检索结果-内蒙古大学图书馆

石墨烯基红外探测器的高k栅氧集成

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红外与毫米波学报 2012年第2期31卷 118-121,158页

作者：周鹏魏红强孙清清叶立陈琳吴东平丁士进张卫复旦大学微电子研究院集成电路与系统国家重点实验室上海200433

从石墨烯发现与制备出发,综述了室温下双层石墨烯或石墨烯带禁带在0～250 meV可调的特性,及其在中远红外探测器的背栅、顶栅结构中作为栅氧形成材料的应用,并介绍了目前各种先进工艺.

关键词：石墨烯红外探测器高k栅氧集成

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改进的门单元多输入跳变电流源模型

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计算机辅助设计与图形学学报 2012年第11期24卷 1513-1520页

作者：钱晨曦陶俊曾璇复旦大学微电子学系专用集成电路与系统国家重点实验室上海201203

电压信号的非线性问题和多输入跳变现象给时序分析带来了严重挑战.为更好地解决此问题,文中设计电路对门单元输入端和内部节点间的密勒电容进行了验证,从器件结构上分析了其来源,并通过引入该电容改进了已有多输入跳变电流源模型,以获... 详细信息

电压信号的非线性问题和多输入跳变现象给时序分析带来了严重挑战.为更好地解决此问题,文中设计电路对门单元输入端和内部节点间的密勒电容进行了验证,从器件结构上分析了其来源,并通过引入该电容改进了已有多输入跳变电流源模型,以获得更高的模型精度;同时将二输入门单元模型扩展到多输入门单元,并详述了建模方法.多种门单元上的数值实验结果表明,与已有模型相比,在可接受的时间开销内,文中模型能够显著地提高门单元时延和输出波形的仿真精度.

关键词：电流源模型密勒电容多输入跳变串扰噪声波形仿真

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快速热退火对原子层淀积铂纳米颗粒的影响

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材料研究学报 2012年第3期26卷 255-260页

作者：陈红兵朱宝陈笋孙清清丁士进张卫专用集成电路与系统国家重点实验室复旦大学微电子研究院上海200433

以(MeCp)Pt(CH3)3和O_2为反应源,采用原子层淀积(ALD)技术在A1_2O_3衬底上制备Pt纳米颗粒,研究了在氮气中快速热退火对Pt纳米颗粒的特性的影响。结果表明,随着退火温度从700℃升高到900℃,Pt纳米颗粒尺寸逐渐增大,颗粒之间分离愈加清晰... 详细信息

以(MeCp)Pt(CH3)3和O_2为反应源,采用原子层淀积(ALD)技术在A1_2O_3衬底上制备Pt纳米颗粒,研究了在氮气中快速热退火对Pt纳米颗粒的特性的影响。结果表明,随着退火温度从700℃升高到900℃,Pt纳米颗粒尺寸逐渐增大,颗粒之间分离愈加清晰,形貌趋向球形,但颗粒密度稍有降低。随着在800℃退火时间从15 s增加到60 s,Pt纳米颗粒的尺寸逐渐增大,尺寸分布变得更加弥散,颗粒的密度逐渐降低;其中退火15 s后的Pt纳米颗粒密度高(9.29×10★cm-2)、分布均匀、分离清晰。900℃退火后在Pt纳米颗粒中出现部分氧化态的Pt原子,其原因可能是在高温下Pt纳米颗粒与A1_2O_3薄膜之间发生了界面化学反应。

关键词：金属材料 Pt纳米颗粒原子层淀积快速热退火

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基于模型修正技术的模拟集成电路几何规划优化方法

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计算机辅助设计与图形学学报 2012年第6期24卷 721-727页

作者：李亨陶俊曾璇复旦大学微电子学系专用集成电路与系统国家重点实验室上海201203

为了兼顾模拟集成电路设计优化的求解精度和计算效率,提出一种基于正项式模型修正技术的几何规划优化方法.首先将模拟集成电路的设计目标与约束简化为正项式模型,然后在采用几何规划方法迭代优化的过程中利用晶体管级SPICE仿真不断修正... 详细信息

为了兼顾模拟集成电路设计优化的求解精度和计算效率,提出一种基于正项式模型修正技术的几何规划优化方法.首先将模拟集成电路的设计目标与约束简化为正项式模型,然后在采用几何规划方法迭代优化的过程中利用晶体管级SPICE仿真不断修正这一正项式模型.实例表明,与传统基于公式的优化方法和基于仿真的优化方法相比,该方法能够在尽量保证计算效率和全局最优解的前提下使优化精度满足晶体管级SPICE仿真的要求.

