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语言

  • 98 篇 中文
检索条件"机构=复旦大学微电子学系专用集成电路与系统国家重点实验室"
98 条 记 录,以下是71-80 订阅
排序:
一种特殊数字滤波器的优化结构
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微电子学 2018年 第4期48卷 429-432页
作者: 张幸幸 陆继承 李夏禹 俞军 复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室 上海200433 复旦大学微电子学院 上海200433 上海复旦微电子集团股份有限公司 上海200433
提出一种特殊数字滤波器的结构优化方案,可以简化滤波器结构、节省电路面积。将该方案应用于解调ISO/IEC 14443协议规定的PICC到PCD的副载波调制信号。在此基础上,改变子滤波器的位置,将长延迟链前移,减少了长延时链的数据位宽。综合结... 详细信息
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两路信号控制的液滴单向运输数字微流控芯片
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传感器与微系统 2019年 第8期38卷 65-68页
作者: 盛文洁 王续博 周嘉 复旦大学微电子学院专用集成电路与系统国家重点实验室
介质上的电润湿(EWOD)数字微流控芯片的设计中,随着电极数量的增加,需要更多的控制信号,引出导线的设计复杂程度将会显著增加。根据接触线理论,提出一种运输方向上非对称的电极设计,使液滴两侧的电极同时加电压时,施加在液滴两侧的电润... 详细信息
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SF_6/O_2气氛下Al对反应离子刻蚀Si的增强作用机理研究
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微细加工技术 2007年 第1期 56-59页
作者: 程正喜 郭育林 周嘉 复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室微电子学系 上海200433
通过实验和统计分析方法研究了Al在SF6/O2气体干法刻蚀Si中的增强作用机理。研究表明,Al在SF6/O2刻蚀Si中具有增强作用,而且Al的增强作用基本独立,受其它刻蚀条件的影响较小。Al对Si刻蚀速率的增强作用并非都是由于衬底温度升高所致,而... 详细信息
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基于45nm技术的ULSI互连结构的温度模拟
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微电子学 2007年 第4期37卷 474-477,481页
作者: 王锡明 周嘉 阮刚 LEE H-D 合肥学院机械系 合肥230022 复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室微电子学系 上海201203 城南国立大学电子工程系
应用自行建立的准二维简化模型,计算了三种基于45 nm节点技术的ULSI九层低介电常数介质互连结构的温度升高。与ANSYS的分析对比表明,简化模型误差为7.7%。三种互连结构中,结构III设计具有最佳的散热能力,不仅工作时绝对温升小,而且随衬... 详细信息
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基于Walsh谱变换的S盒算法
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计算机工程 2014年 第7期40卷 18-22页
作者: 孙慧盈 陆继承 魏长征 俞军 复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室 上海200433 复旦大学微电子学院 上海200433 上海复旦微电子集团股份有限公司 上海200433
针对一阶差分功耗分析(DPA)攻击问题,借鉴现有的频谱变换S盒防护方法,利用Walsh谱变换的单比特输出特性,并运用Walsh谱变换与构造相应掩码变量,提出一种基于Walsh谱变换的安全S盒算法。阐述算法的具体实现过程,分析所有敏感数据的掩码... 详细信息
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一种新的高级加密标准模板攻击方法
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计算机工程 2013年 第8期39卷 166-168页
作者: 胡永波 郑业扬 俞军 复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室 上海201203 复旦大学微电子学院 上海201203 上海复旦微电子集团股份有限公司 上海200433
针对高级加密标准(AES)算法存在对模板攻击效率较低的问题,提出一种新的模板攻击方法,包括攻击算法以及优化的攻击过程,建立每个非线性表的汉明权重模板和128次模板匹配,以此获取AES算法的全部密钥,优化的攻击过程包括对信号的有效预处... 详细信息
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片上集成三电极体系微电极阵列的表征
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微纳电子技术 2007年 第7期44卷 329-331页
作者: 吕尊实 周嘉 陈华 黄宜平 鲍敏杭 复旦大学专用集成电路及系统国家重点实验室微电子学系 上海200433
设计制作了片上集成三电极体系微电极阵列。工作电极分为圆形和方形两种,电极特征尺寸为100-900μm,工作电极与对电极间距为50-200μm。利用循环伏安法,在氧化还原电位探针二茂铁甲醇的作用下,对各三电极微系统进行了电极性能表征... 详细信息
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集成电路芯片上光互连研究的新进展
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Journal of Semiconductors 2001年 第4期22卷 387-397页
作者: 阮刚 肖夏 R.Streiter 陈智涛 T.Otto T.Gessner 复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室 Chemnitz技术大学微技术中心 清华大学微电子学研究所 Fraunhofer可靠性与微集成研究所微器件和设备研究室
讨论了集成电路向高集成度、高工作频率和高传输速率继续发展时 ,常规金属互连出现的困难以及集成电路芯片上光互连具有的潜在优势 .介绍了组成芯片上光互连的光发射器件、光接收器件和光传输器件等三种基本器件及其与硅集成电路集成的... 详细信息
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模拟集成电路的仿真与优化方法概述
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微纳电子与智能制造 2021年 第2期3卷 80-85页
作者: 杨帆 复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室 上海201203 复旦大学微电子学院 上海201203
与数字集成电路不同,模拟集成电路的设计主要依靠电路仿真和人工经验来完成设计。模拟集成电路的仿真对于传统设计方法至关重要。随着机器学习和人工智能技术的发展,基于机器学习和人工智能的智能优化和自动化版图设计也逐渐发展起来。... 详细信息
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基于不同扩散阻挡层的籽晶铜上电镀孪晶铜初步研究
基于不同扩散阻挡层的籽晶铜上电镀孪晶铜初步研究
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2007年上海市电子电镀学术年会
作者: 赵莹 谢琦 屈新萍 复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室复旦大学微电子学系
本文采用电镀方法制备具有一定孪晶密度的纯铜样品,并对不同的电镀参数和不同电镀衬底的实验结果进行了初步比较。发现不同的衬底结构对孪晶的产生和密度有很大影响。同时发现 W 基扩散阻挡层的电镀铜有很强的(111)择优晶向。
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