检索结果-内蒙古大学图书馆

复旦学报（自然科学版） 2019年第6期58卷 706-718页

作者：高阳阳徐烈伟俞剑许薇复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室上海201203 上海复旦微电子集团股份有限公司上海200433

针对大规模数据处理和动态更新规则的网络计算需求,本文提出了一种新型动态可重构的正则表达式匹配(DRR)算法.算法采用参数化一致性表达方法,提高了正则表达式的动态匹配能力;采用专用电路与可重构电路的混合计算框架,设计了正则表达式... 详细信息

针对大规模数据处理和动态更新规则的网络计算需求,本文提出了一种新型动态可重构的正则表达式匹配(DRR)算法.算法采用参数化一致性表达方法,提高了正则表达式的动态匹配能力;采用专用电路与可重构电路的混合计算框架,设计了正则表达式匹配的并行计算加速引擎.在软硬件协同工作模式下,新型动态可重构的匹配加速引擎不仅可以最大化利用FPGA电路的可编程特性实现表达式匹配规则的动态更新,提高匹配的预处理速度,设计的专用ASIC并行匹配电路更大幅提高了正则表达式的匹配计算速度.本文采用TSMC 28nm CMOS工艺完成芯片的设计和流片,实验结果表明:本文设计实现的动态可重构的匹配加速引擎可以有效地适用于大多数应用场景下的正则表达式匹配,匹配计算的吞吐率达到280Gb/s,相比于同类型基于FPGA的匹配计算引擎实现了5倍以上的匹配速度提升.

关键词：正则表达式匹配动态可重构硬件加速现场可编程门阵列

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

铪基铁电薄膜及其隧道结存储器件研究

引用

湘潭大学学报（自然科学版） 2019年第5期41卷 78-84页

作者：察明扬陈佩瑶陈琳朱颢孙清清张卫复旦大学微电子学院专用集成电路与系统国家重点实验室

在信息技术高度发达的今天,传统的信息存储技术正面临着诸多挑战,铁电隧道结等新兴存储器受到了越来越广泛的关注.基于氧化铪材料的铁电隧道结存储器具有读写快、能耗低、与传统CMOS工艺兼容等优势.该文制备了两种底电极的铪锆氧铁电隧... 详细信息

在信息技术高度发达的今天,传统的信息存储技术正面临着诸多挑战,铁电隧道结等新兴存储器受到了越来越广泛的关注.基于氧化铪材料的铁电隧道结存储器具有读写快、能耗低、与传统CMOS工艺兼容等优势.该文制备了两种底电极的铪锆氧铁电隧道结,测试其铁电特性和存储性能.其中采用铂为底电极的铪锆氧铁电隧道结不仅有较高的剩余极化强度和优秀的疲劳特性,并且在编程速度和响应时间上优于传统的铁电材料,展现出良好的应用前景.

关键词：存储器氧化铪铁电性铁电隧道结

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

两路信号控制的液滴单向运输数字微流控芯片

引用

传感器与微系统 2019年第8期38卷 65-68页

作者：盛文洁王续博周嘉复旦大学微电子学院专用集成电路与系统国家重点实验室

介质上的电润湿(EWOD)数字微流控芯片的设计中,随着电极数量的增加,需要更多的控制信号,引出导线的设计复杂程度将会显著增加。根据接触线理论,提出一种运输方向上非对称的电极设计,使液滴两侧的电极同时加电压时,施加在液滴两侧的电润... 详细信息

介质上的电润湿(EWOD)数字微流控芯片的设计中,随着电极数量的增加,需要更多的控制信号,引出导线的设计复杂程度将会显著增加。根据接触线理论,提出一种运输方向上非对称的电极设计,使液滴两侧的电极同时加电压时,施加在液滴两侧的电润湿力不平衡,液滴向指定方向驱动。该新型器件只需两个信号即可实现液滴长距离、大规模的单向运输。通过COMSOL仿真软件对器件在电压作用下液滴受力和运动情况进行了表征,并制作及测试芯片对其功能进行了验证。仿真和测试结果表明:通过两个驱动信号的重复交替,能够在一维路径上稳定地实现单向运输。

关键词：数字微流微液滴单向输运介质上的电润湿

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

原子层刻蚀技术研究进展

引用

微纳电子与智能制造 2019年第1期1卷 47-56页

作者：卢红亮马宏平袁光杰张卫复旦大学微电子学院专用集成电路与系统国家重点实验室上海200433 上海大学机电工程与自动化学院上海200444

随着现在集成电路技术的不断发展,构成芯片的核心器件尺寸在不断地缩小,芯片的加工制造变得越来越精细。主要综述了有望在纳米级芯片器件加工过程中发挥关键作用的原子层刻蚀(ALE)技术最近几年来的研究进展。首先介绍了晶体管尺寸进一... 详细信息

