检索结果-内蒙古大学图书馆

半导体光电 2012年第3期33卷 307-313,360页

作者：谢章熠谢立恒耿阳孙清清周鹏卢红亮张卫复旦大学微电子学系ASIC与系统国家重点实验室上海200433

原子层淀积(ALD)是一种先进的纳米级薄膜生长技术,在微电子和光电子领域有着广泛的应用前景,尤其在提高太阳电池的光电转换效率方面正发挥越来越大的作用,很可能成为下一代太阳电池工艺中的重要方法。文章综述了近年来ALD技术在太阳电... 详细信息

原子层淀积(ALD)是一种先进的纳米级薄膜生长技术,在微电子和光电子领域有着广泛的应用前景,尤其在提高太阳电池的光电转换效率方面正发挥越来越大的作用,很可能成为下一代太阳电池工艺中的重要方法。文章综述了近年来ALD技术在太阳电池领域的应用研究进展,详细介绍了ALD技术应用在不同类型太阳电池的最新研究成果和存在的问题,并对其发展趋势进行了展望。

关键词：太阳电池原子层淀积薄膜生长

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高灵敏度谐振式红外光声气体传感器研究

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传感器与微系统 2012年第10期31卷 57-60页

作者：方兴李嘉纪新明包宗明黄宜平复旦大学专用集成电路及系统国家重点实验室微电子学系上海200433

研究了高灵敏度谐振式红外光声气体传感系统,对系统的谐振频谱进行了测试分析,观察到了新的谐振模式。经过对比,发现选用新的谐振模式具有更高的测试灵敏度和信噪比,新的谐振模式源于两边的缓冲腔体内的谐振。研究了麦克风输出腔体结构... 详细信息

研究了高灵敏度谐振式红外光声气体传感系统,对系统的谐振频谱进行了测试分析,观察到了新的谐振模式。经过对比,发现选用新的谐振模式具有更高的测试灵敏度和信噪比,新的谐振模式源于两边的缓冲腔体内的谐振。研究了麦克风输出腔体结构对信号的影响,发现增加输出腔内麦克风到谐振腔的距离可显著增加光声信号。另外,在激光岀射端口放置反射金属膜也有利于提高光声信号,从而提高系统检测极限。

关键词：光声传感器谐振式频率灵敏度信噪比

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压电能量收集器件基于有限元仿真比较和研究

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微纳电子技术 2012年第4期49卷 248-253页

作者：朱伦朱志炜张卫吴东平复旦大学微电子学系专用集成电路与系统国家重点实验室上海200433

利用压电材料制作的器件采集环境中的振动能量,并转化为电能的微尺度器件正日益受到广泛关注。通过有限元仿真分析,研究了新颖的垂直式纳米线阵列结构(VING)和常见的压电悬臂梁结构的能量收集性能。在更贴近实际情况的低频条件下计算了7... 详细信息

利用压电材料制作的器件采集环境中的振动能量,并转化为电能的微尺度器件正日益受到广泛关注。通过有限元仿真分析,研究了新颖的垂直式纳米线阵列结构(VING)和常见的压电悬臂梁结构的能量收集性能。在更贴近实际情况的低频条件下计算了75 000根纳米线阵列结构和压电悬臂梁结构的输出电压以及单位体积能量输出功率,并指出了其各自的特点。最后得出结论:VING更适于在振动强度较大的环境中工作,而悬臂梁结构则更适于在接近其谐振频率的环境中工作。

关键词：能量收集压电效应有限元分析垂直式纳米线阵列(VING) 悬臂梁谐振频率

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22nm技术节点异质栅MOSFET的特性研究

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半导体技术 2012年第3期37卷 184-187页

作者：杨颖琳胡成朱伦许鹏朱志炜张卫吴东平复旦大学微电子学系专用集成电路与系统国家重点实验室上海200433

研究了22 nm栅长的异质栅MOSFET的特性,利用工艺与器件仿真软件Silvaco,模拟了异质栅MOSFET的阈值电压、亚阈值特性、沟道表面电场及表面势等特性,并与传统的同质栅MOSFET进行比较。分析结果表明,由于异质栅MOSFET的栅极由两种不同功函... 详细信息

