对模数转换器中的传统开关电路的导通电阻进行了详细的理论分析,提出了一种互补型栅压自举开关电路。该电路结构相比于传统开关,通过少量的功耗代价换取了更优的频域性能,在不同工艺角下具有更好的鲁棒性,适用于先进工艺下的低电压工作环境。互补型栅压自举开关电路采用28 nm工艺设计,在1 V的电源电压下,对800 f F的负载电容进行速率为800 MS/s的采样,在低频输入下(181.25 MHz)实现的无杂散动态范围(SFDR)为89 d B,四倍奈奎斯特输入频率下(1 556 MHz)实现的SFDR为65 d B,开关电路面积为80μm×20μm。
获得更低电阻率和更高透过率的透明导电膜(TCO)一直是该领域科研人员努力和追求的目标,利用热蒸发和磁控溅射方法制备TCO薄膜的研究己经有很多,本文尝试利用原子层沉积(ALD)这种优良的镀膜方法,希望制备出高性能的ZnO/Cu/ZnO三明治结构的TCO薄膜。利用光学光谱仪和四探针测量仪测试薄膜的光学和电学特性,并利用X射线衍射和透射电子显微镜观察和表征薄膜的细微结构。实验结果显示铜层的厚度对多层膜的光电特性有很大的影响,当铜层厚度增加时,薄膜的电阻率会不断降低,但是透过率也会随之降低。通过分析发现当铜层厚度为14 nm时,电阻率可以低至～3 x 10-4n_cm,同时在可见光区域的平均透过率也能够达到65％。对于ALD初步实现TCO薄膜的制备,就能够达到如此良好的光电特性,说明ALD技术具有制备优异透明导电膜的巨大应用潜力。通过进一步研究和ALD工艺参数的优化,相信利用ALD能够制备出更低电阻率和更高透过率的TCO薄膜。
研究了单平面透明介质上的电润湿(Electrowetting on Dielectrics,EWOD)数字微流体器件在化学发光检测器中的两个可靠性问题.一是通过对介质层的研究,使用PVD制备300nm Ta_2O_5介质层使驱动电压降低至20.7V,在驱动电压26.9V下速度达到40...
详细信息
研究了单平面透明介质上的电润湿(Electrowetting on Dielectrics,EWOD)数字微流体器件在化学发光检测器中的两个可靠性问题.一是通过对介质层的研究,使用PVD制备300nm Ta_2O_5介质层使驱动电压降低至20.7V,在驱动电压26.9V下速度达到40mm/s;二是通过设置片上加热器解决了Teflon的失效问题,使用1W功率加热5min实现片上疏水角恢复至120°.集成嵌入式加热器的EWOD器件用于葡萄糖检测时,最高灵敏度达到0.12V/(μmol·L^(-1)),检测范围1~20 000μmol/L,最低检测限为1μmol/L.
暂无评论