检索结果-内蒙古大学图书馆

第十六届全国半导体集成电路硅材料学术会议

作者：黄新运沈忱黄大鸣李名复复旦大学微电子学系复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室上海 201203

在本工作中，我们定义了的快速和慢速两种陷阱，并用图解的方式直观地解释了电荷泵测量中出现的诸如脉冲上升下降时间相关现象，频率相关现象，快速与慢速成分与测量电压的关系以及几何效应对电荷泵测量结果的影响。结果表明，由于电子... 详细信息

在本工作中，我们定义了的快速和慢速两种陷阱，并用图解的方式直观地解释了电荷泵测量中出现的诸如脉冲上升下降时间相关现象，频率相关现象，快速与慢速成分与测量电压的关系以及几何效应对电荷泵测量结果的影响。结果表明，由于电子和空穴的俘获截面不对称，并且测量到的电荷泵电流是由捕获截面较小的电子或者空穴陷阱决定，所以慢速陷阱的电荷泵测量中含有动态过程和稳态过程。

关键词：电荷泵浦界面态偏压温度不稳定性氧化层电荷几何效应空穴陷阱

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原子层淀积Nb2O5薄膜的光学特性表征

原子层淀积Nb2O5薄膜的光学特性表征

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第十六届全国半导体集成电路硅材料学术会议

作者：徐岩刘晗陈琳孙清清丁士进张卫复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室复旦大学微电子学系上海200433

本文采用原子层淀积(ALD)的方法，以Nb(OEt)5和H2O为反应源，在Si(100)衬底上生长了4.2 nm的超薄Nb2O5薄膜。研究了不同温度下N2气氛中快速热退火对介质薄膜的厚度、折射率和禁带宽度的影响。结果表明，Nb2O5薄膜的折射率随退火温度的... 详细信息

本文采用原子层淀积(ALD)的方法，以Nb(OEt)5和H2O为反应源，在Si(100)衬底上生长了4.2 nm的超薄Nb2O5薄膜。研究了不同温度下N2气氛中快速热退火对介质薄膜的厚度、折射率和禁带宽度的影响。结果表明，Nb2O5薄膜的折射率随退火温度的升高而减小;薄膜禁带宽度随退火温度的增大而增大。没有退火的样品的禁带宽度为3.41 eV，当退火温度上升至800 °C时，其禁带宽度增大至3.81 eV。在800 °C退火后导致界面层的形成，其厚度达1.6 nm。这是由于在高温退火过程中，衬底的Si原子与Nb2O5介质发生反应，在界面处形成了Nb-Si-O组分。

关键词：原子层淀积光学特性禁带宽度介质薄膜

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原子层淀积铪铝氧高K栅介质特性研究

原子层淀积铪铝氧高K栅介质特性研究

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第十六届全国半导体集成电路硅材料学术会议

作者：陈琳孙清清刘晗徐岩王鹏飞张卫复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室复旦大学微电子学系上海200433

本文利用先进的原子层淀积技术在Si（100）衬底上制备了HfAlO3.5高k栅介质薄膜。在等效电学厚度4.1 nm 的情况下，样品呈现优良的C-V 特性曲线，以及较小的电压滞回窗口(小于10 mV)。在100 kHz下测定了Al/HfAlO3.5/Si(100) MOS 结构电... 详细信息

本文利用先进的原子层淀积技术在Si（100）衬底上制备了HfAlO3.5高k栅介质薄膜。在等效电学厚度4.1 nm 的情况下，样品呈现优良的C-V 特性曲线，以及较小的电压滞回窗口(小于10 mV)。在100 kHz下测定了Al/HfAlO3.5/Si(100) MOS 结构电容的高频C-V 特性曲线，利用Terman方法获得了Si 禁带中央附近的界面态密度为5×1011 cm-2eV-1 到1×1012 cm-2eV-1之间，并用Hill-Coleman 测量方法进行了验证。研究了1 kHz到100 kHz HfAlO3.5 高k栅介质的频率耗散特性，发现由于寄生电阻的关系，随着频率的上升，其MOS 电容密度从0.73 μF/cm2 下降到 0.71 μF/cm2。研究表明，利用原子层淀积方法制备的HfxAlyOz复合介质材料在CMOS栅介质中有良好的应用前景。