研究了22 nm栅长的异质栅MOSFET的特性,利用工艺与器件仿真软件Silvaco,模拟了异质栅MOSFET的阈值电压、亚阈值特性、沟道表面电场及表面势等特性,并与传统的同质栅MOSFET进行比较。分析结果表明,由于异质栅MOSFET的栅极由两种不同功函数的材料组成,因而在两种材料界面附近的表面沟道中增加了一个电场峰值,相应地漏端电场比同质栅MOSFET有所降低,所以在提高沟道载流子输运效率的同时也降低了小尺寸器件的热载流子效应。此外,由于该器件靠近源极的区域对于漏压的变化具有屏蔽作用,从而有效抑制了小尺寸器件的沟道长度调制效应,但是由于其亚阈值特性与同质栅MOSFET相比较差,导致漏致势垒降低效应(DIBL)没有明显改善。

关键词：异质栅金属氧化物半导体场效应晶体管热载流子效应表面电场表面势漏致势垒降低效应

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一种新型高速嵌入式动态随机存储器

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微电子学 2012年第1期42卷 50-53页

作者：臧松干王鹏飞林曦刘昕彦丁士进张卫复旦大学专用集成电路和系统国家重点实验室复旦大学微电子学系上海200433

基于二维器件模拟工具,研究了一种采用栅控二极管作为写操作单元的新型平面无电容动态随机存储器。该器件由一个n型浮栅MOSFET和一个栅控二极管组成。MOSFET的p型掺杂多晶硅浮栅作为栅控二极管的p型掺杂区,同时也是电荷存储单元。写&quo... 详细信息

基于二维器件模拟工具,研究了一种采用栅控二极管作为写操作单元的新型平面无电容动态随机存储器。该器件由一个n型浮栅MOSFET和一个栅控二极管组成。MOSFET的p型掺杂多晶硅浮栅作为栅控二极管的p型掺杂区,同时也是电荷存储单元。写"0"操作通过正向偏置二极管实现,而写"1"操作通过反向偏置二极管,同时在控制栅上加负电压使栅控二极管工作为隧穿场效应晶体管(Tunneling FET)来实现。由于正向偏置二极管和隧穿晶体管开启时接近1μA/μm的电流密度,实现了高速写操作过程,而且该器件的制造工艺与闪烁存储器和逻辑器件的制造兼容,因此适合在片上系统(SOC)中作为嵌入式动态随机存储器使用。

关键词：嵌入式动态随机存储器栅控二极管隧穿场效应晶体管

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基于Silicate-1型分子筛修饰的QCM类神经毒气传感器

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传感技术学报 2011年第3期24卷 317-320页

作者：彭晶姚伟纪新明胡元元刘全包宗明黄宜平复旦大学专用集成电路及系统国家重点实验室微电子学系上海200433 复旦大学化学系上海200433

主要研究Silicate-1型纳米分子筛对类神经毒气有机气体甲基磷酸二甲酯(DMMP)的敏感特性,并结合高灵敏度的石英谐振天平(QCM)研制了DMMP气体传感器。采用Silicate-1型纳米分子筛作为敏感膜材料分别对不同浓度的DMMP气体进行检测。QCM传... 详细信息

主要研究Silicate-1型纳米分子筛对类神经毒气有机气体甲基磷酸二甲酯(DMMP)的敏感特性,并结合高灵敏度的石英谐振天平(QCM)研制了DMMP气体传感器。采用Silicate-1型纳米分子筛作为敏感膜材料分别对不同浓度的DMMP气体进行检测。QCM传感器随着气体浓度的增加,响应时间增加,气体吸附量增加;当DMMP浓度为50×10-6时,QCM响应频率为50 Hz。分别采用水汽,300×10-6 CO2和500×10-6 NH3作为干扰气体对该敏感膜材料选择性进行了研究,QCM的响应频率分别为178 Hz,28 Hz和15 Hz。采用交变电场作用下N2吹洗脱附,在60 s以内就可以达到85%以上的脱附率。