随着现在集成电路技术的不断发展,构成芯片的核心器件尺寸在不断地缩小,芯片的加工制造变得越来越精细。主要综述了有望在纳米级芯片器件加工过程中发挥关键作用的原子层刻蚀(ALE)技术最近几年来的研究进展。首先介绍了晶体管尺寸进一步缩小后,在刻蚀材料的选择性和物理化学反应的原子级控制方面面临的主要挑战;接着对ALE技术的基本原理进行了详细介绍;进一步重点概括了ALE技术在应用于微电子器件中的半导体薄膜、氧化物薄膜、氮化物薄膜、金属薄膜的国内外研究成果。此外,还介绍了ALE技术应用在新型二维材料方面的进展情况。

关键词：原子层刻蚀纳米级集成电路晶体管

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

基于Ni电极和ZrO_2/SiO_2/ZrO_2介质的MIM电容的导电机理研究

引用

物理学报 2017年第8期66卷 287-294页

作者：刘骐萱王永平刘文军丁士进复旦大学微电子学院专用集成电路与系统国家重点实验室上海200433

研究了基于Ni电极和原子层淀积的ZrO_2/SiO_2/ZrO_2对称叠层介质金属-绝缘体-金属(MIM)电容的电学性能.当叠层介质的厚度固定在14nm时,随着SiO_2层厚度从0增加到2nm,所得电容密度从13.1 fF/μm^2逐渐减小到9.3fF/μm^2,耗散因子从0.025... 详细信息

研究了基于Ni电极和原子层淀积的ZrO_2/SiO_2/ZrO_2对称叠层介质金属-绝缘体-金属(MIM)电容的电学性能.当叠层介质的厚度固定在14nm时,随着SiO_2层厚度从0增加到2nm,所得电容密度从13.1 fF/μm^2逐渐减小到9.3fF/μm^2,耗散因子从0.025逐渐减小到0.02.比较MIM电容的电流-电压(I-V)曲线,发现在高压下电流密度随着SiO_2厚度的增加而减小,在低压下电流密度的变化不明显,还观察到电容在正、负偏压下表现出完全不同的导电特性,在正偏压下表现出不同的高、低场I-V特性,而在负偏压下则以单一的I-V特性为主导.进一步对该电容在高、低场下以及电子顶部和底部注入时的导电机理进行了研究.结果表明,当电子从底部注入时,在高场和低场下分别表现出普尔-法兰克(PF)发射和陷阱辅助隧穿(TAT)的导电机理;当电子从顶部注入时,在高、低场下均表现出TAT导电机理.主要原因在于底电极Ni与ZrO_2之间存在镍的氧化层(NiO_x),且ZrO_2介质层中含有深浅两种能级陷阱(分别为0.9和2.3 eV),当电子注入的模式和外电场不同时,不同能级的陷阱对电子的传导产生作用.

关键词：金属-绝缘体-金属电容导电机理 ZrO2/SiO2/ZrO2叠层介质 Ni电极

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

一种特殊数字滤波器的优化结构

引用

微电子学 2018年第4期48卷 429-432页

作者：张幸幸陆继承李夏禹俞军复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室上海200433 复旦大学微电子学院上海200433 上海复旦微电子集团股份有限公司上海200433

提出一种特殊数字滤波器的结构优化方案,可以简化滤波器结构、节省电路面积。将该方案应用于解调ISO/IEC 14443协议规定的PICC到PCD的副载波调制信号。在此基础上,改变子滤波器的位置,将长延迟链前移,减少了长延时链的数据位宽。综合结... 详细信息

提出一种特殊数字滤波器的结构优化方案,可以简化滤波器结构、节省电路面积。将该方案应用于解调ISO/IEC 14443协议规定的PICC到PCD的副载波调制信号。在此基础上,改变子滤波器的位置,将长延迟链前移,减少了长延时链的数据位宽。综合结果表明,该滤波器的面积仅为传统滤波器的50%。

关键词： FIR滤波器匹配滤波器 ISO/IEC14443协议

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

面向微电子应用的二维过渡金属硫族化合物制备进展

引用

科学通报 2017年第36期62卷 4237-4255页

作者：许浒廖付友郭仲勋郭晓娇周鹏包文中张卫复旦大学微电子学院专用集成电路和系统国家重点实验室上海200433

二维原子晶体材料所独有的结构特性带来了诸多优异的性质.与石墨烯相比,二维过渡金属硫族化合物(TMDs)拥有不同大小且可调控的带隙,在微电子和光电器件领域有着广阔的应用前景.本文对二维TMDs材料"自上而下"和"自下而上&... 详细信息

二维原子晶体材料所独有的结构特性带来了诸多优异的性质.与石墨烯相比,二维过渡金属硫族化合物(TMDs)拥有不同大小且可调控的带隙,在微电子和光电器件领域有着广阔的应用前景.本文对二维TMDs材料"自上而下"和"自下而上"的制备方法进行了总结,对比了机械剥离、液相剥离和化学气相沉积等常见制备技术,并归纳了各自的优缺点.同时基于未来晶圆级二维TMDs器件,重点介绍了化学气相沉积法及其面向应用需要解决的问题.最后总结了二维TMDs材料在微电子器件应用中的研究进展.

