检索结果-内蒙古大学图书馆

半导体技术 2017年第9期42卷 663-668页

作者：穆敏宏叶凡陈勇臻复旦大学微电子学院专用集成电路与系统国家重点实验室上海201203

对模数转换器中的传统开关电路的导通电阻进行了详细的理论分析,提出了一种互补型栅压自举开关电路。该电路结构相比于传统开关,通过少量的功耗代价换取了更优的频域性能,在不同工艺角下具有更好的鲁棒性,适用于先进工艺下的低电压工作... 详细信息

对模数转换器中的传统开关电路的导通电阻进行了详细的理论分析,提出了一种互补型栅压自举开关电路。该电路结构相比于传统开关,通过少量的功耗代价换取了更优的频域性能,在不同工艺角下具有更好的鲁棒性,适用于先进工艺下的低电压工作环境。互补型栅压自举开关电路采用28 nm工艺设计,在1 V的电源电压下,对800 f F的负载电容进行速率为800 MS/s的采样,在低频输入下(181.25 MHz)实现的无杂散动态范围(SFDR)为89 d B,四倍奈奎斯特输入频率下(1 556 MHz)实现的SFDR为65 d B,开关电路面积为80μm×20μm。

关键词：模数转换器(ADC) 栅压自举采样开关互补型开关导通电阻沟道电荷注入

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压电能量收集器件基于有限元仿真比较和研究

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微纳电子技术 2012年第4期49卷 248-253页

作者：朱伦朱志炜张卫吴东平复旦大学微电子学系专用集成电路与系统国家重点实验室上海200433

利用压电材料制作的器件采集环境中的振动能量,并转化为电能的微尺度器件正日益受到广泛关注。通过有限元仿真分析,研究了新颖的垂直式纳米线阵列结构(VING)和常见的压电悬臂梁结构的能量收集性能。在更贴近实际情况的低频条件下计算了7... 详细信息

利用压电材料制作的器件采集环境中的振动能量,并转化为电能的微尺度器件正日益受到广泛关注。通过有限元仿真分析,研究了新颖的垂直式纳米线阵列结构(VING)和常见的压电悬臂梁结构的能量收集性能。在更贴近实际情况的低频条件下计算了75 000根纳米线阵列结构和压电悬臂梁结构的输出电压以及单位体积能量输出功率,并指出了其各自的特点。最后得出结论:VING更适于在振动强度较大的环境中工作,而悬臂梁结构则更适于在接近其谐振频率的环境中工作。

关键词：能量收集压电效应有限元分析垂直式纳米线阵列(VING) 悬臂梁谐振频率

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单平面EWOD器件在化学发光检测中的可靠性研究

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复旦学报（自然科学版） 2015年第6期54卷 721-727页

作者：章凯迪曾智曾祥宇陶国炜周嘉复旦大学微电子学院专用集成电路与系统国家重点实验室上海200433 复旦大学微电子学院上海200433

研究了单平面透明介质上的电润湿(Electrowetting on Dielectrics,EWOD)数字微流体器件在化学发光检测器中的两个可靠性问题.一是通过对介质层的研究,使用PVD制备300nm Ta_2O_5介质层使驱动电压降低至20.7V,在驱动电压26.9V下速度达到40... 详细信息

研究了单平面透明介质上的电润湿(Electrowetting on Dielectrics,EWOD)数字微流体器件在化学发光检测器中的两个可靠性问题.一是通过对介质层的研究,使用PVD制备300nm Ta_2O_5介质层使驱动电压降低至20.7V,在驱动电压26.9V下速度达到40mm/s;二是通过设置片上加热器解决了Teflon的失效问题,使用1W功率加热5min实现片上疏水角恢复至120°.集成嵌入式加热器的EWOD器件用于葡萄糖检测时,最高灵敏度达到0.12V/(μmol·L^(-1)),检测范围1~20 000μmol/L,最低检测限为1μmol/L.

关键词：介质上的电润湿可靠性化学荧光法葡萄糖检测

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一种流水线型高速过采样∑-△调制器

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微电子学 1997年第4期27卷 224-227页

作者：李红周晓方闵昊复旦大学电子工程系专用集成电路与系统国家重点实验室

提出了一种采用流水线采样输入的开关电容型∑－△调制器的实现方法，该方法充分利用了时钟的每一时刻。用此方法设计的∑－△调制器来样速率可提高３０％。实验表明，这种方法是完全可取的。

关键词：模拟集成电路 A/D转换器调制器流水线采样

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自定时电路设计技术

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半导体技术 1996年第3期12卷 41-44页

作者：陈旭昀苏腾李蔚复旦大学电子工程系专用集成电路与系统国家重点实验室

简要介绍了自定时电路设计技术的特点及一些关键原理。该技术将成为未来推动数字集成电路性能和集成度提高的重要手段之一。

关键词：自定时电路设计数字集成电路

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模拟大规模电路的快速频域小波配置法

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Journal of Semiconductors 2002年第8期23卷 867-873页

作者：黄晟曾璇王健周电复旦大学微电子系专用集成电路与系统国家重点实验室美国德州大学达拉斯分校电机与计算机工程系

提出了一种求解状态方程的方法 :频域快速小波配置法 .通过将状态方程转入频域求解 ,并对输出变量直接进行小波展开 .这一方法比原有的时域快速小波配置法大大减少了未知变量的数目 ,从而使计算速度和存储空间都有很大程度的改善 .由于... 详细信息

提出了一种求解状态方程的方法 :频域快速小波配置法 .通过将状态方程转入频域求解 ,并对输出变量直接进行小波展开 .这一方法比原有的时域快速小波配置法大大减少了未知变量的数目 ,从而使计算速度和存储空间都有很大程度的改善 .由于小波函数及其反变换均有显式的数学表达式 ,这一方法在得到频域解析近似解的同时就可以获得时域解析近似解 ,无须在计算过程中进行耗时的数值积分反变换 .同时通过自适应算法的引入 ,这一方法可以有效提高计算效率 .