关键词：气敏传感器 Silicate-1分子筛 QCM DMMP

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高灵敏度小型化红外光声气体传感系统

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传感器与微系统 2011年第2期30卷 84-87页

作者：李俊纪新明周嘉包宗明黄宜平复旦大学专用集成电路及系统国家重点实验室微电子学系上海200433

研制了一种高灵敏度小型化红外光声气体传感系统。该系统检测灵敏度高,对乙烯气体体积分数的检测限达到20×10-9以下。对光声信号和检测相位之间的关系进行了详细的研究,分析了光声信号中峰值相位变化的因素。结果表明:在固定相位... 详细信息

研制了一种高灵敏度小型化红外光声气体传感系统。该系统检测灵敏度高,对乙烯气体体积分数的检测限达到20×10-9以下。对光声信号和检测相位之间的关系进行了详细的研究,分析了光声信号中峰值相位变化的因素。结果表明:在固定相位延迟下利用锁相放大器检测光声信号可以获得比较高的灵敏度。同时根据对光声信号和相位延迟关系的研究,提出了小型化光声腔设计思路。

关键词：光声传感器小型化谐振式相位

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家用微波人物传感器的应用研究及芯片模块设计

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复旦学报（自然科学版） 2011年第4期50卷 430-434,442页

作者：黄雄川纪新明黄宜平复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室微电子学系上海200433

对人或物体的存在和位置的探测是未来家居控制系统的必要环节.通过感知居民在室内的活动,家庭控制系统可以自动调节照明,空调,以及其他电器的运行状态,使家庭环境变得更人性化,并减少能源的浪费.选择多普勒雷达系统为出发点,探索了将人... 详细信息

对人或物体的存在和位置的探测是未来家居控制系统的必要环节.通过感知居民在室内的活动,家庭控制系统可以自动调节照明,空调,以及其他电器的运行状态,使家庭环境变得更人性化,并减少能源的浪费.选择多普勒雷达系统为出发点,探索了将人物探测功能集成在超大规模集成电路芯片上的可能性;并设计了基于BiCMOS工艺的60 GHz雷达接收机前端电路芯片,证明了微型低成本室内雷达传感器的可行性.与现有的超声波以及红外传感器相比,室内雷达传感器具有准确度高,传感器体积小,以及适合与传感器信号处理以及通信电路集成在同一块芯片上等优点,是今后室内任务探测器的发展方向之一.

关键词：微波传感器雷达室内人物探测无线电接收机

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基板弯曲对P(VDF-TrFE)铁电薄膜电学性能的影响

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功能材料与器件学报 2011年第6期17卷 591-595页

作者：顾寅朱国栋蒋玉龙曾韡复旦大学材料科学系复旦大学微电子学院专用集成电路与系统国家重点实验室上海200433

近年来基于铁电聚合物的柔性存储器件的研制受到了越来越多的关注。铁电聚合物柔性应用的关键因素之一,在于基板弯对其电学性产生多大程度的影响,但迄今这方面的研究较少。本文研究了柔性基板弯曲对铁电聚合物薄膜电学性能的影响,通过... 详细信息

近年来基于铁电聚合物的柔性存储器件的研制受到了越来越多的关注。铁电聚合物柔性应用的关键因素之一,在于基板弯对其电学性产生多大程度的影响,但迄今这方面的研究较少。本文研究了柔性基板弯曲对铁电聚合物薄膜电学性能的影响,通过对铁电电容结构的表征,确定了基板弯曲对铁电膜矫顽场、剩余极化、电学保持能力、电学疲劳特性和漏电流特性的影响。研究表明,在本文实验条件下基板不会对铁电聚合物的电学性能产生影响。

关键词：铁电薄膜 P(VDF—TrFE) 柔性器件容变存储

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纳米结构加工方法研究进展及其应用

纳米结构加工方法研究进展及其应用

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2011上海半导体材料学术年会

作者：陆冰睿复旦大学微电子学系ASIC与系统国家重点实验室

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