关键词：铪铝氧介质薄膜高k栅介质原子层淀积等效电学厚度频率耗散特性寄生电阻金属氧化物半导体

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光致硅微悬臂梁形变理论研究

光致硅微悬臂梁形变理论研究

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第八届中国微米/纳米技术学术年会

作者：郭育林许谷城周嘉黄宜平鲍敏杭复旦大学专用集成电路及系统国家重点实验室微电子学系上海200433

本文研究了硅悬臂梁的光致应变效应的基本理论.从力学和半导体物理学基本理论出发,考虑了光生载流子的空间分布以及载流子表面复合,提出了一种新的光致悬臂梁弯曲的模型和计算光致应变效应引起的悬臂梁弯曲量的方法.模型更为合理的解释... 详细信息

本文研究了硅悬臂梁的光致应变效应的基本理论.从力学和半导体物理学基本理论出发,考虑了光生载流子的空间分布以及载流子表面复合,提出了一种新的光致悬臂梁弯曲的模型和计算光致应变效应引起的悬臂梁弯曲量的方法.模型更为合理的解释了光致悬臂梁弯曲的根本动力,其计算结果和实验测量结果与文献报道相比更为接近.研究为基于光致应变效应的硅悬臂梁传感器打下了理论基础.

关键词：光致应变效应微悬臂梁形变理论光生载流子传感器

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多层薄膜微结构热应力计算

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微细加工技术 2007年第2期2卷 20-23页

作者：王锡明王军军周嘉合肥学院机械系合肥230022 复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室微电子学系上海200433

建立了以制作工艺为基础、适合多层薄膜微结构的热应力的计算公式。在Stoney方程相同的条件下,验证了所建模型的准确性。所建模型应用于多层微悬臂梁结构在残余应力作用下的形变计算,与实验测量结果的对比表明,误差在10%以内,说明所建... 详细信息

建立了以制作工艺为基础、适合多层薄膜微结构的热应力的计算公式。在Stoney方程相同的条件下,验证了所建模型的准确性。所建模型应用于多层微悬臂梁结构在残余应力作用下的形变计算,与实验测量结果的对比表明,误差在10%以内,说明所建模型具有非常好的实用性,可以为多层薄膜微结构设计和优化提供理论依据。

关键词：微机电系统残余应力模拟

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原子层刻蚀技术研究进展

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微纳电子与智能制造 2019年第1期1卷 47-56页

作者：卢红亮马宏平袁光杰张卫复旦大学微电子学院专用集成电路与系统国家重点实验室上海200433 上海大学机电工程与自动化学院上海200444

随着现在集成电路技术的不断发展,构成芯片的核心器件尺寸在不断地缩小,芯片的加工制造变得越来越精细。主要综述了有望在纳米级芯片器件加工过程中发挥关键作用的原子层刻蚀(ALE)技术最近几年来的研究进展。首先介绍了晶体管尺寸进一... 详细信息

随着现在集成电路技术的不断发展,构成芯片的核心器件尺寸在不断地缩小,芯片的加工制造变得越来越精细。主要综述了有望在纳米级芯片器件加工过程中发挥关键作用的原子层刻蚀(ALE)技术最近几年来的研究进展。首先介绍了晶体管尺寸进一步缩小后,在刻蚀材料的选择性和物理化学反应的原子级控制方面面临的主要挑战;接着对ALE技术的基本原理进行了详细介绍;进一步重点概括了ALE技术在应用于微电子器件中的半导体薄膜、氧化物薄膜、氮化物薄膜、金属薄膜的国内外研究成果。此外,还介绍了ALE技术应用在新型二维材料方面的进展情况。

关键词：原子层刻蚀纳米级集成电路晶体管

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关于纳米压印在提高发光二极管发光效率方面的研究

关于纳米压印在提高发光二极管发光效率方面的研究

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2007年中国国际工业博览会科技论坛暨上海市激光学会2007年学术年会

作者：李为军谢申齐张波陆卫上海技术物理研究所国家红外重点实验室复旦大学微电子学系专用集成电路与系统国家重点实验室

近来,随着第三代半导体材料氮化镓(GaN)的突破,InGaN基半导体已经吸引了人们的广泛注意,特别是在发光装置的应用上,例如高亮度的发光二极管(LED)和激光二极管(LD)。虽然GaN基LED已经产业化,但芯片出光效率低的问题仍没很好的解决。由于... 详细信息