关键词：模拟大规模电路频域模拟快速小波配置线性电路状态方程集成电路

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一种4k位串行铁电不挥发存储器的VLSI实现

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微电子学 2001年第4期31卷 255-259,275页

作者：汤祥云王岸如程旭汤庭鳌复旦大学电子工程系专用集成电路与系统国家重点实验室上海200433

文章提出了一个基于 VLSI的 4k位串行铁电不挥发存储器的实现方案。该电路采用2 T- 2 C的存储单元设计 ,针对铁电电容的读出和写入的电流电压特性设计了相应的读写时序 ,给出了状态机的描述和相应的电路实现。该电路与通用的 E2 PROM 2 ... 详细信息

文章提出了一个基于 VLSI的 4k位串行铁电不挥发存储器的实现方案。该电路采用2 T- 2 C的存储单元设计 ,针对铁电电容的读出和写入的电流电压特性设计了相应的读写时序 ,给出了状态机的描述和相应的电路实现。该电路与通用的 E2 PROM 2 4 C0 4在接口、电学特性上完全兼容 ,可以在 2 4 C0 4的电路应用中直接代替之。

关键词：铁电电容 VLSI 存储器

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氮化镓电致发光谱及原位温度近场同测研究

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中国激光 2024年第17期51卷 213-219页

作者：康晓雪陈娜李韶颖刘真民刘书朋商娅娜黄伟卢红亮王廷云上海大学特种光纤与光接入网重点实验室上海200444 上海大学特种光纤与先进通信国际合作联合实验室上海200444 复旦大学微电子学院专用集成电路和系统国家重点实验室上海200433

温度及电致发光谱检测对于氮化镓(GaN)器件的可靠性表征至关重要。利用音叉原子力反馈和量子点修饰的光纤探针,对GaN材料微纳米区域的电致发光谱和原位温度进行近场同测研究。在音叉原子力反馈控制下,量子点光纤探针趋近GaN样品表面。... 详细信息

温度及电致发光谱检测对于氮化镓(GaN)器件的可靠性表征至关重要。利用音叉原子力反馈和量子点修饰的光纤探针,对GaN材料微纳米区域的电致发光谱和原位温度进行近场同测研究。在音叉原子力反馈控制下,量子点光纤探针趋近GaN样品表面。近场收集电致发光谱和探针针尖处量子点的荧光谱,依据量子点荧光谱峰位偏移与温度的线性关系,解调出样品表面微纳米区的原位温度。不同电压激励下GaN电致发光谱及温度同测结果表明:在0~12 V的激励电压范围内,当激励电压达到9 V时,GaN开始出现电致发光现象,电致发光谱峰强随着激励电压的升高而逐渐升高,中心峰位保持不变,且电致发光导致其自身阻抗特性发生变化,从而导致9~12 V激励电压范围内的GaN表面温度梯度明显高于0~9 V激励电压范围内的温度梯度。该方法实现了近场电致发光谱和温度的原位同测,为器件可靠性研究提供了新的测量手段。

关键词：量子点光纤探针氮化镓近场测温电致发光谱原位检测

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船用卫星天线自动跟踪控制系统

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电子技术应用 1997年第6期23卷 37-38页

作者：韦和民俞军复旦大学电子工程系专用集成电路与系统国家重点实验室 200433

提出了一种由微机和单片机插卡组成的廉价船用卫星电视天线自动跟踪控制系统，适用于舰船等移动卫星电视接收平台。该系统能被设定搜索、定位并自动跟踪某一静止卫星，使得舰船上的人员能够收看到丰富多彩的卫视节目。本系统可以替代昂... 详细信息

提出了一种由微机和单片机插卡组成的廉价船用卫星电视天线自动跟踪控制系统，适用于舰船等移动卫星电视接收平台。该系统能被设定搜索、定位并自动跟踪某一静止卫星，使得舰船上的人员能够收看到丰富多彩的卫视节目。本系统可以替代昂贵的同类进口产品。

关键词：移动接收平台罗经自动跟踪船用卫星天线

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InGaAs MOSFET的电容电压特性

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微电子学 2015年第1期45卷 140-144页

作者：陈军黄大鸣复旦大学微电子学系专用集成电路与系统国家重点实验室上海201203

通过自洽求解泊松和薛定谔方程,计算了GaAs,InAs和InGaAs MOSFET的电容电压(CV)特性,并与Si MOSFET的CV特性以及GaAs MOSFET的CV测量结果做了比较。研究结果表明,对于电子有效质量较轻的InGaAs半导体,量子效应非常明显,反型电容显著降... 详细信息

通过自洽求解泊松和薛定谔方程,计算了GaAs,InAs和InGaAs MOSFET的电容电压(CV)特性,并与Si MOSFET的CV特性以及GaAs MOSFET的CV测量结果做了比较。研究结果表明,对于电子有效质量较轻的InGaAs半导体,量子效应非常明显,反型电容显著降低。研究结果还表明,随着栅介质有效厚度的减小和沟道掺杂浓度的增加,量子效应更加突出,反型电容进一步减小。

关键词： InGaAs MOSFET 电容电压特性量子效应

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