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作者

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语言

  • 95 篇 中文
检索条件"机构=复旦大学微电子学系ASIC及系统国家重点实验室"
95 条 记 录,以下是31-40 订阅
排序:
等离子体MEMS红外光源研究进展
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激光与光电子学进展 2009年 第12期46卷 38-45页
作者: 肖功利 姚翔 纪新明 周嘉 包宗明 黄宜平 复旦大学微电子学系ASIC与系统国家重点实验室 上海200433 桂林电子科技大学信息与通信学院 广西桂林541004
利用金属/电介质光子晶体(MDPC)对黑体热辐射光谱有增强透射和滤波的剪裁特性,制成能够发射出高性能、可调谐窄带相干光的等离子体微机电系统(MEMS)红外光源。其工作波长可选择性、工艺简单、成本低和MEMS化等优点使其在生物、医学和军... 详细信息
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CMOS器件中电荷泵过程的图解表示
CMOS器件中电荷泵过程的图解表示
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第十六届全国半导体集成电路硅材料学术会议
作者: 黄新运 沈忱 黄大鸣 李名复 复旦大学微电子学系 复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室上海 201203
在本工作中,我们定义了的快速和慢速两种陷阱,并用图解的方式直观地解释了电荷泵测量中出现的诸如脉冲上升下降时间相关现象,频率相关现象,快速与慢速成分与测量电压的关系以几何效应对电荷泵测量结果的影响。结果表明,由于电子... 详细信息
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原子层淀积Nb2O5薄膜的光学特性表征
原子层淀积Nb2O5薄膜的光学特性表征
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第十六届全国半导体集成电路硅材料学术会议
作者: 徐岩 刘晗 陈琳 孙清清 丁士进 张卫 复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室 复旦大学微电子学系上海200433
本文采用原子层淀积(ALD)的方法,以Nb(OEt)5和H2O为反应源,在Si(100)衬底上生长了4.2 nm的超薄Nb2O5薄膜。研究了不同温度下N2气氛中快速热退火对介质薄膜的厚度、折射率和禁带宽度的影响。结果表明,Nb2O5薄膜的折射率随退火温度的... 详细信息
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原子层淀积铪铝氧高K栅介质特性研究
原子层淀积铪铝氧高K栅介质特性研究
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第十六届全国半导体集成电路硅材料学术会议
作者: 陈琳 孙清清 刘晗 徐岩 王鹏飞 张卫 复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室 复旦大学微电子学系上海200433
本文利用先进的原子层淀积技术在Si(100)衬底上制备了HfAlO3.5高k栅介质薄膜。在等效电学厚度4.1 nm 的情况下,样品呈现优良的C-V 特性曲线,以较小的电压滞回窗口(小于10 mV)。在100 kHz下测定了Al/HfAlO3.5/Si(100) MOS 结构电... 详细信息
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基于表面等离子体效应的MEMS红外辐射源特性研究
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传感技术学报 2008年 第8期21卷 1352-1356页
作者: 王国勋 纪新明 周嘉 包宗明 鲍敏杭 黄宜平 复旦大学专用集成电路及系统国家重点实验室微电子学系 上海200433
研究了一种新型的基于二维光子晶体结构的表面等离子体共振SPR(Surface plasmon resonance)效应的红外辐射源,该辐射源基本结构为Si-SiO2(650nm)-Cr(100nm)-Au(800nm),并在Au表面刻蚀5μm的周期性排列的圆孔。设计加工了几种不同的结构... 详细信息
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基于13X型沸石分子筛的类神经毒气传感器
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传感器与微系统 2008年 第2期27卷 86-88,92页
作者: 杨涓涓 任楠 周嘉 刘全 黄宜平 唐颐 复旦大学微电子学系专用集成电路及系统国家重点实验室 上海200433 复旦大学化学系 上海200433
研制了基于13X型分子筛阻抗型气体传感器,探测了神经类毒气沙林的相似物甲基磷酸二甲脂(DMMP)。通过交流电压对传感器进行激励,得到其交流阻抗谱的变化,从而实现对不同体积分数DMMP的检测。对0.2×10-6,0.4×10-6和1×10-6D... 详细信息
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利用喷墨打印技术制备的类神经气体传感器
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传感技术学报 2008年 第3期21卷 385-387页
作者: 杨涓涓 王聪 王金意 周嘉 蔡文斌 黄宜平 复旦大学专用集成电路及系统国家重点实验室 微电子学系上海200433 复旦大学化学系 上海市分子催化和功能材料重点实验室上海200433
利用喷墨打印技术沉积生物高分子溶液的方法,打印出金的梳状微电极的阵列图形,并采用NaX型沸石分子筛作为敏感膜,研制了探测神经类毒气沙林的相似物DMMP气体的阻抗型传感器。电极图形使用简单的绘图软件autoCAD画出,通过简单改进过的办... 详细信息
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三维神经微电极阵列新制作技术研究
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传感技术学报 2008年 第4期21卷 553-555页
作者: 吕尊实 周嘉 黄宜平 是慧芳 复旦大学微电子学系专用集成电路及系统国家重点实验室 上海200433 中国科学院上海技术物理研究所 上海200083
尝试了一种低成本的三维微电极阵列微加工的新方法。玻璃划片形成的柱状阵列,经掩膜腐蚀后形成阳模板,再利用PDMS的微复制技术形成阴模板。利用阴模板进行电镀,可以得到三维微电极阵列。制作的铜电极阵列高度约180μm,为制作更长的神经... 详细信息
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氢离子注入GaAs晶片表面剥离机理
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功能材料与器件学报 2007年 第1期13卷 59-62,67页
作者: 郭育林 倪敏璐 周嘉 竺士炀 黄宜平 复旦大学专用集成电路及系统国家重点实验室微电子学系 上海200433
为了更深入的了解GaAs经氢离子注入后的剥离特性,实验研究了GaAs晶片经6×1016/cm2剂量氢离子以不同能量注入,再经过不同温度和不同时间的退火过程后,晶片表面的剥离情况。研究表明:注入能量小的晶片较容易表面剥离,当注入能量大到... 详细信息
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A Three-Stage Operational Amplifier for a Wide Range of Capacitive Loads
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Journal of Semiconductors 2007年 第11期28卷 1685-1689页
作者: 胡晶晶 Huijsing J H 任俊彦 上海复旦大学微电子学系专用集成电路与系统国家重点实验室 上海201203 荷兰代尔夫特理工大学电子仪器实验室
This paper presents a three-stage CMOS operational amplifier (opamp) that combines accuracy with stability for a wide range of capacitive loads. A so-called quenching capacitor is added to a multipath nested Miller ... 详细信息
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