关键词：电路优化几何规划模型修正运算放大器

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中红外量子级联激光器输运特性的仿真(英文)

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红外与毫米波学报 2012年第6期31卷 486-490页

作者：李营营茹国平李湛明复旦大学微电子研究院集成电路与系统国家重点实验室上海200433 Crosslight软件有限公司

基于一种非局域化的输运模型,对不同结构不同温度下的中红外量子级联激光器的输运特性进行了仿真。在这个模型中,利用量子隧穿、微带隧穿以及热载流子输运等长程载流子输运模型,对传统的扩散-漂移方程进行了矫正.并将基于上述集成模型... 详细信息

基于一种非局域化的输运模型,对不同结构不同温度下的中红外量子级联激光器的输运特性进行了仿真。在这个模型中,利用量子隧穿、微带隧穿以及热载流子输运等长程载流子输运模型,对传统的扩散-漂移方程进行了矫正.并将基于上述集成模型的计算结果和实验结果进行了比较,通过拟合参数的合理设置,计算结果和实验结果得到了很好的吻合.

关键词：量子级联激光器仿真输运特性非局域化输运模型

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一种基于谱变换技术的S盒硬件实现方法

一种基于谱变换技术的S盒硬件实现方法

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中国密码学会2013年密码芯片学术会议

作者：魏长征胡永波孙慧盈陆继承郭丽敏俞军上海复旦微电子集团股份有限公司上海 200433 上海复旦微电子集团股份有限公司上海 200433 复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室上海 201203

2006年Prouff等人提出了基于傅立叶谱变换技术的抗DPA攻击的S盒实现方案.此后2008和2009年Coron和Yang Li等人分别对其方案进行改进,但改进后的方案算法仍然较复杂,不便于硬件实现.本文针对硬件电路的特点,对原方案进行分析优化,并提出... 详细信息

2006年Prouff等人提出了基于傅立叶谱变换技术的抗DPA攻击的S盒实现方案.此后2008和2009年Coron和Yang Li等人分别对其方案进行改进,但改进后的方案算法仍然较复杂,不便于硬件实现.本文针对硬件电路的特点,对原方案进行分析优化,并提出了一种高效可行的硬件实现方案.更进一步的引入了walsh谱变换技术,克服了原方案在硬件实现过程中可能存在的安全漏洞.文章最后给出了实际实现的电路规模.

关键词：密码芯片 S盒压缩算法谱变换侧信道分析

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高灵敏度谐振式红外光声气体传感器研究

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传感器与微系统 2012年第10期31卷 57-60页

作者：方兴李嘉纪新明包宗明黄宜平复旦大学专用集成电路及系统国家重点实验室微电子学系上海200433

研究了高灵敏度谐振式红外光声气体传感系统,对系统的谐振频谱进行了测试分析,观察到了新的谐振模式。经过对比,发现选用新的谐振模式具有更高的测试灵敏度和信噪比,新的谐振模式源于两边的缓冲腔体内的谐振。研究了麦克风输出腔体结构... 详细信息

研究了高灵敏度谐振式红外光声气体传感系统,对系统的谐振频谱进行了测试分析,观察到了新的谐振模式。经过对比,发现选用新的谐振模式具有更高的测试灵敏度和信噪比,新的谐振模式源于两边的缓冲腔体内的谐振。研究了麦克风输出腔体结构对信号的影响,发现增加输出腔内麦克风到谐振腔的距离可显著增加光声信号。另外,在激光岀射端口放置反射金属膜也有利于提高光声信号,从而提高系统检测极限。

