检索结果-内蒙古大学图书馆

微电子学 2018年第4期48卷 429-432页

作者：张幸幸陆继承李夏禹俞军复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室上海200433 复旦大学微电子学院上海200433 上海复旦微电子集团股份有限公司上海200433

提出一种特殊数字滤波器的结构优化方案,可以简化滤波器结构、节省电路面积。将该方案应用于解调ISO/IEC 14443协议规定的PICC到PCD的副载波调制信号。在此基础上,改变子滤波器的位置,将长延迟链前移,减少了长延时链的数据位宽。综合结... 详细信息

提出一种特殊数字滤波器的结构优化方案,可以简化滤波器结构、节省电路面积。将该方案应用于解调ISO/IEC 14443协议规定的PICC到PCD的副载波调制信号。在此基础上,改变子滤波器的位置,将长延迟链前移,减少了长延时链的数据位宽。综合结果表明,该滤波器的面积仅为传统滤波器的50%。

关键词： FIR滤波器匹配滤波器 ISO/IEC14443协议

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

沟槽深度对UMOS功率器件电学性能的影响

引用

复旦学报（自然科学版） 2009年第4期48卷 506-510页

作者：张金英华光平纪新明周嘉黄宜平复旦大学专用集成电路和系统国家重点实验室微电子研究院上海200433 上海先进半导体制造股份有限公司上海200233

采用0．35μm工艺设计制造了新型UMOS功率器件，芯片集成了数千个UMOS沟槽并使之并联，以获得高的击穿电压和大的工作电流．研究发现，沟槽深度对器件的工艺参数及其导通电阻、漏电流、阈值电压、击穿电压等电学性能都有影响，且最终影... 详细信息

采用0．35μm工艺设计制造了新型UMOS功率器件，芯片集成了数千个UMOS沟槽并使之并联，以获得高的击穿电压和大的工作电流．研究发现，沟槽深度对器件的工艺参数及其导通电阻、漏电流、阈值电压、击穿电压等电学性能都有影响，且最终影响量产中的良率．实验表明，在相同的工艺条件下，沟槽深度为1．65μm（试验范围为1．60～1．95μm）时，Ф200mm晶片的良率可达98％以上，器件导通电阻约8．2mΩ，源漏击穿电压稳定在34V以上，正常工作电流可达5A，开启电压和漏电流也稳定在要求范围内．

关键词：高功率 U形多晶硅栅金属氧化物半导体沟槽深度击穿电压良率

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

基于45nm技术的ULSI互连结构的温度模拟

引用

微电子学 2007年第4期37卷 474-477,481页

作者：王锡明周嘉阮刚 LEE H-D 合肥学院机械系合肥230022 复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室微电子学系上海201203 城南国立大学电子工程系

应用自行建立的准二维简化模型,计算了三种基于45 nm节点技术的ULSI九层低介电常数介质互连结构的温度升高。与ANSYS的分析对比表明,简化模型误差为7.7%。三种互连结构中,结构III设计具有最佳的散热能力,不仅工作时绝对温升小,而且随衬... 详细信息

应用自行建立的准二维简化模型,计算了三种基于45 nm节点技术的ULSI九层低介电常数介质互连结构的温度升高。与ANSYS的分析对比表明,简化模型误差为7.7%。三种互连结构中,结构III设计具有最佳的散热能力,不仅工作时绝对温升小,而且随衬底温度和介质导热系数的温升加大也小;结构I的散热能力良好,结构III最差。对三种互连结构的尺寸分析表明,层间介质的厚度对互连系统的温升影响大,必须在电学模拟和温度模拟完成后找到一个最佳厚度值,以保证既有好的散热条件,又有利于减小RC延迟。互连结构的温升随电介质导热系数的减小呈二阶指数升高,特别当介质导热系数小于0.1 W/℃.m时,互连结构设计将会成为器件温升和系统可靠性的关键所在,引入新技术或许势在必行。