近来,随着第三代半导体材料氮化镓(GaN)的突破,InGaN基半导体已经吸引了人们的广泛注意,特别是在发光装置的应用上,例如高亮度的发光二极管(LED)和激光二极管(LD)。虽然GaN基LED已经产业化,但芯片出光效率低的问题仍没很好的解决。由于衬底和外延膜的晶格不匹配效应导致LED内部存在大量地非辐射缺陷,使得GaN基LED内部光电转换效率很低,不能出射的光在LED结区转换为热能,提高了结温,使晶格震动加剧,影响了内部量子效率,也使LED的寿命大打折扣。因此,如何提高LED出光效率是发展大功率GaN基LED需要解决的关键问题。近来越来越多的技术和手段用来提高LED的出光效率,其中包括微观尺度的表面粗糙化(micro-roughening),对基底的mirco-pattern或micro-pyramid处理;也有利用布拉格反射镜(deflected Bragg reflector),或是芯片非极性面/半极性面生长技术等。而最新的研究表面,利用二维光子晶体技术能极大提升LED出光效率。传统的在晶体层光刻的方法是采用电子束微影术,搭配干刻蚀方法,但是高能电子或分子束,往往在光子晶体层的表面造成悬键,恶化有效的电子空穴对辐射结合严重的影响了LED的出光效益。纳米压印光刻技术则采用绘有纳米图案的刚性压模将基片上的聚合物薄膜压出纳米级图形,再对压印件进行常规的刻蚀、剥离等加工,能极大的降低操作工艺对器件的表面的损伤。目前,人们对纳米压印这一低成本图形转移技术的关注越来越多。本实验利用纳米压印(nano-imprinting lithography)和紫外感光的液态高分子光刻胶Su-8技术,在GaN多量子阱结构的LED基片上组装不同图案(光栅图案和Chiral图案),并初步考察了不同图案对LED出光效率的影响。通过325nm He-Cd激光的光致发光谱(PL)研究,结果发现用周期为300nm的硅栅模板压印图案的LED基片出光强度极大提高,与没通过纳米压印的基片相比,出光强度提高了将近30%。而用周期为4μm的Chiral模板压印的基片和没压印基片相比,光的强度也提高了17%左右。通过实验研究表明,利用纳米压印技术,在氮化镓(GaN)为主要材料的LED组件上,刻蚀出二维光子晶体(Photonic Crystal),能有效提高LED的发光效益。

关键词：纳米压印光刻技术 Su-8:氮化镓发光二极管

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沸石分子筛修饰的QCM类神经毒气传感器

沸石分子筛修饰的QCM类神经毒气传感器

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第八届中国微米/纳米技术学术年会

作者：杨涓涓任楠周嘉张亚红刘全黄宜平唐颐复旦大学微电子学系专用集成电路及系统国家重点实验室上海200433 复旦大学化学系上海200433

本文研究了Cu2+-Beta型纳米分子筛对类神经毒剂DMMP有机气体的敏感特性,并结合高灵敏的石英谐振微天平(QCM)研制了DMMP气体的传感器.研究结果表明,选择Cu2+-Beta纳米分子筛作为敏感膜对DMMP气体的检测灵敏度大大提高,达到14.481 1 Hz/lg... 详细信息

本文研究了Cu2+-Beta型纳米分子筛对类神经毒剂DMMP有机气体的敏感特性,并结合高灵敏的石英谐振微天平(QCM)研制了DMMP气体的传感器.研究结果表明,选择Cu2+-Beta纳米分子筛作为敏感膜对DMMP气体的检测灵敏度大大提高,达到14.481 1 Hz/lg(C/ppm).在0.2 ppm DMMP气体浓度下,传感器的响应时间和恢复时间分别为40 s和100 s,响应达到103Hz.同时经过高温和水汽吹扫脱附处理,该传感器表现了较好的重复性.

关键词：沸石分子筛 QCM DMMP 气敏传感器类神经毒剂

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原子层沉积一步法AION膜制备工艺研究及其在硅基太阳能电池上的应用

原子层沉积一步法AION膜制备工艺研究及其在硅基太阳能电池上的应...