关键词：光声传感器谐振式频率灵敏度信噪比

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压电能量收集器件基于有限元仿真比较和研究

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微纳电子技术 2012年第4期49卷 248-253页

作者：朱伦朱志炜张卫吴东平复旦大学微电子学系专用集成电路与系统国家重点实验室上海200433

利用压电材料制作的器件采集环境中的振动能量,并转化为电能的微尺度器件正日益受到广泛关注。通过有限元仿真分析,研究了新颖的垂直式纳米线阵列结构(VING)和常见的压电悬臂梁结构的能量收集性能。在更贴近实际情况的低频条件下计算了7... 详细信息

利用压电材料制作的器件采集环境中的振动能量,并转化为电能的微尺度器件正日益受到广泛关注。通过有限元仿真分析,研究了新颖的垂直式纳米线阵列结构(VING)和常见的压电悬臂梁结构的能量收集性能。在更贴近实际情况的低频条件下计算了75 000根纳米线阵列结构和压电悬臂梁结构的输出电压以及单位体积能量输出功率,并指出了其各自的特点。最后得出结论:VING更适于在振动强度较大的环境中工作,而悬臂梁结构则更适于在接近其谐振频率的环境中工作。

关键词：能量收集压电效应有限元分析垂直式纳米线阵列(VING) 悬臂梁谐振频率

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22nm技术节点异质栅MOSFET的特性研究

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半导体技术 2012年第3期37卷 184-187页

作者：杨颖琳胡成朱伦许鹏朱志炜张卫吴东平复旦大学微电子学系专用集成电路与系统国家重点实验室上海200433

研究了22 nm栅长的异质栅MOSFET的特性,利用工艺与器件仿真软件Silvaco,模拟了异质栅MOSFET的阈值电压、亚阈值特性、沟道表面电场及表面势等特性,并与传统的同质栅MOSFET进行比较。分析结果表明,由于异质栅MOSFET的栅极由两种不同功函... 详细信息

研究了22 nm栅长的异质栅MOSFET的特性,利用工艺与器件仿真软件Silvaco,模拟了异质栅MOSFET的阈值电压、亚阈值特性、沟道表面电场及表面势等特性,并与传统的同质栅MOSFET进行比较。分析结果表明,由于异质栅MOSFET的栅极由两种不同功函数的材料组成,因而在两种材料界面附近的表面沟道中增加了一个电场峰值,相应地漏端电场比同质栅MOSFET有所降低,所以在提高沟道载流子输运效率的同时也降低了小尺寸器件的热载流子效应。此外,由于该器件靠近源极的区域对于漏压的变化具有屏蔽作用,从而有效抑制了小尺寸器件的沟道长度调制效应,但是由于其亚阈值特性与同质栅MOSFET相比较差,导致漏致势垒降低效应(DIBL)没有明显改善。

关键词：异质栅金属氧化物半导体场效应晶体管热载流子效应表面电场表面势漏致势垒降低效应

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一种新型高速嵌入式动态随机存储器

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微电子学 2012年第1期42卷 50-53页

作者：臧松干王鹏飞林曦刘昕彦丁士进张卫复旦大学专用集成电路和系统国家重点实验室复旦大学微电子学系上海200433

基于二维器件模拟工具,研究了一种采用栅控二极管作为写操作单元的新型平面无电容动态随机存储器。该器件由一个n型浮栅MOSFET和一个栅控二极管组成。MOSFET的p型掺杂多晶硅浮栅作为栅控二极管的p型掺杂区,同时也是电荷存储单元。写&quo... 详细信息

基于二维器件模拟工具,研究了一种采用栅控二极管作为写操作单元的新型平面无电容动态随机存储器。该器件由一个n型浮栅MOSFET和一个栅控二极管组成。MOSFET的p型掺杂多晶硅浮栅作为栅控二极管的p型掺杂区,同时也是电荷存储单元。写"0"操作通过正向偏置二极管实现,而写"1"操作通过反向偏置二极管,同时在控制栅上加负电压使栅控二极管工作为隧穿场效应晶体管(Tunneling FET)来实现。由于正向偏置二极管和隧穿晶体管开启时接近1μA/μm的电流密度,实现了高速写操作过程,而且该器件的制造工艺与闪烁存储器和逻辑器件的制造兼容,因此适合在片上系统(SOC)中作为嵌入式动态随机存储器使用。

关键词：嵌入式动态随机存储器栅控二极管隧穿场效应晶体管

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