关键词：超大规模集成电路铜互连温度分析低介电常数材料

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

两路信号控制的液滴单向运输数字微流控芯片

引用

传感器与微系统 2019年第8期38卷 65-68页

作者：盛文洁王续博周嘉复旦大学微电子学院专用集成电路与系统国家重点实验室

介质上的电润湿(EWOD)数字微流控芯片的设计中,随着电极数量的增加,需要更多的控制信号,引出导线的设计复杂程度将会显著增加。根据接触线理论,提出一种运输方向上非对称的电极设计,使液滴两侧的电极同时加电压时,施加在液滴两侧的电润... 详细信息

介质上的电润湿(EWOD)数字微流控芯片的设计中,随着电极数量的增加,需要更多的控制信号,引出导线的设计复杂程度将会显著增加。根据接触线理论,提出一种运输方向上非对称的电极设计,使液滴两侧的电极同时加电压时,施加在液滴两侧的电润湿力不平衡,液滴向指定方向驱动。该新型器件只需两个信号即可实现液滴长距离、大规模的单向运输。通过COMSOL仿真软件对器件在电压作用下液滴受力和运动情况进行了表征,并制作及测试芯片对其功能进行了验证。仿真和测试结果表明:通过两个驱动信号的重复交替,能够在一维路径上稳定地实现单向运输。

关键词：数字微流微液滴单向输运介质上的电润湿

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

基于Walsh谱变换的S盒算法

引用

计算机工程 2014年第7期40卷 18-22页

作者：孙慧盈陆继承魏长征俞军复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室上海200433 复旦大学微电子学院上海200433 上海复旦微电子集团股份有限公司上海200433

针对一阶差分功耗分析(DPA)攻击问题,借鉴现有的频谱变换S盒防护方法,利用Walsh谱变换的单比特输出特性,并运用Walsh谱变换与构造相应掩码变量,提出一种基于Walsh谱变换的安全S盒算法。阐述算法的具体实现过程,分析所有敏感数据的掩码... 详细信息

针对一阶差分功耗分析(DPA)攻击问题,借鉴现有的频谱变换S盒防护方法,利用Walsh谱变换的单比特输出特性,并运用Walsh谱变换与构造相应掩码变量,提出一种基于Walsh谱变换的安全S盒算法。阐述算法的具体实现过程,分析所有敏感数据的掩码安全性。以数据加密标准算法为例,描述该算法在实际应用中的具体实现。通过50万条功耗曲线的DPA攻击进行实验,结果表明,与基于傅里叶变换的S盒算法相比,该算法在保证安全性的同时,可避免复杂的算术掩码操作。

关键词：旁路分析 S盒差分功耗分析傅里叶变换 Walsh谱变换掩码数据加密标准

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

一种新的高级加密标准模板攻击方法

引用

计算机工程 2013年第8期39卷 166-168页

作者：胡永波郑业扬俞军复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室上海201203 复旦大学微电子学院上海201203 上海复旦微电子集团股份有限公司上海200433

针对高级加密标准(AES)算法存在对模板攻击效率较低的问题,提出一种新的模板攻击方法,包括攻击算法以及优化的攻击过程,建立每个非线性表的汉明权重模板和128次模板匹配,以此获取AES算法的全部密钥,优化的攻击过程包括对信号的有效预处... 详细信息

针对高级加密标准(AES)算法存在对模板攻击效率较低的问题,提出一种新的模板攻击方法,包括攻击算法以及优化的攻击过程,建立每个非线性表的汉明权重模板和128次模板匹配,以此获取AES算法的全部密钥,优化的攻击过程包括对信号的有效预处理和主成分分析。实验结果证明,该方法可提高AES模板攻击的效率,成倍降低存储器的用量和运算复杂度。

