检索结果-内蒙古大学图书馆

作者：王韬卢红亮杨建国刘文军张卫复旦大学微电子学院专用集成电路与系统国家重点实验室上海智能电子与系统研究院上海200433中国

非晶铟镓锌氧(Amorphous Indium Gallium Zinc Oxide,α-IGZO)薄膜具有迁移率高、均匀性好等特点,并且在可见光波长范围有较高的光透射率,可以实现制备全透明以及柔性显示器件,是新一代氧化物半导体薄膜晶体管中应用最广泛,也是最具潜... 详细信息

非晶铟镓锌氧(Amorphous Indium Gallium Zinc Oxide,α-IGZO)薄膜具有迁移率高、均匀性好等特点,并且在可见光波长范围有较高的光透射率,可以实现制备全透明以及柔性显示器件,是新一代氧化物半导体薄膜晶体管中应用最广泛,也是最具潜力的有源层材料.本论文采用直流磁控溅射方法制备了叠层非晶IGZO薄膜(氮掺杂IGZO/非晶IGZO/氮掺杂IGZO),将其作为沟道层制备了IGZO薄膜晶体管(TFT),并对器件电学特性和稳定性进行了研究,取得了如下研究成果:1)N掺杂的顶部IGZO薄膜可以有效的阻挡水分子的吸附,并且N掺杂底部IGZO薄膜可以明显降低介质层与沟道层界面陷阱密度;2)直流磁控溅射方法原位掺杂N元素制备叠层IGZO薄膜有着良好的电学性能,通过对N掺杂薄膜厚度的合理搭配,得到的叠层沟道结构TFT具有很好的电学特性,即沟道载流子迁移率达到27.9cm2/Vs,亚阈值摆幅为0.21V/decade,是非掺杂IGZO薄膜TFT器件的1/3,电流开关比达到3.1xl07;3)研究了不同沟道结构IGZO TFT器件在正向栅压应力(PGS,Positive Gate bias Stress)下阈值电压偏移的物理过程.对于界面陷阱或绝缘层内陷阱较多的α-IGZO TFT器件,在PGS下阈值电压正向偏移主要是由于栅绝缘层内陷阱或界面陷阱对沟道电子的捕获,被捕获的电子积累在栅绝缘层内屏蔽了部分栅压,为了使得TFT器件到达正常的开启电流,需要更大的栅压来产生更多的沟道电子.在这种俘获机制中,测试的器件转移特性曲线随着应力时间的增大向正方向平移.随着应力时间的累积,其捕获电子的总数不断增加,阈值电压正向偏移的幅度也越来越大.

关键词：薄膜晶体管非晶铟镓锌氧半导体直流磁控溅射叠层结构电学特性稳定性评价

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原子层沉积ZnO/Cu/ZnO透明导电膜的电学、光学特性研究

原子层沉积ZnO/Cu/ZnO透明导电膜的电学、光学特性研究

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第十四届长三角科技论坛暨第十届华东真空学术交流会

作者：马宏平王韬卢红亮张卫复旦大学微电子学院专用集成电路与系统国家重点实验室上海智能电子与系统研究院上海200433中国

获得更低电阻率和更高透过率的透明导电膜(TCO)一直是该领域科研人员努力和追求的目标,利用热蒸发和磁控溅射方法制备TCO薄膜的研究己经有很多,本文尝试利用原子层沉积(ALD)这种优良的镀膜方法,希望制备出高性能的ZnO/Cu/ZnO三明治结构... 详细信息

获得更低电阻率和更高透过率的透明导电膜(TCO)一直是该领域科研人员努力和追求的目标,利用热蒸发和磁控溅射方法制备TCO薄膜的研究己经有很多,本文尝试利用原子层沉积(ALD)这种优良的镀膜方法,希望制备出高性能的ZnO/Cu/ZnO三明治结构的TCO薄膜。利用光学光谱仪和四探针测量仪测试薄膜的光学和电学特性,并利用X射线衍射和透射电子显微镜观察和表征薄膜的细微结构。实验结果显示铜层的厚度对多层膜的光电特性有很大的影响,当铜层厚度增加时,薄膜的电阻率会不断降低,但是透过率也会随之降低。通过分析发现当铜层厚度为14 nm时,电阻率可以低至～3 x 10-4n_cm,同时在可见光区域的平均透过率也能够达到65％。对于ALD初步实现TCO薄膜的制备,就能够达到如此良好的光电特性,说明ALD技术具有制备优异透明导电膜的巨大应用潜力。通过进一步研究和ALD工艺参数的优化,相信利用ALD能够制备出更低电阻率和更高透过率的TCO薄膜。

