

关键词：蓝牙接收机基带处理 ∑△调制器高精度

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一种CMOS全差分两级OTA建立时间的优化设计

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计算机辅助设计与图形学学报 2005年第9期17卷 2068-2071页

作者：邹睿迮德东洪志良复旦大学微电子学系专用集成电路与系统国家重点实验室上海200433

介绍了一种CMOS全差分两级OTA,第一级为折叠级联放大器,第二级为共源输出增益级,OTA技术采用了级联密勒电容补偿技术和开关电容共模反馈技术.在分析了OTA的零极点分布以及建立特性后,设计出一个MATLAB优化程序,找到最佳的阻尼因子和自... 详细信息

介绍了一种CMOS全差分两级OTA,第一级为折叠级联放大器,第二级为共源输出增益级,OTA技术采用了级联密勒电容补偿技术和开关电容共模反馈技术.在分析了OTA的零极点分布以及建立特性后,设计出一个MATLAB优化程序,找到最佳的阻尼因子和自然频率使OTA建立时间最小,并通过CadenceSpectre仿真表明,该OTA完全满足性能指标要求.

关键词：两级OTA 级联密勒电容补偿零极点建立时间优化程序

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TaN薄膜的等离子体增强原子层沉积及其抗Cu扩散性能

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材料研究学报 2019年第1期33卷 9-14页

作者：王永平丁子君朱宝刘文军丁士进专用集成电路与系统国家重点实验室复旦大学微电子学院上海200433

使用Ta[N(CH3)2]5和NH3等离子体作为反物用等离子体增强原子层沉积工艺生长了TaN薄膜,借助原子力显微镜、X射线光电子能谱、四探针和X射线反射等手段研究了薄膜的性能与工艺条件之间的关系。结果表明,TaN薄膜主要由Ta、N和少量的C、O组... 详细信息

使用Ta[N(CH3)2]5和NH3等离子体作为反物用等离子体增强原子层沉积工艺生长了TaN薄膜,借助原子力显微镜、X射线光电子能谱、四探针和X射线反射等手段研究了薄膜的性能与工艺条件之间的关系。结果表明,TaN薄膜主要由Ta、N和少量的C、O组成。当衬底温度由250℃提高到325℃时Ta与N的原子比由46:41升高到55:35,C的原子分数由6%降低到2%。同时,薄膜的密度由10.9 g/cm3提高到11.6 g/cm3,电阻率由0.18Ω?cm降低到0.044Ω?cm。与未退火的薄膜相比,在400℃退火30 min后TaN薄膜的密度平均提高了～0.28 g/cm3,电阻率降低到0.12～0.029Ω?cm。在250℃生长的3 nm超薄TaN阻挡层在500℃退火30 min后仍保持良好的抗Cu扩散性能。

关键词：材料表面与界面原子层沉积扩散阻挡层退火 TaN薄膜

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面向微电子应用的二维过渡金属硫族化合物制备进展

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科学通报 2017年第36期62卷 4237-4255页

作者：许浒廖付友郭仲勋郭晓娇周鹏包文中张卫复旦大学微电子学院专用集成电路和系统国家重点实验室上海200433

二维原子晶体材料所独有的结构特性带来了诸多优异的性质.与石墨烯相比,二维过渡金属硫族化合物(TMDs)拥有不同大小且可调控的带隙,在微电子和光电器件领域有着广阔的应用前景.本文对二维TMDs材料"自上而下"和"自下而上&... 详细信息

二维原子晶体材料所独有的结构特性带来了诸多优异的性质.与石墨烯相比,二维过渡金属硫族化合物(TMDs)拥有不同大小且可调控的带隙,在微电子和光电器件领域有着广阔的应用前景.本文对二维TMDs材料"自上而下"和"自下而上"的制备方法进行了总结,对比了机械剥离、液相剥离和化学气相沉积等常见制备技术,并归纳了各自的优缺点.同时基于未来晶圆级二维TMDs器件,重点介绍了化学气相沉积法及其面向应用需要解决的问题.最后总结了二维TMDs材料在微电子器件应用中的研究进展.

关键词：二维层状材料/二维原子晶体过渡金属硫族化合物二硫化钼化学气相沉积

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基于二维矿物材料的RRAM器件实现非马尔可夫链功能

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科学通报 2022年第1期67卷 6-7页

作者：周鹏复旦大学微电子学院专用集成电路与系统国家重点实验室上海200433

在大数据时代,各类数据的分析与预测日益重要.结合数据历史状态以实现预测,即数据的非马尔可夫过程(the non-Markov chain),更能凸显出大数据分析的优越性.从算法上说,非马尔可夫链的下一状态不仅与当前状态相关,还与上一状态转换到当... 详细信息

在大数据时代,各类数据的分析与预测日益重要.结合数据历史状态以实现预测,即数据的非马尔可夫过程(the non-Markov chain),更能凸显出大数据分析的优越性.从算法上说,非马尔可夫链的下一状态不仅与当前状态相关,还与上一状态转换到当前状态的路径相关.相对于马尔可夫链,非马尔可夫链更接近现实的物理世界,具有更高的预测准确度.此外,很多物理模型都遵守这一过程,如与时间相关的脑神经突触、环境相关的量子纠缠态和热力学过程等.

关键词：马尔可夫链大数据分析热力学过程矿物材料状态转换量子纠缠态大数据时代物理模型

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热退火对等离子体增强化学气相沉积SiCOH薄膜结构与性能的影响

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物理学报 2015年第10期64卷 263-269页

作者：谭再上吴小蒙范仲勇丁士进复旦大学材料科学系上海200433 复旦大学微电子学院专用集成电路与系统国家重点实验室上海200433

热退火是多孔低介电常数薄膜制备过程中的重要一环,对薄膜结构及性能具有重要影响.本文以四乙氧基硅烷和双戊烯为前驱体,采用等离子体增强化学气相沉积方法制备了SiCOH薄膜,对其进行了氮气氛围下的热退火处理,分析了热退火对薄膜结构与... 详细信息

热退火是多孔低介电常数薄膜制备过程中的重要一环,对薄膜结构及性能具有重要影响.本文以四乙氧基硅烷和双戊烯为前驱体,采用等离子体增强化学气相沉积方法制备了SiCOH薄膜,对其进行了氮气氛围下的热退火处理,分析了热退火对薄膜结构与性能的影响,探究了退火过程中薄膜结构变化的可能的反应机理.傅里叶变换红外光谱和固体核磁共振谱结果表明,沉积薄膜是一种有机无机杂化薄膜.退火过程中,薄膜中的—CH2,—CH3等有机组分被分解除去,形成了以稳定的Si—O—Si等无机组分为骨架的多孔结构,并通过氮气吸附/脱附等温线测试得到了验证.在此期间,薄膜骨架微结构亦发生一系列调整,C=C,Si—C含量增加,Si、O、C等元素间发生进一步键合.C=C含量的提高,使得薄膜的消光系数和漏电流密度增大.实验证明,退火后薄膜具有低折射率、低介电常数特性,是一类具有优异的介电性能和力学性能的材料,作为芯片后端互连层间介质具有极大的应用潜力.

关键词：热退火 SiCOH薄膜等离子体增强化学气相沉积结构与性能

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