关键词：高级加密标准侧道信号攻击模板攻击主成分分析相关系数矩阵贝叶斯定理

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

MEMS神经元微探针研究

MEMS神经元微探针研究

引用

第八届中国微米/纳米技术学术年会

作者：程正喜黄维宁周嘉黄宜平鲍敏杭复旦大学微电子系专用集成电路与系统国家重点实验室上海200433

本文制作了一种神经元多电极微探针,采用阻抗分析仪对微探针进行了表征,测量了该探针单个电极在生理盐水中100～1 kHz范围内的交流阻抗.1 kHz工作频率下,探针的交流电阻和交流容抗分别为100 kΩ和10 kΩ,时漂小于1％.作为微探针的初步应... 详细信息

本文制作了一种神经元多电极微探针,采用阻抗分析仪对微探针进行了表征,测量了该探针单个电极在生理盐水中100～1 kHz范围内的交流阻抗.1 kHz工作频率下,探针的交流电阻和交流容抗分别为100 kΩ和10 kΩ,时漂小于1％.作为微探针的初步应用,测量了两个电极之间在不同浓度的NaCl溶液中的交流阻抗.结果表明该探针基本符合神经元探针的要求,为下一步进行生物实验奠定基础.

关键词：神经元微探针交流阻抗单元常数阻抗分析仪

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

CCD及其在象感领域的应用

引用

光电子技术 1994年第4期14卷 254-261页

作者：张万鹏复旦大学电子工程系专用集成电路与系统国家重点实验室上海200433

介绍 CCD 的基本工作原理,并详细介绍 CCD 结构的发展,以及它在象感领域中的作用。

关键词：电荷耦合器件摄象机象感

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

JUGFET及其应用

引用

微电子学 1994年第3期24卷 23-26页

作者：叶波复旦大学电子工程系专用集成电路与系统国家重点实验室

本文叙述了ＪＵＧＦＥＴ的基本原理，介绍了它的器件结构和伏安特性，在此基础上提出了它的互补结构，分析了它的输出特性，同时简单介绍了它在集成电路中的应用。

关键词： JUGFET 场效应管伏-安特性

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

片上集成三电极体系微电极阵列的表征

片上集成三电极体系微电极阵列的表征

引用

第十届全国敏感元件与传感器学术会议

作者：吕尊实周嘉陈华黄宜平鲍敏杭复旦大学专用集成电路及系统国家重点实验室微电子学系复旦大学专用集成电路及系统国家重点实验室微电子学系复旦大学专用集成电路及系统国家重点实验室微电子学系复旦大学专用集成电路及系统国家重点实验室微电子学系复旦大学专用集成电路及系统国家重点实验室微电子学系

设计制作了片上集成三电极体系微电极阵列。工作电极分为圆形和方形两种,电极特征尺寸为100～900μm,工作电极与对电极间距为50～200μm。利用循环伏安法,在氧化还原电位探针二茂铁甲醇的作用下,对各三电极微系统进行了电极性能表征,具... 详细信息

设计制作了片上集成三电极体系微电极阵列。工作电极分为圆形和方形两种,电极特征尺寸为100～900μm,工作电极与对电极间距为50～200μm。利用循环伏安法,在氧化还原电位探针二茂铁甲醇的作用下,对各三电极微系统进行了电极性能表征,具体分析了工作电极的形状、大小、与对电极的间距对输出特性的影响,为片上集成三电极体系的微电极阵列的设计优化提供了实际依据。

关键词：微电极表征循环伏安法

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

建议与咨询留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

时间限定

文献类型

馆藏选择

核心期刊

语言

文献类型

帮助

文字说明：

检索规则说明：

检索范例：

分类表

所选分类

限定检索结果

文献类型

馆藏范围

日期分布

学科分类号

主题

机构

作者

语言

请选择保存的检索档案：

请选择收藏分类：

通借通还

建议与咨询 留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

时间限定

文献类型

馆藏选择

核心期刊

语言

文献类型

帮助

文字说明：

检索规则说明：

检索范例：

分类表

所选分类

限定检索结果

文献类型

馆藏范围

日期分布

学科分类号

主题

机构

作者

语言

请选择保存的检索档案： 新增检索档案 确定 取消

请选择收藏分类： 新增自定义分类 确定 取消

通借通还

建议与咨询留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

请选择保存的检索档案：

请选择收藏分类：