关键词：二维层状材料/二维原子晶体过渡金属硫族化合物二硫化钼化学气相沉积

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

高性能栅压自举开关的设计

引用

半导体技术 2017年第9期42卷 663-668页

作者：穆敏宏叶凡陈勇臻复旦大学微电子学院专用集成电路与系统国家重点实验室上海201203

对模数转换器中的传统开关电路的导通电阻进行了详细的理论分析,提出了一种互补型栅压自举开关电路。该电路结构相比于传统开关,通过少量的功耗代价换取了更优的频域性能,在不同工艺角下具有更好的鲁棒性,适用于先进工艺下的低电压工作... 详细信息

对模数转换器中的传统开关电路的导通电阻进行了详细的理论分析,提出了一种互补型栅压自举开关电路。该电路结构相比于传统开关,通过少量的功耗代价换取了更优的频域性能,在不同工艺角下具有更好的鲁棒性,适用于先进工艺下的低电压工作环境。互补型栅压自举开关电路采用28 nm工艺设计,在1 V的电源电压下,对800 f F的负载电容进行速率为800 MS/s的采样,在低频输入下(181.25 MHz)实现的无杂散动态范围(SFDR)为89 d B,四倍奈奎斯特输入频率下(1 556 MHz)实现的SFDR为65 d B,开关电路面积为80μm×20μm。

关键词：模数转换器(ADC) 栅压自举采样开关互补型开关导通电阻沟道电荷注入

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

基于集成氮化硅微腔的光学传感芯片研究

引用

计测技术 2018年第1期38卷 9-16页

作者：翟珊顾昌林冯吉军卢红亮上海理工大学光电信息与计算机工程学院上海市现代光学系统重点实验室上海200093 复旦大学微电子学院专用集成电路与系统国家重点实验室上海201203

近年来随着传感器在生物探测领域的应用,提高传感器芯片的灵敏度成为研究的热点。利用氮化硅微腔灵敏度高、成本低、易于集成的优点,设计制造了1550 nm波长下二维、三维结构品质因子分别为1.6×104和4×103的悬空耦合传感器芯片... 详细信息

近年来随着传感器在生物探测领域的应用,提高传感器芯片的灵敏度成为研究的热点。利用氮化硅微腔灵敏度高、成本低、易于集成的优点,设计制造了1550 nm波长下二维、三维结构品质因子分别为1.6×104和4×103的悬空耦合传感器芯片,并详细研究了集成氮化硅微腔光学传感芯片在折射率测量方面的应用。

关键词：集成光子芯片微环谐振腔氮化硅光学传感器悬空结构

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

基于PZT的500MHz超声传感器设计和MEMS制作

引用

传感器与微系统 2018年第7期37卷 63-65,69页

作者：刘嘉王续博徐卫疆周嘉复旦大学微电子学院专用集成电路与系统国家重点实验室上海200433 法国国家科研中心电子微电子与纳米技术研究所UMR CNRS 8520 瓦朗谢纳埃诺-坎布雷斯大学声光电子学部法国F-59313

利用KLM等效电路模型设计了一种中心频率为478 MHz的超声传感器。采用溶胶—凝胶法在硅衬底上制备了厚度为4μm的锆钛酸铅(PZT)厚膜压电材料,对压电材料的晶体结构、表面剖面形貌、压电性进行了测试,材料均匀致密,具有较好的压电性。研... 详细信息

利用KLM等效电路模型设计了一种中心频率为478 MHz的超声传感器。采用溶胶—凝胶法在硅衬底上制备了厚度为4μm的锆钛酸铅(PZT)厚膜压电材料,对压电材料的晶体结构、表面剖面形貌、压电性进行了测试,材料均匀致密,具有较好的压电性。研究了超声传感器的制作工艺,制作出实际工作频率为459 MHz的高频超声传感器,搭建测试平台测试其电阻抗,实验值与理论值相匹配,电阻抗误差为1.8%,中心频率误差为3.9%。

关键词：超声传感器高频锆钛酸铅厚膜压电材料

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

建议与咨询留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

时间限定

文献类型

馆藏选择

核心期刊

语言

文献类型

帮助

文字说明：

检索规则说明：

检索范例：

分类表

所选分类

限定检索结果

文献类型

馆藏范围

日期分布

学科分类号

主题

机构

作者

语言

请选择保存的检索档案：

请选择收藏分类：

通借通还

建议与咨询 留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

时间限定

文献类型

馆藏选择

核心期刊

语言

文献类型

帮助

文字说明：

检索规则说明：

检索范例：

分类表

所选分类

限定检索结果

文献类型

馆藏范围

日期分布

学科分类号

主题

机构

作者

语言

请选择保存的检索档案： 新增检索档案 确定 取消

请选择收藏分类： 新增自定义分类 确定 取消

通借通还

建议与咨询留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

请选择保存的检索档案：

请选择收藏分类：