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第十四届长三角科技论坛暨第十届华东真空学术交流会

作者：陈宏彦卢红亮杨晓峰张卫复旦大学微电子学院专用集成电路与系统国家重点实验室上海智能电子与系统研究院上海200433中国

目前,研究人员对A12O3薄膜的光伏应用研究主要集中在硅基太阳能电池的背钝化上.然而,对于A12O3作为硅基太阳能电池正面钝化膜的研究却很少.主要原因是A12O3材料的折射率较低(～1.63@550),难以在硅基太阳能电池正面形成有效的减反射作用... 详细信息

目前,研究人员对A12O3薄膜的光伏应用研究主要集中在硅基太阳能电池的背钝化上.然而,对于A12O3作为硅基太阳能电池正面钝化膜的研究却很少.主要原因是A12O3材料的折射率较低(～1.63@550),难以在硅基太阳能电池正面形成有效的减反射作用.为了克服这一问题,提出了基于原子层沉积(ALD)技术的一步法制备AlON薄膜新工艺.该工艺通过等离子增强型ALD设备(PEALD),可将反应温度降低至185℃.有别于传统ALD生长时两种前驱体交替通入的生长模式,本工作通过将两种气体前驱体(NH3、O2)同时通入反应腔,以实现N与O的同时掺杂.由图1可见,通过控制薄膜制备过程中的NH3与O2比例,所制得AION薄膜的折射率可以在1.63至2.1(@550nm)范围内连续可调,这为减反射膜系设计带来了极大便利.由图2所示,相于A1N与A12O3,经过折射率与膜厚优化后的AION膜可使硅表面的反射率在550nm处进一步降低5-8％.

关键词：氮氧化铝薄膜原子层沉积减反射性能硅基太阳能电池

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基于叠层结构的非晶铟镓锌氧(a一IGZO)薄膜晶体管的性能优化研究

基于叠层结构的非晶铟镓锌氧(a一IGZO)薄膜晶体管的性能优化研究

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第十四届长三角科技论坛暨第十届华东真空学术交流会

作者：王韬卢红亮杨建国刘文军张卫复旦大学微电子学院专用集成电路与系统国家重点实验室上海智能电子与系统研究院上海200433中国

非晶铟镓锌氧(Amorphous Indium Gallium Zinc Oxide,α-IGZO)薄膜具有迁移率高、均匀性好等特点,并且在可见光波长范围有较高的光透射率,可以实现制备全透明以及柔性显示器件,是新一代氧化物半导体薄膜晶体管中应用最广泛,也是最具潜... 详细信息

非晶铟镓锌氧(Amorphous Indium Gallium Zinc Oxide,α-IGZO)薄膜具有迁移率高、均匀性好等特点,并且在可见光波长范围有较高的光透射率,可以实现制备全透明以及柔性显示器件,是新一代氧化物半导体薄膜晶体管中应用最广泛,也是最具潜力的有源层材料.本论文采用直流磁控溅射方法制备了叠层非晶IGZO薄膜(氮掺杂IGZO/非晶IGZO/氮掺杂IGZO),将其作为沟道层制备了IGZO薄膜晶体管(TFT),并对器件电学特性和稳定性进行了研究,取得了如下研究成果:1)N掺杂的顶部IGZO薄膜可以有效的阻挡水分子的吸附,并且N掺杂底部IGZO薄膜可以明显降低介质层与沟道层界面陷阱密度;2)直流磁控溅射方法原位掺杂N元素制备叠层IGZO薄膜有着良好的电学性能,通过对N掺杂薄膜厚度的合理搭配,得到的叠层沟道结构TFT具有很好的电学特性,即沟道载流子迁移率达到27.9cm2/Vs,亚阈值摆幅为0.21V/decade,是非掺杂IGZO薄膜TFT器件的1/3,电流开关比达到3.1xl07;3)研究了不同沟道结构IGZO TFT器件在正向栅压应力(PGS,Positive Gate bias Stress)下阈值电压偏移的物理过程.对于界面陷阱或绝缘层内陷阱较多的α-IGZO TFT器件,在PGS下阈值电压正向偏移主要是由于栅绝缘层内陷阱或界面陷阱对沟道电子的捕获,被捕获的电子积累在栅绝缘层内屏蔽了部分栅压,为了使得TFT器件到达正常的开启电流,需要更大的栅压来产生更多的沟道电子.在这种俘获机制中,测试的器件转移特性曲线随着应力时间的增大向正方向平移.随着应力时间的累积,其捕获电子的总数不断增加,阈值电压正向偏移的幅度也越来越大.

关键词：薄膜晶体管非晶铟镓锌氧半导体直流磁控溅射叠层结构电学特性稳定性评价

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