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  • 193 篇 中文
检索条件"机构=复旦大学微电子系专用集成电路与系统国家重点实验室"
193 条 记 录,以下是101-110 订阅
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基于TMR的FPGA单粒子加固试验探究
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复旦学报(自然科学版) 2011年 第4期50卷 477-484页
作者: 黄锦杰 孙鹏 沈鸣杰 俞军 复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室 上海201203 上海复旦微电子股份有限公司 上海200433
设计了一个可对基于静态随机存储器的现场可编程门阵列进行单粒子效应测试的系统.采用三模冗余和定时回读重配的方法对待测器件进行单粒子加固.测试电路为移位寄存器链,定时回读的间隔约为80 ms,测试时钟为10 MHz.在非辐照环境下先进行... 详细信息
来源: 评论
22nm技术节点异质栅MOSFET的特性研究
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半导体技术 2012年 第3期37卷 184-187页
作者: 杨颖琳 胡成 朱伦 许鹏 朱志炜 张卫 吴东平 复旦大学微电子学系专用集成电路与系统国家重点实验室 上海200433
研究了22 nm栅长的异质栅MOSFET的特性,利用工艺与器件仿真软件Silvaco,模拟了异质栅MOSFET的阈值电压、亚阈值特性、沟道表面电场及表面势等特性,并与传统的同质栅MOSFET进行比较。分析结果表明,由于异质栅MOSFET的栅极由两种不同功函... 详细信息
来源: 评论
金属纳米晶快闪存储器研究进展
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微电子 2007年 第3期37卷 369-373页
作者: 张敏 丁士进 陈玮 张卫 专用集成电路与系统国家重点实验室 复旦大学微电子研究院上海201203
金属纳米晶具有态密度高、费米能级选择范围广以及无多维载流子限制效应等优越性,预示着金属纳米晶快闪存储器在下一代闪存器件中具有很好的应用前景。从金属纳米晶存储器的工作原理、纳米晶的制备方法、以及新型介质材料和电荷俘获层... 详细信息
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量子效应和小型化对隧穿晶体管特性的影响
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微电子 2013年 第2期43卷 292-295页
作者: 姚成军 黄大鸣 施道航 焦广泛 复旦大学微电子学系专用集成电路与系统国家重点实验室 上海201203
基于二维器件仿真工具,研究了量子效应和小型化对双栅隧穿场效应晶体管的特性和可靠性的影响。隧穿晶体管中的量子效应除了带间隧穿,还包括量子统计效应和垂直沟道方向的量子限制效应。研究表明,量子统计效应和量子限制效应对隧穿晶体... 详细信息
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An Implementation of a CMOS Down-Conversion Mixer for GSM1900 Receivers
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Journal of Semiconductors 2006年 第3期27卷 467-472页
作者: 褚方青 李巍 苏彦锋 任俊彦 复旦大学微电子系专用集成电路国家重点实验室 上海201203 上海士康射频技术有限公司 上海200433
A 1.9GHz down-conversion CMOS mixer with a novel folded Gilbert cell,intended for use in GSM1900 (PCS1900) low-IF receivers,is fabricated in a RF 0.18μm CMOS process. The prototype demonstrates good performance at ... 详细信息
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Integrated Delta-Sigma 1.5bit Power DAC with 100dB Dynamic Range
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Journal of Semiconductors 2007年 第5期28卷 651-654页
作者: 李丹 梁嘉义 洪志良 许刚 复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室 上海201203 捷顶微电子有限公司 上海201203
A stereo 1.5bit delta-sigma digital-analog converter (△∑ DAC) integrated with a filterless class D power amplifier is introduced. It consumes no static power, and its maximum output power is 436mW with an 8Ω load... 详细信息
来源: 评论
基于速度饱和的CMOS倒相器延迟模型
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Journal of Semiconductors 2000年 第7期21卷 711-716页
作者: 宋任儒 阮刚 梁擎擎 ReinhardStreiter ThomasOtto ThomasGessner 复旦大学电子工程系专用集成电路与系统国家重点实验室 Chemnitz技术大学微技术中心
提出了一个新的小尺寸 CMOS倒相器延迟模型 ,它考虑了速度饱和效应以及非阶梯的输入信号对延迟的影响并给出了倒相器快输入响应与慢输入响应的判据 ,模型计算结果与SPICE BSIM1模型的模拟结果吻合得很好 .
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嵌入式色盲图像处理系统设计
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中国医疗器械杂志 2011年 第1期35卷 45-49页
作者: 王恩 马煜 汪源源 复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室 上海200433 复旦大学电子工程系 上海200433
以色盲图像处理系统为应用背景,提出了基于ARM的嵌入式系统设计方案。通过选型核心处理器ARM,完成了嵌入式色盲图像处理系统的硬件和软件设计,并实现了简单易用的系统界面。本系统为色盲图像处理算法的应用提供了一个通用的硬件平台,有... 详细信息
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Quasi-Static Energy Recovery Logic with Single Power-Clock Supply
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Journal of Semiconductors 2007年 第11期28卷 1729-1734页
作者: 李舜 周锋 陈春鸿 陈华 吴一品 复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室 上海201203 温莎大学电子与计算机工程系
This paper presents a new quasi-static single-phase energy recovery logic (QSSERL), which unlike any other existing adiabatic logic family,uses a single sinusoidal supply-clock without additional timing control volt... 详细信息
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氢离子注入GaAs晶片表面剥离机理
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功能材料与器件学报 2007年 第1期13卷 59-62,67页
作者: 郭育林 倪敏璐 周嘉 竺士炀 黄宜平 复旦大学专用集成电路及系统国家重点实验室微电子学系 上海200433
为了更深入的了解GaAs经氢离子注入后的剥离特性,实验研究了GaAs晶片经6×1016/cm2剂量氢离子以不同能量注入,再经过不同温度和不同时间的退火过程后,晶片表面的剥离情况。研究表明:注入能量小的晶片较容易表面剥离,当注入能量大到... 详细信息
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