关键词：透明导电膜原子层沉积电阻率透过率

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原子层淀积Si掺杂ZnO薄膜的光电性能研究

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淮北师范大学学报（自然科学版） 2022年第4期43卷 60-64页

作者：张远张永兴张金锋牟福生淮北师范大学物理与电子信息学院安徽淮北235000 复旦大学微电子学院专用集成电路与系统国家重点实验室上海200433

文章对原子层淀积(ALD)Si掺杂ZnO(SZO)薄膜的结构、电学和光学性能进行研究.通过生长ZnO和SiO2叠层的方法得到不同硅(Si)掺杂浓度的SZO薄膜,XRD测量结果表明,SZO薄膜为多晶结构,AFM测量结果表明,掺杂后样品的表面粗糙度变小.随着Si掺杂... 详细信息

文章对原子层淀积(ALD)Si掺杂ZnO(SZO)薄膜的结构、电学和光学性能进行研究.通过生长ZnO和SiO2叠层的方法得到不同硅(Si)掺杂浓度的SZO薄膜,XRD测量结果表明,SZO薄膜为多晶结构,AFM测量结果表明,掺杂后样品的表面粗糙度变小.随着Si掺杂浓度的提高,SZO薄膜的载流子浓度先增大后减小,电阻率不断增大. SZO薄膜的可见光透射率在85%之上,光致发光谱表面SZO薄膜的发光以紫外光为主. ALD生长的SZO薄膜可以通过调整Si浓度对其光电性能进行精确调控,在透明导电薄膜、薄膜晶体管、紫外发光和探测器件方面有巨大的应用潜力.

关键词： Si掺杂 ZnO薄膜原子层淀积透光率光致发光

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松质骨中的超声背散射

松质骨中的超声背散射

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第三届全国暨国际超声分子影像及生物效应和治疗学术会议

作者：他得安复旦大学电子工程系复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室上海市医学图像处理与计算机辅助手术重点实验室

定量超声方法检测与评价骨质及诊断骨质疏松症是近年来医学超声领域内的研究热点之一,并已取得了显著的进展。超声背散射信号比透射信号能够提供更多的关于松质骨微结构的信息。报告将介绍骨超声背散射检测与评价骨质的原理和方法,并介... 详细信息

定量超声方法检测与评价骨质及诊断骨质疏松症是近年来医学超声领域内的研究热点之一,并已取得了显著的进展。超声背散射信号比透射信号能够提供更多的关于松质骨微结构的信息。报告将介绍骨超声背散射检测与评价骨质的原理和方法,并介绍一种新型超声背散射骨质诊断仪及其在1226例成人和467例新生儿骨检测中的应用。在中心频率3.5 MHz和5.0 MHz下,测量并计算表观积分背散射(AIB)、频谱质心偏移(SCS)、骨小梁间距(TbSp)、表观背散射频率斜率(FSAB)等参数。采用线性回归法分析了超声背散射参量与人体相关参量间的相关性,发现其有重要的相关性。研究结果说明超声背散射法可多特征评价骨质状况。将来的研究是测量更多人群的骨质,以改进超声背散射参量与人体参量间的相关性,以精确诊断骨病。

关键词：背散射检测与评价松质骨

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基于集成氮化硅微腔的光学传感芯片研究

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计测技术 2018年第1期38卷 9-16页

作者：翟珊顾昌林冯吉军卢红亮上海理工大学光电信息与计算机工程学院上海市现代光学系统重点实验室上海200093 复旦大学微电子学院专用集成电路与系统国家重点实验室上海201203

