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语言

  • 94 篇 中文
检索条件"机构=复旦大学微电子学院专用集成电路和系统国家重点实验室"
94 条 记 录,以下是1-10 订阅
排序:
氢元素对铟镓锌氧化物薄膜晶体管性能的影响
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物理学报 2018年 第9期67卷 22-29页
作者: 邵龑 丁士进 复旦大学微电子学院 专用集成电路与系统国家重点实验室上海200433
对国际上有关铟镓锌氧化物薄膜晶体管中氢元素的来源、存在形式、表征方法以及对器件性能的影响进行了综述.氢元素是铟镓锌氧化物薄膜晶体管中最为常见的杂质元素,能以正离子和负离子两种形式存在于薄膜晶体管的沟道中,并对器件性能和... 详细信息
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基于二维材料及其范德瓦尔斯异质结的光电探测器
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物理化学学报 2019年 第10期35卷 1058-1077页
作者: 李家意 丁一 张卫 周鹏 复旦大学微电子学院专用集成电路和系统国家重点实验室
近些年来,石墨烯、黑磷和过渡金属二硫化物以及其他二维材料受到了越来越多的关注。凭借其独特的结构和优异的电学、光学特性,这些二维材料在光电器件中得到了广泛应用,具有良好的发展潜力。本文概述了二维材料在光电探测器领域的最新... 详细信息
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超薄氧化铝层的电场调制效应(英文)
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红外与毫米波学报 2018年 第6期37卷 693-698页
作者: 徐大朋 程佩红 陈琳 张卫 复旦大学微电子学院专用集成电路与系统国家重点实验室 上海200433
研究了基于高k介质材料的阻变存储器的写入/擦除(SET/RESET)特性和物理机制.研究发现基于NbAlO材料的阻变存储器SET/RESET电压具有较大波动性,通过结构优化,在Al_2O_3/NbAlO/Al_2O_3纳米薄片堆垛结构器件中获得高度稳定性的可重复的阻... 详细信息
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基于Ni电极和ZrO_2/SiO_2/ZrO_2介质的MIM电容的导电机理研究
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物理学报 2017年 第8期66卷 287-294页
作者: 刘骐萱 王永平 刘文军 丁士进 复旦大学微电子学院专用集成电路与系统国家重点实验室 上海200433
研究了基于Ni电极和原子层淀积的ZrO_2/SiO_2/ZrO_2对称叠层介质金属-绝缘体-金属(MIM)电容的电学性能.当叠层介质的厚度固定在14nm时,随着SiO_2层厚度从0增加到2nm,所得电容密度从13.1 fF/μm^2逐渐减小到9.3fF/μm^2,耗散因子从0.025... 详细信息
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面向微电子应用的二维过渡金属硫族化合物制备进展
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科学通报 2017年 第36期62卷 4237-4255页
作者: 许浒 廖付友 郭仲勋 郭晓娇 周鹏 包文中 张卫 复旦大学微电子学院专用集成电路和系统国家重点实验室 上海200433
二维原子晶体材料所独有的结构特性带来了诸多优异的性质.与石墨烯相比,二维过渡金属硫族化合物(TMDs)拥有不同大小且可调控的带隙,在微电子和光电器件领域有着广阔的应用前景.本文对二维TMDs材料"自上而下"和"自下而上&... 详细信息
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ZrO_2在Si(100)-2×1表面原子层淀积反应机理的密度泛函理论研究
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化学学报 2006年 第11期64卷 1133-1139页
作者: 任杰 陈玮 卢红亮 徐敏 张卫 复旦大学微电子学系专用集成电路与系统国家重点实验室
用密度泛函方法研究了ZrO2在羟基预处理的Si(100)-2×1表面原子层淀积(ALD)初始反应过程的反应机理,ZrO2的ALD过程包括两个前体反应物ZrCl4和H2O交替的半反应.两个半反应都经历一个相似的吸附中间体反应路径.比较单羟基Si表面反应... 详细信息
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湿法腐蚀硅片并生长氧化锌纳米棒作为太阳能电池减反层研究
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无机材料学报 2013年 第4期28卷 420-424页
作者: 王韬 屈新萍 复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室 微电子学系上海200433
在硅基太阳能电池表面制备减反层可以有效降低硅表面的反射率,提高吸收率,从而提高硅基太阳能电池的光电转换效率。本研究利用四甲基氢氧化铵(Tetramethyl Ammonium Hydroxide TMAH)溶液对(100)单晶硅进行各向异性腐蚀,在表面腐蚀出金... 详细信息
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TaN薄膜的等离子体增强原子层沉积及其抗Cu扩散性能
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材料研究学报 2019年 第1期33卷 9-14页
作者: 王永平 丁子君 朱宝 刘文军 丁士进 专用集成电路与系统国家重点实验室复旦大学微电子学院 上海200433
使用Ta[N(CH3)2]5和NH3等离子体作为反物用等离子体增强原子层沉积工艺生长了TaN薄膜,借助原子力显微镜、X射线光电子能谱、四探针和X射线反射等手段研究了薄膜的性能与工艺条件之间的关系。结果表明,TaN薄膜主要由Ta、N和少量的C、O组... 详细信息
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改进的门单元多输入跳变电流源模型
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计算机辅助设计与图形学学报 2012年 第11期24卷 1513-1520页
作者: 钱晨曦 陶俊 曾璇 复旦大学微电子学系专用集成电路与系统国家重点实验室 上海201203
电压信号的非线性问题和多输入跳变现象给时序分析带来了严重挑战.为更好地解决此问题,文中设计电路对门单元输入端和内部节点间的密勒电容进行了验证,从器件结构上分析了其来源,并通过引入该电容改进了已有多输入跳变电流源模型,以获... 详细信息
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深亚微米CMOS运算放大器的综合
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计算机辅助设计与图形学学报 2004年 第12期16卷 1631-1639页
作者: 易婷 洪志良 复旦大学微电子学系专用集成电路与系统国家重点实验室 上海200433
利用一种计算电路直流工作点的技术 ,并采用基于BSIM 3v3MOS模型的MOS管评估器来提高基于公式法进行电路综合的精度 ;同时提出一种综合策略 ,使得综合后得出的运算放大器在工艺波动和工作条件 (如电源电压和温度 )变化时 ,仍能满足性能... 详细信息
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