近年来随着传感器在生物探测领域的应用,提高传感器芯片的灵敏度成为研究的热点。利用氮化硅微腔灵敏度高、成本低、易于集成的优点,设计制造了1550 nm波长下二维、三维结构品质因子分别为1.6×104和4×103的悬空耦合传感器芯片... 详细信息

近年来随着传感器在生物探测领域的应用,提高传感器芯片的灵敏度成为研究的热点。利用氮化硅微腔灵敏度高、成本低、易于集成的优点,设计制造了1550 nm波长下二维、三维结构品质因子分别为1.6×104和4×103的悬空耦合传感器芯片,并详细研究了集成氮化硅微腔光学传感芯片在折射率测量方面的应用。

关键词：集成光子芯片微环谐振腔氮化硅光学传感器悬空结构

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22nm技术节点异质栅MOSFETs的特性研究

22nm技术节点异质栅MOSFETs的特性研究

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2011’全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会

作者： Yang Yinglin 杨颖琳 Hu Cheng 胡成 Zhu Lun 朱伦 Xu Peng 许鹏 Zhu Zhiwei 朱志炜 Zhang Wei 张卫 Wu Dongping 吴东平 State Key Laboratory of ASIC and System Dept.of MicroelectronicsFudan UniversityShanghai 200433Ch 复旦大学微电子学系专用集成电路与系统国家重点实验室上海200433

本文主要研究了22nm栅长的异质栅结构MOSFETs的特性,利用工艺与器件仿真软件Silvaco,模拟了异质栅MOSFETs的阈值电压、亚阈值特性、沟道表面电场及表面势等特性,并与传统的同质栅MOSFETs进行比较。分析结果表明,由于异质栅MOSFETs的栅... 详细信息

本文主要研究了22nm栅长的异质栅结构MOSFETs的特性,利用工艺与器件仿真软件Silvaco,模拟了异质栅MOSFETs的阈值电压、亚阈值特性、沟道表面电场及表面势等特性,并与传统的同质栅MOSFETs进行比较。分析结果表明,由于异质栅MOSFETs的栅极由两种不同功函数的材料组成,因而在两种材料界面附近的表面沟道中增加了一个电场峰值,相应地漏端电场比同质栅MOSFETs有所降低,所以在提高沟道载流子的输运效率的同时也降低了小尺寸器件的热载流子效应。此外,由于该器件靠近源极的区域对于漏压的变化具有屏蔽作用,从而有效抑制了小尺寸器件的沟道长度调制效应,但是由于其亚阈值特性与同质栅MOSFETs相比较差,导致漏致势垒降低效应(DIBL)没有明显改善。

关键词：金属氧化物半导体器件异质栅结构性能评价模拟分析

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集成电路光刻机精密运动台控制方法综述

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长春工业大学学报 2022年第4期43卷 419-427页

作者：姜龙滨刘维珂杨晓峰复旦大学工程与应用技术研究院上海市超精密运动控制与检测工程研究中心上海200433 复旦大学微电子学院专用集成电路与系统国家重点实验室上海200433

集成电路的持续发展推动了信息技术的进步。步进扫描式光刻机是集成电路装备中技术难度最高、价格最昂贵的关键设备。其中,精密运动台是光刻机最为核心的子系统之一,高速、高加速和高精度的要求对控制方法的研究和应用提出了挑战。文中... 详细信息

集成电路的持续发展推动了信息技术的进步。步进扫描式光刻机是集成电路装备中技术难度最高、价格最昂贵的关键设备。其中,精密运动台是光刻机最为核心的子系统之一,高速、高加速和高精度的要求对控制方法的研究和应用提出了挑战。文中对集成电路光刻机中精密运动台的控制方法进行了综述。首先,介绍了面向光刻机工件台或掩模台单一运动台的前馈反馈复合控制方法;其次,介绍了工件台和掩模台的同步控制方法;最后,介绍了运动台的主动减振控制方法。

关键词：光刻机迭代学习控制扰动观测器同步控制主动减振控制

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低成本高可靠性NOR型Flash耐久性测试系统的研究与设计

低成本高可靠性NOR型Flash耐久性测试系统的研究与设计

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第十六届全国半导体集成电路硅材料学术会议

作者：孙鹏彭丽花李楠郑国祥曾(华) 复旦大学材料科学系上海 200433 复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室上海 200433 上海复旦微电子公司上海 200433 复旦大学材料科学系上海 200433

基于浮栅结构的NOR型Flash在进行长时间大量的读写操作后，会由于氧化层可靠性、读写干扰等问题，导致芯片出现耐久性缺陷。耐久性测试是Flash芯片测试中占用测试时间最长的测试过程，测试成本很高。本文在深入分析NOR型Flash耐久性缺... 详细信息

基于浮栅结构的NOR型Flash在进行长时间大量的读写操作后，会由于氧化层可靠性、读写干扰等问题，导致芯片出现耐久性缺陷。耐久性测试是Flash芯片测试中占用测试时间最长的测试过程，测试成本很高。本文在深入分析NOR型Flash耐久性缺陷机理的基础上，对Flash存储器耐久性测试方法进行了研究，设计了一种成本相对较低但可靠性很高的NOR型Flash耐久性测试与评估系统，该系统基于FPGA，可对待测芯片进行各种可编程的测试图形的耐久性读写测试，可实现长达100小时的稳定的可靠性读写实验，集成了对测试结果的定位、统计与评估，大大降低了测试成本。

关键词：耐久性测试浮栅结构读写操作芯片测试

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Where-What网络增量学习特性探究

Where-What网络增量学习特性探究

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第一届全国神经动力学学术会议

作者：王悦凯吴晓峰翁巨扬复旦大学电子工程系复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室实验室复旦大学计算机科学技术学院美国密歇根州立大学计算机科学与工程系

我们人类能够通过与外界的交流自主学习概念,小孩子能够不断地学习新的任务。这与人类大脑自主发育的特点有着密切的联系。近几年,大量的人工智能方面的研究都着眼于自主发育这一概念。但到目前为止,如何构建自主发育网络仍旧是一个非... 详细信息

我们人类能够通过与外界的交流自主学习概念,小孩子能够不断地学习新的任务。这与人类大脑自主发育的特点有着密切的联系。近几年,大量的人工智能方面的研究都着眼于自主发育这一概念。但到目前为止,如何构建自主发育网络仍旧是一个非常具有挑战性的研究课题。Where-What网络模型(WWN)模拟了人类大脑视觉皮层的工作机制,能够像小孩子一样在复杂背景中寻找并且识别物体。潜在具有自主发育功能。本文主要基于WWN-1到6的工作,并且结合相关实验,探究脑壳封闭网络(WWN-6)的增量学习特性。

关键词：自主发育脑壳封闭增量学习仿大脑视觉皮层 WWN

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一种基于谱变换技术的S盒硬件实现方法

一种基于谱变换技术的S盒硬件实现方法

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中国密码学会2013年密码芯片学术会议

作者：魏长征胡永波孙慧盈陆继承郭丽敏俞军上海复旦微电子集团股份有限公司上海 200433 上海复旦微电子集团股份有限公司上海 200433 复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室上海 201203

2006年Prouff等人提出了基于傅立叶谱变换技术的抗DPA攻击的S盒实现方案.此后2008和2009年Coron和Yang Li等人分别对其方案进行改进,但改进后的方案算法仍然较复杂,不便于硬件实现.本文针对硬件电路的特点,对原方案进行分析优化,并提出... 详细信息

2006年Prouff等人提出了基于傅立叶谱变换技术的抗DPA攻击的S盒实现方案.此后2008和2009年Coron和Yang Li等人分别对其方案进行改进,但改进后的方案算法仍然较复杂,不便于硬件实现.本文针对硬件电路的特点,对原方案进行分析优化,并提出了一种高效可行的硬件实现方案.更进一步的引入了walsh谱变换技术,克服了原方案在硬件实现过程中可能存在的安全漏洞.文章最后给出了实际实现的电路规模.

关键词：密码芯片 S盒压缩算法谱变换侧信道分析

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